一种真空镀膜工艺中硅片单面抛光装置及单面抛光方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN111230727A(43)申请公布日2020.06.05(21)申请号202010232440.5B24B57/02(2006.01)(22)申请日2020.03.28B24B47/12(2006.01)(71)申请人苏州赛森电子科技有限公司地址215600江苏省苏州市张家港市福新路2号B06一楼赛森电子(72)发明人伍志军(74)专利代理机构苏州润桐嘉业知识产权代理有限公司32261代理人吴筱娟(51)Int.Cl.B24B37/04(2012.01)B24B37/10(2012.01)B24B37/30(2012.01)B24B55/06(2006.01)B24B55/12(2006.01)权利要求书2页说明书8页附图7页(54)发明名称一种真空镀膜工艺中硅片单面抛光装置及单面抛光方法(57)摘要本发明公开了一种真空镀膜工艺中硅片单面抛光装置，涉及硅片加工技术领域，包括：抛光机构、驱动装置、对接机构、注液结构、抛光头。本发明通过注液机构半包覆抛光垫，并为抛光垫与注液机构的套口之间留有空隙(压力空间)，且该空隙两侧与外界相通的方式，不仅能够大面积向疏松多孔的抛光垫注入充足的抛光浆料，使得抛光垫容纳最大程度的抛光浆料以加强抛光效果，并且在当抛光垫的孔饱和后持续注入抛光浆料(前述空隙小，在外界持续注入抛光浆料的情况下，有利于增加抛光浆料对抛光垫孔的摩擦)，有利于抛光浆料裹挟残渣或抛光副产物排出抛光垫，避免硅片以微细划痕或凹陷的形态呈现，使得硅片表面恶化。CN111230727ACN111230727A权利要求书1/2页1.一种真空镀膜工艺中硅片单面抛光装置，其中，包括：抛光机构，所述抛光机构中具有：抛光台，所述抛光台设置在所述抛光机构上；抛光垫，所述抛光垫附着在所述抛光台上；驱动装置，所述驱动装置安装在所述抛光机构中，所述驱动装置连接所述抛光垫；对接机构，所述对接机构设置在所述抛光机构的侧端，所述对接机构具有：第一伸缩结构；柱体，所述柱体可旋转连接所述第一伸缩结构的伸缩端，所述柱体上具有：竖齿，所述竖齿均匀分布在柱体表面上；旋转装置；齿轮，所述齿轮连接所述旋转装置，所述齿轮啮合所述竖齿；注液结构，所述注液结构安装在所述柱体上，所述注液结构为圆形构造，所述注液结构具有：套口，所述套口大小与抛光垫的大小相适应；出液嘴，所述出液嘴设置在所述套口内；抛光头，所述抛光头设置在所述抛光机构上端。2.根据权利要求1所述真空镀膜工艺中硅片单面抛光装置，其中，所述注液结构还具有入液口，所述入液口用于将外界的抛光浆料输送至注液结构中。3.根据权利要求1所述真空镀膜工艺中硅片单面抛光装置，其中，所述真空镀膜工艺中硅片单面抛光装置还包括：第二伸缩结构，所述第二伸缩结构连接所述抛光头。4.根据权利要求1所述真空镀膜工艺中硅片单面抛光装置，其中，所述抛光头具有：动力装置；吸附载体，所述吸附载体连接所述动力装置，所述吸附载体用于吸附硅片。5.根据权利要求4所述真空镀膜工艺中硅片单面抛光装置，其中，所述吸附载体包括：定位环，所述定位环为中空结构，所述定位环安装在所述吸附载体上，所述定位环与所述吸附载体同轴；载片环，所述载片环为中空结构，所述载片环安装在所述定位环中，且与所述定位环同轴，所述载片环具有：安装口，所述安装口用于安放硅片，所述安装口大小与硅片大小相适应；限位单元，所述限位单元径向安装在所述载片环外径，所述限位单元嵌入在所述定位环上形成凹凸结构。6.根据权利要求4所述真空镀膜工艺中硅片单面抛光装置，其中，所述吸附载体包括：滑道，所述滑道设置在所述吸附载体外表面；雾化环，所述雾化环具有：滑块，所述滑块设置在所述雾化环上端，所述滑块连接所述滑道；雾化喷头，所述雾化喷头安装在所述雾化环的内侧，该内侧朝向所述吸附载体。7.根据权利要求1所述真空镀膜工艺中硅片单面抛光装置，其中，所述抛光机构还具有：2CN111230727A权利要求书2/2页挡边，所述挡板设置在所述抛光机构的边缘上，所述挡边将所述抛光台包围，所述挡边与所述抛光台之间具有空隙；环槽，所述环槽由所述挡边与所述抛光台之间的空隙构成；回流口，所述回流口连通所述环槽。8.根据权利要求7所述真空镀膜工艺中硅片单面抛光装置，其中，所述抛光机构还具有：反向清洗过滤器，所述反向清洗过滤器连通所述回流口；回收通道，所述回收通道连通所述反向清洗过滤器；回收箱，所述回收箱连通所述回收通道；冲洗通道，所述冲洗通道连通所述反向清洗过滤器；水箱，所述水箱连通所述冲洗通道。9.根据权利要求1所述真空镀膜工艺中硅片单面抛光装置，其中，所述水箱中具有水泵，所述水泵用于将所述水箱中的液体抽送至所述冲洗通道中。10.根据权利要求1所述真空镀膜工艺中硅片单面