单晶硅片刻蚀抛光方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN108054093A(43)申请公布日2018.05.18(21)申请号201711286807.6(22)申请日2017.12.07(71)申请人苏州润阳光伏科技有限公司地址215300江苏省苏州市昆山开发区前进东路科技广场8楼(72)发明人余永健李静刘露露衣玉林穆林森王冲王超(51)Int.Cl.H01L21/306(2006.01)H01L31/18(2006.01)权利要求书1页说明书2页附图1页(54)发明名称单晶硅片刻蚀抛光方法(57)摘要本发明公开一种单晶硅片刻蚀抛光方法，该方法包括刻蚀、水洗、碱洗、水洗、酸洗、水洗以及烘干工序，其中，该碱洗工序包括抛光工序和喷淋工序，于一碱槽内进行，该碱槽内设有抛光部和喷淋部，其中，抛光部包括若干滚轮，硅片经过该抛光部时，该若干滚轮对该硅片的下表面进行抛光；喷淋部包括若干喷淋头，该硅片经过该喷淋部时，该若干喷淋头喷淋常温碱液对该硅片的上表面进行处理。本发明适用于单晶硅片刻蚀抛光工序，通过碱槽替代部分酸槽，解决了刻蚀工艺中酸雾难以治理的问题，提高了刻蚀后硅片背面的反射率，分担了仅靠刻蚀槽来提高反射率的压力，降低了酸用量的成本。CN108054093ACN108054093A权利要求书1/1页1.一种单晶硅片刻蚀抛光方法，其特征在于，该方法包括刻蚀、水洗、碱洗、水洗、酸洗、水洗以及烘干工序，其中，该碱洗工序包括抛光工序和喷淋工序，于一碱槽内进行，该碱槽内设有：抛光部，包括若干滚轮，硅片经过该抛光部时，该若干滚轮对该硅片的下表面进行抛光；喷淋部，包括若干喷淋头，该硅片经过该喷淋部时，该若干喷淋头喷淋常温碱液对该硅片的上表面进行处理。2.根据权利要求1所述的单晶硅片刻蚀抛光方法，其特征在于：该抛光部内储存碱溶液，调整该碱溶液的液位，控制该滚轮抛光该硅片时，该碱溶液单面接触该硅片的下表面。3.根据权利要求2所述的单晶硅片刻蚀抛光方法，其特征在于：该碱溶液的温度为30-70℃。2CN108054093A说明书1/2页单晶硅片刻蚀抛光方法技术领域[0001]本发明涉及太阳能电池制造领域，尤其涉及提高硅片背面反射率及均匀性的单晶硅片背面抛光方法。背景技术[0002]太阳能电池刻蚀抛光工艺是太阳能高效电池制造工艺中至关重要的一步，对成品电池片的电性能以及EL良率有着重大的影响，刻蚀后硅片背面反射率的均匀性决定了背钝化镀膜的均匀性，镀膜的均匀性决定了激光开孔率及大小的均匀性。因此刻蚀在整个PERC电池（钝化发射区背面电池，Passivatedemitterrearcontactsolarcells）生产过程中起着举足轻重的作用。[0003]酸抛是另一种较为常见的技术手段，但采用这种处理方法存在三个问题：第一，酸抛产生的高浓度的酸雾难以处理，易导致环保不达标；第二，酸抛反射率很难提高，而且稳定性差；第三，酸抛生产过程中难调节，若排风不畅造成酸雾排不出去，酸雾残留在设备内，不但腐蚀设备而且造成硅片有酸残留，做成成品电池片后EL黑斑严重，降低了成品的合格率，返工率高；第四，酸抛的成本非常大。[0004]因此，常规刻蚀背面反射率均匀性低且不稳定，易导致背钝化镀膜均匀性差，激光打孔不均匀，转换效率偏低刻蚀；而碱抛则具有均匀性好，易调节，反射率高等优点，若能将常规刻蚀和碱抛相结合，则能够更好的提高成品电池片的转换效率。发明内容[0005]有鉴于此，本发明的目的是解决上述现有技术的不足，提供一种兼具常规刻蚀和碱抛优点的单晶硅片刻蚀抛光方法。[0006]本发明解决上述现有技术的不足所采用的技术方案是：一种单晶硅片刻蚀抛光方法，该方法包括刻蚀、水洗、碱洗、水洗、酸洗、水洗以及烘干工序，其中，该碱洗工序包括抛光工序和喷淋工序，于碱槽内进行，该碱槽内设有抛光部和喷淋部，其中，抛光部包括若干滚轮，硅片经过该抛光部时，该若干滚轮对该硅片的下表面进行抛光；喷淋部包括若干喷淋头，该硅片经过该喷淋部时，该若干喷淋头喷淋常温碱液对该硅片的上表面进行处理。[0007]特别地，该抛光部内储存碱溶液，调整该碱溶液的液位，控制该滚轮抛光该硅片时，该碱溶液单面接触该硅片的下表面。[0008]特别地，该碱溶液的温度为30-70℃。[0009]相较于现有技术，本发明的单晶硅片刻蚀抛光方法，通过碱槽替代部分酸槽，不仅可以达到现有技术中的碱槽中和残酸和去除多孔硅的目的，解决了刻蚀工艺中酸雾难以治理的问题，降低了酸用量的成本，更提高了刻蚀后硅片背面的反射率，分担了仅靠刻蚀槽来提高反射率的压力，提高成品电池片的转换效率。附图说明3CN108054093A说明书2/2页[0010]图1为本发明单晶硅片刻蚀抛光方法的碱槽的示意图。具体实施方式[0011]以下描述用于揭露本发明以使