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半导体装置的制造方法以及半导体装置.pdf
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半导体装置以及半导体装置的制造方法.pdf
本公开涉及半导体装置以及半导体装置的制造方法。本发明提供一种高可靠性的半导体装置以及该半导体装置的制造方法。在具有在氧化物半导体膜上设置有用作沟道保护膜的绝缘层的底栅结构的晶体管的半导体装置中，通过在形成以接触于氧化物半导体膜的方式设置的绝缘层及/或源电极层及漏电极层之后，进行杂质去除处理，可以防止蚀刻气体中的元素作为杂质残留在氧化物半导体膜的表面。氧化物半导体膜表面中的杂质浓度为5×10
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本发明的功率半导体装置的制造方法,依次包括：半导体基体准备工序；第一沟槽形成工序；第一绝缘膜形成工序，形成第一绝缘膜126a；栅极绝缘膜形成工序；栅电极形成工序；第二沟槽形成工序，在将第一绝缘膜126a的中央部去除后在第一沟槽116内形成第二沟槽140；第二绝缘膜形成工序，以在第二沟槽内残留有空隙122为条件在第二沟槽140的内部形成第二绝缘膜126b；屏蔽电极形成工序，在空隙122内形成屏蔽电极124；以及源电极形成工序，形成源电极。根据本发明的半导体装置的制造方法，就能够简化用于使屏蔽电极与源电极之间
2023-11-17
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本发明的目的在于提供一种能够抑制阈值电压随时间变化的半导体装置以及半导体装置的制造方法。本发明的半导体装置具备在半导体基板20上形成的漂移层21、在漂移层21表层中相互离开地形成的第1阱区域41、在漂移层21以及各第1阱区域41上跨越地形成的栅绝缘膜30、在栅绝缘膜30上选择性地形成的栅电极50、贯通栅绝缘膜30而到达至各第1阱区域41内部的源极接触孔61、和在源极接触孔61的至少侧面中形成的、压缩应力残留的压缩应力残留层90。
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半导体装置以及制造半导体装置的方法。在一个实例中，一种半导体装置包括具有引线的衬底，引线包括引线端子、引线阶梯和引线偏移件，引线偏移件在引线阶梯之间延伸，使得至少一些引线阶梯驻留在不同平面上。第一电子组件耦合到第一引线阶梯侧，且包括第一电子组件第一侧和与第一电子组件第一侧相对的第一电子组件第二侧。第二电子组件耦合到第二引线阶梯侧，且包括第二电子组件第一侧和与第二电子组件第一侧相对的第二电子组件第二侧。密封物密封第一电子组件、第二电子组件和衬底的部分。引线端子从密封物的第一侧暴露。
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