基板的脱离方法和基板的脱离装置.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN108807220A(43)申请公布日2018.11.13(21)申请号201810291920.1(22)申请日2018.04.03(30)优先权数据2017-0871112017.04.26JP(71)申请人日东电工株式会社地址日本大阪府(72)发明人村山聪洋森伸一郎(74)专利代理机构北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)11277代理人刘新宇张会华(51)Int.Cl.H01L21/67(2006.01)H01L21/304(2006.01)权利要求书1页说明书13页附图18页(54)发明名称基板的脱离方法和基板的脱离装置(57)摘要本发明提供一种能够更可靠地避免以晶圆为例的基板的破损、损伤的同时使基板从吸附保持该基板的保持台脱离的基板的脱离方法和基板的脱离装置。使具有扁平面的限制构件接近被吸附保持于保持台的晶圆。在扁平面与晶圆接近了的状态下向保持台与晶圆之间的间隙供给气体。由于气体的供给，使该间隙的减压状态被消除，因此，保持台对晶圆的保持力可靠地降低。另外，由于气体从流路的流通孔喷出导致的晶圆的上方移动被限制构件的扁平面限制。因此，能够防止由于减压状态的残留导致的晶圆的脱离延迟，并且，也能够避免由于气体的不均匀的按压力而导致晶圆的一部分突出、晶圆变形、晶圆破损的状况发生。CN108807220ACN108807220A权利要求书1/1页1.一种基板的脱离方法，其是使基板从吸附保持所述基板的保持台脱离的基板的脱离方法，其特征在于，该基板的脱离方法具备：接近过程，在该接近过程中，使具有扁平面且用于限制所述基板的限制构件与所述基板接近或抵接，使所述基板与所述扁平面之间的距离维持在预先设定好的预定值；气体供给过程，在该气体供给过程中，在所述限制构件与所述基板接近或抵接后的状态下，向所述基板与所述保持台之间供给气体，以使所述保持台的保持力降低；以及脱离过程，在该脱离过程中，使所述基板从所述保持台脱离。2.根据权利要求1所述的基板的脱离方法，其特征在于，所述脱离过程是通过在所述限制构件保持着所述基板的状态下使所述限制构件与所述基板一起从所述保持台脱离来执行的。3.根据权利要求1或2所述的基板的脱离方法，其特征在于，所述预定值是0.5mm以下。4.一种基板的脱离装置，其特征在于，该基板的脱离装置具备：保持台，其用于载置并保持基板；吸附机构，其设置于所述保持台，用于使所述基板吸附保持于所述保持台；限制构件，其具有扁平面，用于限制所述基板；接近机构，其能够进行控制，使所述限制构件与所述基板接近或抵接，使所述扁平面与所述基板之间的距离维持在预先设定好的预定值；以及气体供给部件，其在所述限制构件与所述基板接近或抵接的状态下向所述保持台与所述基板之间供给气体，以使所述保持台的保持力降低。5.根据权利要求4所述的基板的脱离装置，其特征在于，该基板的脱离装置具备保持机构，该保持机构设置于所述限制构件，用于使所述基板保持于所述限制构件，所述限制构件保持所述基板的同时从保持力降低后的所述保持台脱离，从而使所述基板从所述保持台脱离。6.根据权利要求4或5所述的基板的脱离装置，其特征在于，所述扁平面比所述基板宽，所述接近机构以所述扁平面与所述基板正对的方式使所述限制构件与所述基板接近或抵接。7.根据权利要求4或5所述的基板的脱离装置，其特征在于，所述保持台具有保持环框的框架保持部，该基板的脱离装置具备粘贴机构，该粘贴机构用于跨保持于所述保持台的所述环框和所述基板地粘贴粘合带而制作安装框。8.根据权利要求4或5所述的基板的脱离装置，其特征在于，所述预定值是0.5mm以下。2CN108807220A说明书1/13页基板的脱离方法和基板的脱离装置技术领域[0001]本发明涉及用于使进行了预定处理的基板从吸附保持该基板的保持台脱离的基板的脱离方法和基板的脱离装置。背景技术[0002]在利用具备电子电路的基板类、特别是半导体晶圆(以下，适当称为“晶圆”)制造芯片零部件的情况下，在电路图案形成处理于晶圆的表面之后，以在晶圆表面粘贴有保护用的粘合带的状态进行背面研磨，实现薄型化。在自背面研磨处理完成后的晶圆剥离保护带并向切割工序输送晶圆之前，为了对晶圆进行加强，借助支承用的粘合带(切割带)将晶圆粘接保持于环框。[0003]在对薄型化后的晶圆进行粘合带的粘贴处理、切割处理这样的各种处理的情况下，通常而言，使晶圆载置于以卡盘台等为例的保持台之上，在利用真空吸引等大范围地吸附保持晶圆的下表面部分的状态下进行各种处理。并且，在进行了各种处理之后，使晶圆从保持台脱离并向预定的位置输送晶圆。[0004]在单纯地使由保持台实现的真空吸引停止后使晶圆脱离这样的通常的结构中，存在在晶圆的下表面部分的一部分