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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN108832009A(43)申请公布日2018.11.16(21)申请号201810528668.1(22)申请日2018.05.29(71)申请人深圳市华星光电半导体显示技术有限公司地址518000广东省深圳市光明新区公明街道塘明大道9-2号(72)发明人何昆鹏张晓星(74)专利代理机构深圳汇智容达专利商标事务所(普通合伙)44238代理人潘中毅熊贤卿(51)Int.Cl.H01L51/50(2006.01)H01L51/00(2006.01)H01L27/32(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图4页(54)发明名称一种喷墨打印AMOLED显示面板的制备方法(57)摘要本发明提供一种喷墨打印AMOLED显示面板的制备方法,包括下述步骤:制备TFT背板,在TFT背板上制备阳极;在阳极上制备间隔层;在TFT背板上制备像素定义层,且像素定义层覆盖间隔层;图形化像素定义层,在像素定义层上形成缺口以露出间隔层;通过刻蚀液将缺口下方的间隔层刻蚀掉,露出阳极;通过喷墨打印的方式在阳极上形成墨水层。本发明可以提高AMOLED显示面板中阳极表面的洁净程度,减少残留,使得打印发光层更容易铺展均匀,以免AMOLED显示面板显示异常,不会破坏像素定义层表面结构,也不会对像素定义层表面厚度和线宽造成损失。CN108832009ACN108832009A权利要求书1/1页1.一种喷墨打印AMOLED显示面板的制备方法,其特征在于,包括下述步骤:制备TFT背板,在所述TFT背板上制备阳极;在所述阳极上制备用于隔绝阳极与像素定义层的间隔层;在所述TFT背板上制备像素定义层,且所述像素定义层覆盖所述间隔层;图形化所述像素定义层,在所述像素定义层上形成缺口以露出所述间隔层;通过刻蚀液将所述缺口下方的间隔层刻蚀掉,露出所述阳极;通过喷墨打印的方式在所述阳极上形成墨水层。2.根据权利要求1所述的喷墨打印AMOLED显示面板的制备方法,其特征在于,所述间隔层的厚度范围为300~800埃米。3.根据权利要求1所述的喷墨打印AMOLED显示面板的制备方法,其特征在于,所述间隔层为金属膜层,所述阳极为透明电极或者反射电极。4.根据权利要求3所述的喷墨打印AMOLED显示面板的制备方法,其特征在于,所述透明电极为一层ITO膜层,所述反射电极包含两层ITO膜层以及夹持在所述两层ITO膜层之间的银金属层。5.根据权利要求4所述的喷墨打印AMOLED显示面板的制备方法,其特征在于,在图形化所述像素定义层之后还包括下述步骤:对所述像素定义层以及所述阳极进行烘烤制程。6.根据权利要求5所述的喷墨打印AMOLED显示面板的制备方法,其特征在于,所述间隔层为钼膜层或者铝膜层,通过铝刻蚀液将所述缺口下方的间隔层刻蚀掉。7.根据权利要求1所述的喷墨打印AMOLED显示面板的制备方法,其特征在于,通过黄光制程图形化所述像素定义层。8.根据权利要求1所述的喷墨打印AMOLED显示面板的制备方法,其特征在于,所述像素定义层为疏水性的像素定义层。9.根据权利要求1所述的喷墨打印AMOLED显示面板的制备方法,其特征在于,还包括下述步骤:在所述TFT背板上制备平坦层,所述像素定义层以及所述阳极均位于所述平坦层上。10.根据权利要求1所述的喷墨打印AMOLED显示面板的制备方法,其特征在于,通过喷墨打印的方式在所述阳极上形成墨水层,具体为:通过喷墨打印的方式在所述阳极上依次形成空穴层和发光层;其中,所述空穴层包括空穴注入层和空穴传输层,所述空穴传输层位于所述空穴注入层和所述发光层之间。2CN108832009A说明书1/4页一种喷墨打印AMOLED显示面板的制备方法技术领域[0001]本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种喷墨打印AMOLED显示面板的制备方法。背景技术[0002]在蒸镀AMOLED(Active-matrixorganiclightemittingdiode,有源矩阵有机发光二极体)技术中,蒸镀材料在像素区的膜厚均匀性好,而IJP-AMOLED(喷墨打印AMOLED)使用亲水性的液态的墨水喷吐成膜,Bank区域(像素区域)的疏水性PDL(PixelDefineLayer,像素定义层)材料的残留直接影响墨水的铺展,从而导致像素功能异常并最终影响显示效果。例如,如图1所示,1’为TFT(ThinFilmTransistor,薄膜晶体管)背板,2’为平坦层,3’为像素定义层,4’为阳极。如图2所示,30’为图形化后的像素定义层,上面形成有缺口31’,通过缺口31’露出阳极4’,阳极4’上有残留的像素定义层材料32’。如图3所示,在阳极4’上通过喷墨水(墨水材料可以是用于发光的材料)方式形成墨水层5’时,残留