一种脱胶方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN108864975A(43)申请公布日2018.11.23(21)申请号201810845929.2(22)申请日2018.07.27(71)申请人威士达半导体科技（张家港）有限公司地址215000江苏省苏州市张家港市保税区港澳路15号传感园大楼南侧一楼、二楼厂房(72)发明人崔庆珑喻佳敏(74)专利代理机构北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙)11371代理人吕露(51)Int.Cl.C09J7/30(2018.01)C09J133/12(2006.01)C09J11/06(2006.01)权利要求书1页说明书6页(54)发明名称一种脱胶方法(57)摘要本发明提供了一种脱胶方法。本发明的脱胶方法包括如下步骤：A)将UV减粘膜贴合在待脱胶面上；B)采用UV照射所述UV减粘膜，随后去除所述UV减粘膜；其中，在进行所述UV照射之前，所述UV减粘膜的180°剥离强度为7-15N/25mm。本发明的脱胶方法能够高效、方便、低风险地脱除被贴物表面的残脱，脱胶效果好，残胶的残留率低。CN108864975ACN108864975A权利要求书1/1页1.一种脱胶方法，其特征在于，包括如下步骤：A)将UV减粘膜贴合在待脱胶面上；B)采用UV照射所述UV减粘膜，随后去除所述UV减粘膜；其中，在进行所述UV照射之前，所述UV减粘膜的180°剥离强度为7-15N/25mm。2.根据权利要求1所述的脱胶方法，其特征在于，所述UV减粘膜包括胶层，所述胶层包括原胶、光引发剂和固化剂；其中，所述光引发剂的用量为原胶固含量的1-3％。3.根据权利要求2所述的脱胶方法，其特征在于，所述光引发剂选自TPO、MBF、光引发剂1173和光引发剂184中的至少一种。4.根据权利要求2所述的脱胶方法，其特征在于，所述固化剂的用量为原胶固含量的0.2-0.8％。5.根据权利要求4所述的脱胶方法，其特征在于，所述固化剂为异氰酸酯固化剂。6.根据权利要求2所述的脱胶方法，其特征在于，所述原胶为亚克力胶。7.根据权利要求1所述的脱胶方法，其特征在于，所述UV减粘膜还包括基材层，所述基材层的材质选自PVC、PO或EVA。8.根据权利要求1至7任一所述的脱胶方法，其特征在于，步骤A)包括：将UV减粘膜贴覆在待脱胶面上；对贴覆有UV减粘膜的待脱胶面进行施压。9.根据权利要求1至7任一所述的脱胶方法，其特征在于，所述UV照射的照射大于200mJ/cm2。10.根据权利要求1至7任一所述的脱胶方法，其特征在于，在进行所述UV照射之前，所述UV减粘膜的180°剥离强度小于1N/25mm。2CN108864975A说明书1/6页一种脱胶方法技术领域[0001]本发明涉及一种脱胶方法，尤其涉及一种利用UV减粘膜进行脱胶的方法。背景技术[0002]随着胶粘剂行业的飞速发展，减粘膜已经广泛应用于半导体、锂电池及各类模组的表面保护。UV减粘膜是一种在使用时具有较高的剥离强度，通过UV光照射后能够迅速失去粘性的特殊胶带，其通常在晶圆材料加工过程中通过粘结固定起到保护和支撑作用。[0003]在科研和实际生产中，不可避免地会出现表面残胶及脱胶等现象，如何高效、环保地将其去除成为人们越来越关注的问题。目前，行业内大部分去除被贴物表面残胶及脱胶的方法是利用有机溶剂将被贴物表面的残胶擦去，采用有机溶剂擦除残胶存在侵蚀被贴物表面等风险，容易造成被贴物表面损坏。[0004]有鉴于此，特提出本发明。发明内容[0005]本发明的目的在于提供一种脱胶方法，该脱胶方法不仅操作简单，并且能够高效、方便、低风险地脱除被贴物表面的残脱，脱胶效果好，残胶的残留率低。[0006]本发明提供的脱胶方法，包括如下步骤：[0007]A)将UV减粘膜贴合在待脱胶面上；[0008]B)采用UV照射所述UV减粘膜，随后去除所述UV减粘膜；[0009]其中，在进行所述UV照射之前，所述UV减粘膜的180°剥离强度为7-15N/25mm。[0010]本发明的脱胶方法主要用于对基材表面残留的UV胶(以下简称为残胶)进行脱除；可以理解的是，所述待脱胶面为基材上具有残胶或待脱胶的表面。本发明对基材及残留的UV胶的组成均不作严格限制，基材例如可以是方形扁平无引脚封装(QFN)、印制电路板(PCB)、不锈钢(SUS)、玻璃(GLASS)等。[0011]本发明的脱胶方法采用180°剥离强度为7-15N/25mm的UV减粘膜进行。若180°剥离强度过大(大于15N/25mm)，虽然粘附力强，然而容易形成残胶；若剥离强度过小(小于7N/25mm)，则不易去除残胶。[0012]本发明的脱胶方法采用180°剥离强度适宜的UV减粘膜进行；在UV照射之前，其能够良好地贴合在待脱胶面上，而在U