半导体器件的清洗方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114975082A(43)申请公布日2022.08.30(21)申请号202210517412.7(22)申请日2022.05.12(71)申请人长鑫存储技术有限公司地址230000安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号(72)发明人徐正弘(74)专利代理机构北京同达信恒知识产权代理有限公司11291专利代理师卢亚培(51)Int.Cl.H01L21/02(2006.01)B08B3/00(2006.01)B08B3/08(2006.01)权利要求书2页说明书21页附图9页(54)发明名称半导体器件的清洗方法(57)摘要本公开涉及半导体技术领域，特别涉及半导体器件的清洗方法，其中，采用腐蚀性水溶液清洗形成有深宽比结构的半导体器件；采用第一水溶性有机溶剂清洗通过所述腐蚀性水溶液清洗后的半导体器件，以去除腐蚀性水溶液的残留部分。并且，通过使第一水溶性有机溶剂的表面张力小于水的表面张力，更容易在深宽比结构的表面铺展，更加快速的置换深宽比结构底部残留的腐蚀性水溶液。以及，第一水溶性有机溶剂可溶于水，在第一水溶性有机溶剂与腐蚀性水溶液接触后，可以带走腐蚀性水溶液中的部分水分，从而抑制腐蚀性水溶液中的离子解离，避免腐蚀性水溶液残留在深宽比结构的底部而对深宽比结构造成破坏，从而提高半导体器件的性能。CN114975082ACN114975082A权利要求书1/2页1.一种半导体器件的清洗方法，其特征在于，包括：采用腐蚀性水溶液清洗形成有深宽比结构的半导体器件；采用第一水溶性有机溶剂清洗通过所述腐蚀性水溶液清洗后的半导体器件；其中，所述第一水溶性有机溶剂的表面张力小于水的表面张力。2.如权利要求1所述的半导体器件的清洗方法，其特征在于，所述第一水溶性有机溶剂的表面张力不大于40dyne/cm。3.如权利要求2所述的半导体器件的清洗方法，其特征在于，在所述采用第一水溶性有机溶剂清洗通过所述腐蚀性水溶液清洗后的半导体器件之后，还包括：采用去离子水或含CO2的去离子水清洗通过所述第一水溶性有机溶剂清洗后的半导体器件；其中，所述含CO2的去离子水的电阻值不大于0.5兆欧。4.如权利要求2所述的半导体器件的清洗方法，其特征在于，在所述采用第一水溶性有机溶剂清洗通过所述腐蚀性水溶液清洗后的半导体器件之后，还包括：采用第二水溶性有机溶剂清洗通过所述第一水溶性有机溶剂清洗后的半导体器件；其中，所述第二水溶性有机溶剂的表面张力小于水的表面张力。5.如权利要求4所述的半导体器件的清洗方法，其特征在于，所述第二水溶性有机溶剂的表面张力不大于40dyne/cm。6.如权利要求5所述的半导体器件的清洗方法，其特征在于，在所述采用第一水溶性有机溶剂清洗通过所述腐蚀性水溶液清洗后的半导体器件之后，且在所述采用第二水溶性有机溶剂清洗通过所述第一水溶性有机溶剂清洗后的半导体器件之前，还包括：采用去离子水或含CO2的去离子水清洗通过所述第一水溶性有机溶剂清洗后的半导体器件；其中，所述含CO2的去离子水的电阻值不大于0.5兆欧。7.如权利要求4‑6任一项所述的半导体器件的清洗方法，其特征在于，所述第二水溶性有机溶剂包括：甲醇、乙醇、丙醇、异丙醇、异丁醇、丙酮、甲基丙酮和丁酮中的至少一种。8.如权利要求1‑6任一项所述的半导体器件的清洗方法，其特征在于，所述第一水溶性有机溶剂包括：乙二醇二甲醚、乙二醇乙醚、1,4‑二氧六环、四氢呋喃、乙二醇甲醚乙酸酯、乙二醇乙醚醋酸酯、甲醇、乙醇、丙醇、异丙醇、异丁醇、丙酮、甲基丙酮和丁酮中的至少一种。9.如权利要求1‑6任一项所述的半导体器件的清洗方法，其特征在于，还包括：在各所述清洗的步骤均完成后，对所述半导体器件进行干燥处理。10.如权利要求1‑6任一项所述的半导体器件的清洗方法，其特征在于，在所述采用腐蚀性水溶液清洗形成有深宽比结构的半导体器件之后，且在所述采用第一水溶性有机溶剂清洗通过所述腐蚀性水溶液清洗后的半导体器件之前，还包括：采用去离子水或含CO2的去离子水清洗通过所述腐蚀性水溶液清洗后的半导体器件；其中，所述含CO2的去离子水的电阻值不大于0.5兆欧。11.如权利要求10所述的半导体器件的清洗方法，其特征在于，在所述采用腐蚀性水溶液清洗形成有深宽比结构的半导体器件之前，还包括：采用清洗液清洗所述形成有深宽比结构的半导体器件；其中，所述清洗液包括去离子水、含CO2的去离子水和第三水溶性有机溶剂中的至少一种；其中，所述第三水溶性有机溶剂的表面张力小于水的表面张力，所述含CO2的去离子水2CN114975082A权利要求书2/2页的电阻值不大于0.5兆欧。12.如权利要求11所述的半导体器件的清洗方法，其特征在于，所述第三水溶性有机溶剂的表面张力不大于40d