碳化硅器件非合金欧姆接触的制作方法及碳化硅器件.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN109524298A(43)申请公布日2019.03.26(21)申请号201811392398.2H01L29/16(2006.01)(22)申请日2018.11.21(71)申请人中国电子科技集团公司第十三研究所地址050051河北省石家庄市合作路113号(72)发明人刘相伍谭永亮周国闫锐崔玉兴(74)专利代理机构石家庄国为知识产权事务所13120代理人赵宝琴(51)Int.Cl.H01L21/28(2006.01)H01L21/283(2006.01)H01L21/266(2006.01)H01L21/263(2006.01)权利要求书1页说明书5页附图3页(54)发明名称碳化硅器件非合金欧姆接触的制作方法及碳化硅器件(57)摘要本发明提供了一种碳化硅器件非合金欧姆接触的制作方法及碳化硅器件，属于半导体器件制备领域，包括：对碳化硅圆片进行清洗；在碳化硅圆片表面淀积一层介质；光刻定义P型掺杂区域；对需要P型掺杂的区域进行离子注入，并去除光刻胶；光刻定义N型掺杂区域；对需要N型掺杂的区域进行离子注入，并去除光刻胶；去除碳化硅圆片表面介质，对碳化硅圆片进行高温退火；光刻定义欧姆接触区域；金属沉积以钛打底的多层金属；金属剥离，去除多余金属，保留金属电极部分，完成非合金欧姆接触电极的制作。本发明提供的制作方法，能够解决现有技术中存在的欧姆接触电极表面形貌粗糙、易形成碳聚集及P型区域和N型区域难以同时实现良好欧姆接触的问题。CN109524298ACN109524298A权利要求书1/1页1.碳化硅器件非合金欧姆接触的制作方法，其特征在于，包括：对碳化硅圆片进行清洗；在碳化硅圆片表面淀积一层介质；光刻定义P型掺杂区域，在介质表面涂覆一层光刻胶，对需要进行P型掺杂的区域进行光刻，露出介质表面；对需要P型掺杂的区域进行离子注入，注入完成后去除光刻胶；光刻定义N型掺杂区域，在介质表面涂覆一层光刻胶，将需要进行N型掺杂的区域进行光刻，露出介质表面；对需要N型掺杂的区域进行离子注入，注入完成后去除光刻胶；去除碳化硅圆片表面介质，对碳化硅圆片进行高温退火；光刻定义欧姆接触区域，在碳化硅圆片表面涂覆一层光刻胶，将需要制作电极的区域进行光刻，露出P型掺杂区域和N型掺杂区域；金属沉积，在碳化硅圆片表面沉积多层金属，所述多层金属为，先沉积金属Ti，再沉积Al、Ta、Ti、Pt、Au中的一种或几种组合；金属剥离，去除光刻胶和沉积在光刻胶上的多余金属，只保留所需要的金属电极部分，完成非合金欧姆接触电极的制作。2.如权利要求1所述的碳化硅器件非合金欧姆接触的制作方法，其特征在于，所述在碳化硅圆片表面淀积一层介质中，所述介质为二氧化硅或氮化硅中的任一种或其组合，厚度为30nm-70nm。3.如权利要求1所述的碳化硅器件非合金欧姆接触的制作方法，其特征在于：所述光刻定义P型掺杂区域过程中，光刻胶的厚度为2μm-8μm。4.如权利要求1所述的碳化硅器件非合金欧姆接触的制作方法，其特征在于：所述对需要P型掺杂的区域进行离子注入的过程中，注入的离子为铝离子或硼离子，或者两种离子同时注入。5.如权利要求1所述的碳化硅器件非合金欧姆接触的制作方法，其特征在于：所示光刻定义N型掺杂区域过程中，光刻胶的厚度为2μm-8μm。6.如权利要求1所述的碳化硅器件非合金欧姆接触的制作方法，其特征在于：所述对需要N型掺杂的区域进行离子注入过程中，注入的离子为氮离子或磷离子，或者两种离子同时注入。7.如权利要求1所述的碳化硅器件非合金欧姆接触的制作方法，其特征在于：所述去除碳化硅圆片表面介质，对碳化硅圆片进行高温退火过程中，退火温度为1700℃-1900℃，时间为1分钟-30分钟。8.如权利要求1所述的碳化硅器件非合金欧姆接触的制作方法，其特征在于：所述光刻定义欧姆接触区域、在碳化硅圆片表面涂覆一层光刻胶的过程中，光刻胶厚度为1μm-10μm。9.如权利要求1所述的碳化硅器件非合金欧姆接触的制作方法，其特征在于：所述金属沉积过程中，所述多层金属为Ti/Al、Ti/Ta/Al、Ti/Pt/Au中的任一种。10.碳化硅器件，其特征在于，采用如权利要求1-9任一项所述的方法制备，包括碳化硅圆片，在所述碳化硅圆片上设有P型掺杂区域和N型掺杂区域，所述P型掺杂区域和N型掺杂区域上设有多层金属。2CN109524298A说明书1/5页碳化硅器件非合金欧姆接触的制作方法及碳化硅器件技术领域[0001]本发明属于半导体器件制作技术领域，更具体地说，是涉及一种碳化硅器件非合金欧姆接触的制作方法及碳化硅器件。背景技术[0002]近二十年来，以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为代表的宽禁带半导体材料，是继以硅(Si)、砷化镓(Ga