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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN113741071A(43)申请公布日2021.12.03(21)申请号202111017914.5(22)申请日2021.08.31(71)申请人惠科股份有限公司地址518000广东省深圳市宝安区石岩街道石龙社区工业二路1号惠科工业园厂房1栋一层至三层、五至七层,6栋七层(72)发明人黄川田尚益廖辉华李荣荣(74)专利代理机构深圳市世纪恒程知识产权代理事务所44287代理人刘瑞花(51)Int.Cl.G02F1/13(2006.01)G02F1/1333(2006.01)权利要求书2页说明书10页附图7页(54)发明名称显示面板的制造方法及显示面板(57)摘要本发明涉及显示技术领域,公开了一种显示面板的制造方法及显示面板,该方法包括:提供一彩膜基板和阵列基板,在彩膜基板上划分第一显示模式区域和第二显示模式区域,在彩膜基板的朝向阵列基板的一侧进行氧化铟锡沉积,以在第一显示模式区域和第二显示模式区域的朝向阵列基板的一侧设置氧化铟锡层,将彩膜基板与阵列基板对组成盒后形成待切割显示面板,根据第一显示模式区域和第二显示模式区域对待切割显示面板进行切割,获得不同显示模式的目标显示面板,从而能够在同一玻璃基板上制造不同显示模式的显示面板,提高显示面板的制造效率。CN113741071ACN113741071A权利要求书1/2页1.一种显示面板的制造方法,其特征在于,所述显示面板的制造方法包括以下步骤:提供一彩膜基板和阵列基板;在所述彩膜基板上划分第一显示模式区域和第二显示模式区域;在所述彩膜基板的朝向所述阵列基板的一侧进行氧化铟锡沉积,以在所述第一显示模式区域和所述第二显示模式区域的朝向所述阵列基板的一侧设置氧化铟锡层;将所述彩膜基板与阵列基板对组成盒后形成待切割显示面板;根据所述第一显示模式区域和所述第二显示模式区域对所述待切割显示面板进行切割,获得不同显示模式的目标显示面板。2.如权利要求1所述的显示面板的制造方法,其特征在于,所述在所述彩膜基板的朝向所述阵列基板的一侧进行氧化铟锡沉积,以在所述第一显示模式区域和所述第二显示模式区域的朝向所述阵列基板的一侧设置氧化铟锡层的步骤,包括:获取所述第一显示模式区域对应的第一显示模式;根据所述第一显示模式在所述彩膜基板的朝向所述阵列基板的一侧进行氧化铟锡沉积,以在所述第一显示模式区域和所述第二显示模式区域的朝向所述阵列基板的一侧设置氧化铟锡层。3.如权利要求2所述的显示面板的制造方法,其特征在于,所述根据所述第一显示模式在所述彩膜基板的朝向所述阵列基板的一侧进行氧化铟锡沉积,以在所述第一显示模式区域和所述第二显示模式区域的朝向所述阵列基板的一侧设置氧化铟锡层的步骤,包括:获取所述第一显示模式的公共电极图案;根据所述公共电极图案在所述彩膜基板的朝向所述阵列基板的一侧进行氧化铟锡沉积,以在所述第一显示模式区域和所述第二显示模式区域的朝向所述阵列基板的一侧设置氧化铟锡层。4.如权利要求1所述的显示面板的制造方法,其特征在于,所述在所述彩膜基板上划分第一显示模式区域和第二显示模式区域的步骤,包括:获取第一显示模式面积和第二显示模式面积;根据所述第一显示模式面积和所述第二显示模式面积对所述彩膜基板进行划分,获得第一显示模式区域和第二显示模式区域。5.如权利要求1‑4中任一项所述的显示面板的制造方法,其特征在于,所述第一显示模式为垂直配向型显示模式,所述第二显示模式为水平电场型显示模式。6.如权利要求5所述的显示面板的制造方法,其特征在于,所述提供一彩膜基板和阵列基板的步骤之后,还包括:在所述阵列基板上设置栅极和覆盖所述栅极的栅极绝缘层;在所述栅极绝缘层上设置有源层、源漏极以及覆盖所述有源层和所述源漏极的保护层;在所述保护层上设置彩色光阻层;在所述保护层上设置覆盖所述彩色光阻层的有机平坦层,并设置氧化铟锡电极和支撑柱。7.如权利要求6所述的显示面板的制造方法,其特征在于,所述在所述保护层上设置覆盖所述彩色光阻层的有机平坦层,并设置氧化铟锡电极和支撑柱的步骤,包括:2CN113741071A权利要求书2/2页在所述阵列基板上划分第一显示模式区域和第二显示模式区域;在所述阵列基板的第二显示模式区域对应的第二显示模式为面内开关型显示模式时,在所述阵列基板的第二显示模式区域上设置覆盖所述彩色光阻层的有机平坦层;在所述有机平坦层上设置公共氧化铟锡电极,且在有机平坦层上设置覆盖公共氧化铟锡电极的钝化层;在所述阵列基板的第一显示模式区域上设置覆盖所述彩色光阻层的有机平坦层,并在所述有机平坦层上设置钝化层;在所述钝化层上设置像素氧化铟锡电极和支撑柱。8.如权利要求6所述的显示面板的制造方法,其特征在于,所述在所述保护层上设置覆盖所述彩色光阻层的