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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN111525046A(43)申请公布日2020.08.11(21)申请号202010372471.0(22)申请日2020.05.06(71)申请人云谷(固安)科技有限公司地址065500河北省廊坊市固安新兴示范产业园区(72)发明人刘如胜李旭娜(74)专利代理机构北京东方亿思知识产权代理有限责任公司11258代理人娜拉(51)Int.Cl.H01L51/52(2006.01)H01L51/56(2006.01)H01L27/32(2006.01)H01L21/77(2017.01)权利要求书3页说明书9页附图9页(54)发明名称显示面板制造方法及显示面板(57)摘要本发明公开了一种显示面板制造方法及显示面板。本发明实施例提供一种显示面板的制造方法,包括:提供阵列基板,具有第一区域和第二区域;在阵列基板上设置第一导电层,并图案化第一导电层以形成具有第一导电图案的第一电极层;在第一电极层上至少对应第一区域形成牺牲层,并且至少在牺牲层上进一步形成中间膜层;图案化中间膜层以形成具有多个开口的像素界定层,第一电极层在阵列基板的正投影覆盖开口在阵列基板的正投影;去除开口暴露的牺牲层,以暴露至少部分第一电极层。根据本发明实施例的显示面板的制造方法,能够保护电极层在后续刻蚀工艺中不受损伤及避免有机材料残留。CN111525046ACN111525046A权利要求书1/3页1.一种显示面板的制造方法,其特征在于,包括:提供阵列基板,具有第一区域和第二区域;在所述阵列基板上设置第一导电层,并图案化所述第一导电层以形成具有第一导电图案的第一电极层;在所述第一电极层上至少对应所述第一区域形成牺牲层,并且至少在所述牺牲层上进一步形成中间膜层;图案化所述中间膜层以形成具有多个开口的像素界定层,所述第一电极层在所述阵列基板的正投影覆盖所述开口在所述阵列基板的正投影;去除所述开口暴露的所述牺牲层,以暴露至少部分所述第一电极层。2.根据权利要求1所述的显示面板的制造方法,其特征在于,所述在所述阵列基板上设置第一导电层,并图案化所述第一导电层以形成具有第一导电图案的第一电极层,包括:所述第一导电层将所述阵列基板的一侧的表面整体覆盖形成;图案化处理所述第一导电层以形成具有所述第一导电图案的所述第一电极层,其中,所述第一导电图案包括对应所述第一区域的第一子导电图案和对应所述第二区域的第二子导电图案;优选的,所述第一子导电图案和所述第二子导电图案的图案不相同。3.根据权利要求2所述的显示面板的制造方法,其特征在于,所述在所述第一电极层上至少对应所述第一区域形成牺牲层,并且至少在所述牺牲层上进一步形成中间膜层的步骤中,所述牺牲层在所述第一电极层上对应所述第一区域和所述第二区域均有形成;所述中间膜层覆盖整个所述牺牲层背向所述第一电极层一侧表面形成,所述中间膜层包括对应所述第一区域的无机区域和对应所述第二区域的有机区域;优选的,所述无机区域的光透过率大于所述有机区域的光透过率。4.根据权利要求3所述的显示面板的制造方法,其特征在于,所述图案化所述中间膜层以形成具有多个开口的像素界定层,所述第一电极层在所述阵列基板的正投影覆盖所述开口在所述阵列基板的正投影的步骤中,所述开口包括对应所述第一区域的第一开口和对应所述第二区域的第二开口,所述像素界定层包括具有多个所述第一开口的第一像素界定层和具有多个所述第二开口的第二像素界定层,其中,所述第一像素界定层由所述中间膜层的所述无机区域图案化形成,所述第二像素界定层由所述中间膜层的所述有机区域图案化形成;优选的,采用干法刻蚀工艺图案化所述无机区域的所述中间膜层。5.根据权利要求1所述的显示面板的制造方法,其特征在于,所述在所述阵列基板上设置第一导电层,并图案化所述第一导电层以形成具有第一导电图案的第一电极层,包括:所述第一导电层将所述阵列基板的一侧表面的所述第一区域覆盖形成;图案化处理所述第一导电层以形成具有所述第一导电图案的所述第一电极层。6.根据权利要求5所述的显示面板的制造方法,其特征在于,所述在所述第一电极层上至少对应所述第一区域形成牺牲层,并且至少在所述牺牲层上进一步形成中间膜层的步骤中:2CN111525046A权利要求书2/3页所述牺牲层在所述第一电极层上对应所述第一区域形成;所述中间膜层覆盖整个所述牺牲层背向所述第一电极层一侧表面形成,其中,所述中间膜层是透光的;优选的,所述牺牲层为图案化处理形成的具有镂空图案的图案化牺牲层;优选的,所述中间膜层为无机材料。7.根据权利要求6所述的显示面板的制造方法,其特征在于,所述图案化所述中间膜层以形成具有多个开口的像素界定层,所述第一电极层在所述阵列基板的正投影覆盖所述开口在所述阵列基板的正投影的步骤中