半导体器件及其制造方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN109671774A(43)申请公布日2019.04.23(21)申请号201710975386.1(22)申请日2017.10.16(71)申请人苏州能讯高能半导体有限公司地址215300江苏省苏州市昆山市玉山镇晨丰路18号(72)发明人潘盼张乃千宋晰许建华(74)专利代理机构北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙)11371代理人王术兰(51)Int.Cl.H01L29/778(2006.01)H01L21/335(2006.01)H01L29/417(2006.01)权利要求书1页说明书6页附图5页(54)发明名称半导体器件及其制造方法(57)摘要本发明实施例提供一种半导体器件及其制造方法，涉及微电子技术领域。该半导体器件包括半导体基底、源极、栅极和漏极。源极、栅极和漏极制作于所述半导体基底一侧，在源极所在区域预留有通孔区域并在该通孔区域制作有刻蚀阻挡层；位于所述刻蚀阻挡层下方设置有贯穿所述半导体基底的通孔。通过在源极中设置通孔区域，并在通孔区域内设置刻蚀阻挡层，使得在进行与源极对应的通孔刻蚀时，能减少对通孔区域源极金属的刻蚀损伤。在刻蚀过程中，可以更容易的判断刻蚀进度，降低通孔刻蚀的工艺难度。同时可以提高通孔刻蚀时的刻蚀选择比，减少刻蚀过程中刻蚀产物的数量。CN109671774ACN109671774A权利要求书1/1页1.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：半导体基底；制作于所述半导体基底一侧的源极、栅极和漏极；在形成欧姆接触的源极所在区域预留的通孔区域以及在该区域制作的刻蚀阻挡层；以及位于所述刻蚀阻挡层下方贯穿所述半导体基底的通孔。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述刻蚀阻挡层的面积小于所述预留的通孔区域的面积，所述刻蚀阻挡层与所述源极之间具有空隙，使所述源极与所述刻蚀阻挡层不直接接触。3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述源极以及所述刻蚀阻挡层上方覆盖有连通金属，使所述源极和所述刻蚀阻挡层通过该连通金属连接。4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述刻蚀阻挡层覆盖所述预留的通孔区域和源极，使所述刻蚀阻挡层与所述源极直接接触连通。5.根据权利要求1至4任意一项所述的半导体器件，其特征在于，所述预留的通孔区域在平行于所述栅极的方向上贯穿所述源极的至少一端，使该源极的至少一端呈开口状。6.根据权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，所述预留的通孔区域在平行于所述栅极的方向贯穿所述源极，使该源极两端呈开口状。7.根据权利要求1至4任意一项所述的半导体器件，其特征在于，该半导体器件在每个源极对应的区域开设多个预留的通孔区域，该多个通孔区域相互连通并在平行于栅极的方向贯穿该源极，使该源极两端呈开口状。8.根据权利要求1至4任意一项所述的半导体器件，其特征在于，所述预留的通孔区域位于所述源极内部，使所述源极没有开口。9.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述刻蚀阻挡层的面积大于所述通孔靠近所述半导体基底设置所述源极一侧的横截面的面积。10.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，该制造方法包括：提供一半导体基底；在所述半导体基底一侧制作源极、栅极和漏极，其中，在制作所述源极时，在所述源极所在区域形成预留的通孔区域，该预留的通孔区域内没有源极欧姆金属；在所述预留的通孔区域制作刻蚀阻挡层；在所述源极和刻蚀阻挡层位于所述半导体基底的同一侧制作连通金属，使所述源极和刻蚀阻挡层通过所述连通金属连接；从所述半导体基底远离所述源极的一侧，所述刻蚀阻挡层的下方刻蚀形成贯穿所述半导体基底的通孔。11.根据权利要求10所述的制造方法，其特征在于，在所述源极所在区域形成预留的通孔区域的步骤包括：在所述半导体基底一侧预先确定的预留的通孔区域的部分使用遮挡材料覆盖，然后在该侧沉积材料形成源极欧姆金属；将所述遮挡材料去除，形成所述预留的通孔区域。2CN109671774A说明书1/6页半导体器件及其制造方法技术领域[0001]本发明涉及微电子技术领域，具体而言，涉及一种半导体器件及其制造方法。背景技术[0002]氮化镓半导体材料具有禁带宽度大、电子饱和漂移速率高、击穿场强高、耐高温等显著优点，与第一代半导体硅和第二代半导体砷化镓相比，更适合于制作高温、高压、高频和大功率的电子器件，具有广阔的应用前景，已成为目前半导体行业研究的热点。[0003]氮化镓高电子迁移率晶体管(HEMT)是利用AlGaN/GaN异质结处的二维电子气形成的一种氮化镓器件，可以应用于需要高频、高压和大功率的场合。在封装氮化镓器件时，为了提高器件增益，减小接地电阻，通常采用通孔结构。这种结构的通孔通常通过从基底背面刻蚀的方式引入，并通过使基底背面