锗硅生长后氮化掩膜层的去除方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN109727855A(43)申请公布日2019.05.07(21)申请号201811630059.3(22)申请日2018.12.29(71)申请人上海华力集成电路制造有限公司地址201203上海市浦东新区康桥东路298号1幢1060室(72)发明人陆连朱轶铮(74)专利代理机构上海浦一知识产权代理有限公司31211代理人戴广志(51)Int.Cl.H01L21/28(2006.01)权利要求书1页说明书7页附图3页(54)发明名称锗硅生长后氮化掩膜层的去除方法(57)摘要本发明提供一种锗硅生长后氮化掩膜层的去除方法，在氧化膜侧壁上形成氮化膜侧墙；将光刻胶覆盖氮化膜掩膜层和氧化膜上表面；利用N型、P型多晶硅栅极的高度差，使N型多晶硅栅极上的氧化膜掩膜层和氮化膜掩膜层露出，而P型多晶硅栅极上氧化膜表面仍被光刻胶覆盖；将N型多晶硅栅极上的氧化膜以及氧化膜掩膜层去除至露出氮化膜掩膜层；P型多晶硅栅极上的氧化膜仍被光刻胶覆盖；光刻胶剥离后去除氮化掩膜层和氮化膜侧墙。由于N型多晶硅栅极氧化掩膜层已经被单独刻蚀，所以DHF刻蚀时间可以大大缩短，P型多晶硅氧化膜不会过度消耗，有利于保护P型多晶硅栅极，同时可以增加磷酸刻蚀时间，避免N型氮化掩膜层残留。CN109727855ACN109727855A权利要求书1/1页1.一种锗硅生长后氮化掩膜层的去除方法，其特征在于，提供一半导体结构，至少包括：P阱和位于P阱上的N型多晶硅栅极、所述N型多晶硅栅极上形成有氮化膜掩膜层，位于氮化膜掩膜层上的氧化膜掩膜层；所述N型多晶硅栅极、氮化膜掩膜层以及氧化膜掩膜层的侧壁具有第一氮化膜侧墙；覆盖于所述氧化膜掩膜层上表面和所述第一氮化膜侧墙外表面的氧化膜；N阱及位于N阱上的P型多晶硅栅极、所述P型多晶硅栅极侧壁形成有第一氮化膜侧墙，覆盖于所述P型多晶硅栅极上表面和所述第一氮化膜侧墙外表面的氧化膜；所述N型多晶硅栅极的高度高于所述P型多晶硅栅极的高度；形成于所述N阱中的锗硅，该方法至少包括：步骤一、在所述氧化膜侧壁上形成第二氮化膜侧墙；步骤二、涂光刻胶，将所述光刻胶覆盖所述N型多晶硅栅极和其上的氮化膜掩膜层，同时覆盖所述P型多晶硅栅极和其上的氧化膜上表面；步骤三、光刻胶回刻，利用N型多晶硅栅极与所述P型多晶硅栅极的高度差，使所述N型多晶硅栅极上的氧化膜掩膜层和氮化膜掩膜层露出，而P型多晶硅栅极上的氧化膜上表面仍被光刻胶覆盖；步骤四、将所述N型多晶硅栅极上表面的氧化膜以及氧化膜掩膜层利用刻蚀去除至露出所述氮化膜掩膜层；所述P型多晶硅栅极上的氧化膜上表面仍被光刻胶覆盖；步骤五、进行光刻胶的剥离和清洗；步骤六、去除所述N型多晶硅栅极上的氮化掩膜层和所述第二氮化膜侧墙。2.根据权利要求1所述的锗硅生长后氮化掩膜层的去除方法，其特征在于：所述P阱和N阱形成交界面，所述半导体结构还包括：形成于所述P阱和N阱中二者交界处的隔离层，位于所述隔离层上的另一N型多晶硅栅极。3.根据权利要求2所述的锗硅生长后氮化掩膜层的去除方法，其特征在于：所述锗硅形成于所述N阱中且有部分位于所述另一N型多晶硅栅极和所述P型多晶硅栅极之间。4.根据权利要求1所述的锗硅生长后氮化掩膜层的去除方法，其特征在于：所述步骤二中涂光刻胶的厚度为1000至2000埃。5.根据权利要求1所述的锗硅生长后氮化掩膜层的去除方法，其特征在于：该方法用于关键尺寸为40nm至28nm的技术。6.根据权利要求1所述的锗硅生长后氮化掩膜层的去除方法，其特征在于：该方法用于关键尺寸小于28nm的技术。7.根据权利要求1所述的锗硅生长后氮化掩膜层的去除方法，其特征在于：步骤一中在所述氧化膜侧壁上形成第二氮化膜侧墙的方法为通过淀积和刻蚀形成。8.根据权利要求1所述的锗硅生长后氮化掩膜层的去除方法，其特征在于：步骤六中去除所述氮化掩膜层的方法是通过稀氟氢酸和磷酸去除。2CN109727855A说明书1/7页锗硅生长后氮化掩膜层的去除方法技术领域[0001]本发明涉及半导体制造领域，特别是涉及一种锗硅生长后氮化掩膜层的去除方法。背景技术[0002]在半导体器件制造的现有技术中，在锗硅生长并去除P型多晶硅栅极氮化掩膜层后，先通过氮化膜淀积和刻蚀形成一道氮化膜侧墙，此时P型和N型多晶硅栅极氧化掩膜层厚度非常接近，N型处氧化掩膜层厚度略厚10A。然后采用湿法工艺，先用稀氟氢酸(DHF)去除N型多晶硅栅极上的氧化膜，然后用磷酸去除氮化掩膜层。由于DHF同时会去掉P型多晶硅栅极上的氧化膜导致P型多晶硅栅极曝露，如果DHF和磷酸时间过长，在磷酸作用下容易出现P型多晶硅栅极损伤；另外如果减少DHF的刻蚀量，由于N型多晶硅栅极处氧化掩膜层厚度比P型多晶硅栅极处厚约10A左右，容