一种薄膜电阻的制造方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN109904145A(43)申请公布日2019.06.18(21)申请号201910148584.X(22)申请日2019.02.28(71)申请人上海集成电路研发中心有限公司地址201210上海市浦东新区张江高斯路497号(72)发明人左青云(74)专利代理机构上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31275代理人吴世华张磊(51)Int.Cl.H01L23/64(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图2页(54)发明名称一种薄膜电阻的制造方法(57)摘要本发明公开了一种薄膜电阻的制造方法，包括以下步骤：步骤S01：提供一表面覆盖有绝缘层的衬底；步骤S02：在所述衬底上淀积薄膜电阻材料，并图形化薄膜电阻材料；步骤S03：在衬底和薄膜电阻材料上依次淀积金属电极材料、刻蚀停止层和硬掩膜；步骤S04：采用第一种干法刻蚀图形化硬掩膜，并去除光刻胶；步骤S05：采用第二种干法刻蚀继续图形化刻蚀停止层；步骤S06：采用湿法刻蚀继续图形化金属电极材料，形成薄膜电阻。本发明可以避免薄膜电阻的过刻蚀和金属电极的刻蚀残留问题，提高薄膜电阻的精度和可靠性。CN109904145ACN109904145A权利要求书1/1页1.一种薄膜电阻的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S01：提供一表面覆盖有绝缘层的衬底；步骤S02：在所述衬底上淀积薄膜电阻材料，并图形化薄膜电阻材料；步骤S03：在衬底和薄膜电阻材料上依次淀积金属电极材料、刻蚀停止层和硬掩膜；步骤S04：采用第一种干法刻蚀图形化硬掩膜，并去除光刻胶；步骤S05：采用第二种干法刻蚀继续图形化刻蚀停止层；步骤S06：采用湿法刻蚀继续图形化金属电极材料，形成薄膜电阻。2.根据权利要求1所述的薄膜电阻的制造方法，其特征在于，步骤S04中，所述第一种干法刻蚀为各向同性的干法刻蚀，图形化硬掩膜后，停止在下层的刻蚀停止层上，且薄膜电阻材料图形化时形成的台阶处的硬掩膜被完全刻蚀去除。3.根据权利要求1或2所述的薄膜电阻的制造方法，其特征在于，采用第一种干法刻蚀时，所述硬掩膜和刻蚀停止层之间的刻蚀选择比大于3。4.根据权利要求1所述的薄膜电阻的制造方法，其特征在于，步骤S05中，所述第二种干法刻蚀为各向同性的干法刻蚀，图形化刻蚀停止层后，停止在下层的金属电极材料上，且薄膜电阻材料图形化时形成的台阶处的刻蚀停止层被完全刻蚀去除。5.根据权利要求1或4所述的薄膜电阻的制造方法，其特征在于，采用第二种干法刻蚀时，所述刻蚀停止层和金属电极材料之间的刻蚀选择比大于10。6.根据权利要求1所述的薄膜电阻的制造方法，其特征在于，步骤S06中，所述湿法刻蚀为各向同性的湿法刻蚀。7.根据权利要求1或6所述的薄膜电阻的制造方法，其特征在于，湿法刻蚀时，湿法药液刻蚀金属电极材料对刻蚀停止层、硬掩膜和薄膜电阻材料的刻蚀选择比均大于100。8.根据权利要求1所述的薄膜电阻的制造方法，其特征在于，所述衬底为硅片；所述绝缘层为二氧化硅；所述薄膜电阻材料为掺杂的多晶硅或非晶硅；所述金属电极材料为Ti、TiN、Ta、TaN、Al或Cu，厚度为50埃-2000埃。9.根据权利要求1所述的薄膜电阻的制造方法，其特征在于，所述刻蚀停止层为SiO2或a-Si，厚度为50埃-2000埃。10.根据权利要求1所述的薄膜电阻的制造方法，其特征在于，所述硬掩膜为SiN、SiON或SiO2，厚度为100埃-2000埃。2CN109904145A说明书1/4页一种薄膜电阻的制造方法技术领域[0001]本发明涉及半导体加工制造技术领域，更具体地，涉及一种薄膜电阻的制造方法。背景技术[0002]随着现代电子设备性能要求越来越高，对芯片上元器件的性能要求也越来越苛刻。在现代大规模集成电路芯片、传感器芯片中，薄膜电阻是一种不可或缺的器件，包括芯片片上的分压电阻、热敏电阻、光敏电阻等，薄膜电阻的精度也直接影响先进芯片的精度和性能。[0003]图1为现有技术中一种薄膜电阻的主要结构示意图。如图1所示，其制造方法主要包括：[0004]首先，提供一覆盖有绝缘层的硅片作为衬底101，在衬底101上淀积薄膜电阻材料102并图形化；[0005]接着，在衬底101和薄膜电阻材料102上继续淀积金属电极材料103；[0006]最后，采用干法刻蚀图形化电极材料103，形成薄膜电阻。[0007]在该现有技术中，由于采用干法刻蚀工艺刻蚀电极材料，为了避免台阶处的金属电极残留，需要增加额外的过刻蚀量，使得薄膜电阻材料102也会被同时过刻蚀，从而影响薄膜电阻的精度，降低薄膜电阻的可靠性。发明内容[0008]本发明的目的在于克服现有技术存在的上述缺陷，提供一种薄膜电阻的制造方法，以解决现有技术中薄膜电阻材料的