存储器装置及其操作方法.pdf
沛芹****ng
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相关资料
存储器装置及其操作方法.pdf
本发明实施例揭露一种存储器装置,包括一存储器阵列、一逻辑电路、一感测放大器电路及一读取缓冲器。逻辑电路用以响应于一读取指令及一初始地址,执行一读取操作。于读取操作时,逻辑电路依据初始地址于存储器阵列中找到一目标数据。感测放大器电路用以于读取操作时,从存储器阵列中读出目标数据。读取缓冲器用以于读取操作时,缓存并输出目标数据。当一中断事件发生于读取操作期间,读取缓冲器保留读取缓冲器的一缓存内容,且逻辑电路记录一读取状态。
存储器装置及其操作方法.pdf
本申请公开了存储器装置及其操作方法。本公开涉及一种包括多个存储器单元的存储器装置。该存储器装置还包括外围电路,该外围电路被配置为执行将数据存储在所述多个存储器单元中的编程操作,该编程操作包括多个编程循环,各个编程循环包括将编程电压施加到共同连接到所述多个存储器单元的所选字线的操作以及施加分别与所述多个存储器单元的目标编程状态对应的多个验证电压当中的至少一个验证电压的验证操作。该存储器装置另外包括控制逻辑,该控制逻辑被配置为控制外围电路以使得在编程操作期间所述至少一个验证电压根据所述多个编程循环中的编程循环
半导体存储器装置及其操作方法.pdf
本发明提供一种操作速度提高的半导体存储器装置及操作该半导体存储器装置的方法。半导体存储器装置可以包括存储器单元阵列、外围电路和控制逻辑。存储器单元阵列可以包括多个存储块。外围电路可以对存储器单元阵列执行读取操作。控制逻辑可以控制外围电路的操作。控制逻辑可以控制外围电路对多个存储块中的选择的存储块执行修复列屏蔽操作,对包括在选择的存储块中的第一漏极选择晶体管执行第一测试操作,并且在保留修复列屏蔽操作的结果的同时,对与第一漏极选择晶体管不同的第二漏极选择晶体管执行第一测试操作。
非易失性存储器及其操作方法以及电子装置.pdf
一种非易失性存储器,包括:多个块,每一个块包括多个页,每一页包括多个存储器单元;以及控制器,用于执行:接收对所述多个块中的目标块的擦除指令;对所述目标块的每一页执行读取操作;以及以根据每一页的读取操作的读取结果决定的该页的字线电压执行擦除操作。还提供一种非易失性存储器的操作方法以及电子装置。
存储器装置及其制造方法和操作方法.pdf
本发明公开了一种具有具非矩形横截面存储器装置及其制造方法和操作方法。非矩形横截面可为反T型、梯形形状或双反T型。公开了一种用于生产归因于浮置栅极的增加的表面积而具有改良耦合比率的浮置栅极存储器装置的方法。存储器装置具有具诸如反T型的横截面形状的浮置栅极,以使得顶部轮廓不为平直线段。