非易失性存储器及其操作方法以及电子装置.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN114138170A(43)申请公布日2022.03.04(21)申请号202010918881.0(22)申请日2020.09.04(71)申请人北京兆易创新科技股份有限公司地址100083北京市海淀区学院路30号科大天工大厦A座12层(72)发明人陈敏怡(74)专利代理机构上海翼胜专利商标事务所(普通合伙)31218代理人翟羽(51)Int.Cl.G06F3/06(2006.01)权利要求书4页说明书11页附图6页(54)发明名称非易失性存储器及其操作方法以及电子装置(57)摘要一种非易失性存储器，包括：多个块，每一个块包括多个页，每一页包括多个存储器单元；以及控制器，用于执行：接收对所述多个块中的目标块的擦除指令；对所述目标块的每一页执行读取操作；以及以根据每一页的读取操作的读取结果决定的该页的字线电压执行擦除操作。还提供一种非易失性存储器的操作方法以及电子装置。CN114138170ACN114138170A权利要求书1/4页1.一种非易失性存储器，其特征在于，包括：多个块，每一个块包括多个页，每一页包括多个存储器单元；以及控制器，用于执行：接收对所述多个块中的目标块的擦除指令；对所述目标块的每一页执行读取操作；以及以根据每一页的读取操作的读取结果决定的该页的字线电压执行擦除操作。2.根据权利要求1所述的非易失性存储器，其特征在于，对所述目标块的每一页执行读取操作包括：依次向所述目标块的所述多个页的字线施加第一读取电压，进而区分未编程页及已编程页。3.根据权利要求2所述的非易失性存储器，其特征在于，以根据每一页的读取操作的读取结果决定的该页的字线电压执行擦除操作包括：向所述未编程页的字线施加第一电压；以及向所述编程页的字线施加第二电压，其中，所述第一电压大于所述第二电压。4.根据权利要求1所述的非易失性存储器，其特征在于，对所述目标块的每一页执行读取操作包括：向所述目标块的每个页的字线施加第一读取电压，进而区分未编程页及已编程页；以及向所述已编程页的字线施加第二读取电压，进而确定该页中阈值电压超过所述第二读取电压的存储器单元的数量Y。5.根据权利要求4所述的非易失性存储器，其特征在于，以根据每一页的读取操作的读取结果决定的该页的字线电压执行擦除操作包括：向所述未编程页的字线电压施加第一电压。6.根据权利要求4所述的非易失性存储器，其特征在于，以根据每一页的读取操作的读取结果决定的该页的字线电压执行擦除操作包括：当所述已编程页的存储器单元的阈值电压都没有超过所述第二读取电压时，向该页的字线施加第二电压。7.根据权利要求4所述的非易失性存储器，其特征在于，以根据每一页的读取操作的读取结果决定的该页的字线电压执行擦除操作包括：当所述已编程页的处于编程状态的存储器单元的数量为X，且Y与X的比值小于预定比值时，向该页的字线电压施加第三电压。8.根据权利要求4所述的非易失性存储器，其特征在于，以根据每一页的读取操作的读取结果决定的该页的字线电压执行擦除操作包括：当所述已编程页的处于编程状态的存储器单元的数量为X，且Y与X的比值大于或等于预定比值时，向该页的字线电压施加第四电压。9.根据权利要求4所述的非易失性存储器，其特征在于，以根据每一页的读取操作的读取结果决定的该页的字线电压执行擦除操作包括：当所述已编程页中阈值电压超过所述第二读取电压的存储器单元的数量Y小于预定数2CN114138170A权利要求书2/4页量时，向该页的字线电压施加第三电压。10.根据权利要求4所述的非易失性存储器，其特征在于，以根据每一页的读取操作的读取结果决定的该页的字线电压执行擦除操作包括：当所述已编程页中阈值电压超过所述第二读取电压的存储器单元的数量Y大于或等于预定数量时，向该页的字线电压施加第四电压。11.根据权利要求9或10所述的非易失性存储器，其特征在于，所述预定数量根据所述目标块中的存储器单元的数量或者每页中的存储器单元的数量确定。12.根据权利要求9或10所述的非易失性存储器，其特征在于，所述预定数量等于所述目标块中阈值电压超过所述第二读取电压的存储器单元的总数量除以所述目标块中页的数量。13.根据权利要求9或10所述的非易失性存储器，其特征在于，所述预定数量等于所述目标块中阈值电压超过所述第二读取电压的存储器单元的总数量除以所述目标块中包含了阈值电压超过所述第二读取电压的存储器单元的页的数量。14.根据权利要求1-10任一项所述的非易失性存储器，其特征在于，在执行所述擦除操作之后，所述控制器进一步用于执行：验证所述擦除操作；以及响应于所述擦除操作为失败，执行再次擦除操作。15.根据权利要求14所述的非易失性存储器，其特征在于，在所述再次擦除操作中，在所述目标块的