一种LED器件及其制造方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN110021692A(43)申请公布日2019.07.16(21)申请号201810018121.7(22)申请日2018.01.09(71)申请人黎子兰地址412300湖南省株洲市攸县城关镇百花社区接龙桥巷30号(72)发明人黎子兰(74)专利代理机构北京天驰君泰律师事务所11592代理人孟锐(51)Int.Cl.H01L33/46(2010.01)H01L33/48(2010.01)H01L33/50(2010.01)H01L33/00(2010.01)权利要求书1页说明书7页附图9页(54)发明名称一种LED器件及其制造方法(57)摘要本发明涉及一种LED器件及其制造方法。该LED器件的制造方法，包括：在外延片上设置P-电极，其中外延片包括衬底、电子传输层、辐射层和空穴传输层；移除部分空穴传输层和辐射层，并在曝露出的电子传输层上设置N-电极；部分移除衬底，保留至少部分被移除的空穴传输层和辐射层区域的衬底；以及在经部分移除的衬底中填充透明材料。CN110021692ACN110021692A权利要求书1/1页1.一种LED器件的制造方法，包括：在外延片上设置P-电极，其中外延片包括衬底、电子传输层、辐射层和空穴传输层；移除部分空穴传输层和辐射层，并在曝露出的电子传输层上设置N-电极；部分移除衬底，保留被移除的空穴传输层和辐射层区域或其一部分对应的衬底；以及在经部分移除的衬底中填充透明材料。2.根据权利要求1所述的方法，进一步包括在移除部分空穴传输层和辐射层之后，移除部分电子传输层。3.根据权利要求1所述的方法，其中填充透明材料中包括光转换材料。4.根据权利要求1所述的方法，其中保留的衬底位于LED器件的周围。5.根据权利要求4所述的方法，其中所述方法进一步包括在填充的透明材料上施加光转换材料。6.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：在填充透明材料之前，在经部分移除的衬底空洞的侧面设置反射层。7.一种LED器件，包括：衬底；衬底上方的依次设置的电子传输层、辐射层和空穴传输层，其中辐射层和空穴传输层被部分移除以曝露电子传输层，其中，衬底中填充透明材料；P-电极，其设置在空穴传输层上；以及N-电极，其设置在经曝露的电子传输层上。8.根据权利要求7所述的LED器件，其中衬底中形成的反射杯。9.根据权利要求7所述的LED器件，其中衬底是Si衬底。10.根据权利要求7所述的LED器件，其中衬底在经部分移除的辐射层和空穴传输层区域或其一部分上。11.根据权利要求7所述的LED器件，其中经填充的透明材料中包括光转换物质。12.根据权利要求7所述的LED器件，其中衬底位于LED器件的周围。13.根据权利要求12所述的LED器件，进一步包括经填充的透明材料和衬底上方的光转换物质层，其中经填充的透明材料中不包括光转换物质。14.一种LED器件的封装方法，包括：提供基板或PCB板，其包括多个触点；以及将如权利要求1-6中任一方法制造的LED器件或者如权利要求7-13中任一的LED器件以倒装芯片的方式或贴片方式安装到基板或PCB板上。15.根据权利要求14所述的方法，进一步包括在在如权利要求1-6中任一方法制造的LED器件或者如权利要求7-12的LED器件上施加光转换物质。16.一种照明装置，包括一个或多个如权利要求1-6中任一的LED器件，或者如权利要求7-13中任一的LED器件，或者采用如权利要求14或15中任一的方法封装的LED器件。2CN110021692A说明书1/7页一种LED器件及其制造方法技术领域[0001]本发明涉及LED技术领域，特别地涉及一种LED及其制造方法。背景技术[0002]基于包括氮化铝(AlN)、氮化镓(GaN)、氮化铟(InN)等化合物半导体及其多元化合物(AlInGaN)的III/V族氮化物半导体的LED已经在世界范围内推广使用。相比于普通的白炽灯，LED光源能够节能大约80％，是非常理想的节能产品。然而，制约LED全面取代白炽灯还存在一些困难。这其中一个重要的方面是现有的LED成本仍然较高。因此，如何降低LED的成本是本领域研究的重要方向之一。发明内容[0003]针对现有技术中存在的技术问题，本发明提出了一种LED器件的制造方法，包括：在外延片上设置P-电极，其中外延片包括衬底、电子传输层、辐射层和空穴传输层；移除部分空穴传输层和辐射层，并在曝露出的电子传输层上设置N-电极；部分移除衬底，保留被移除的空穴传输层和辐射层区域或其一部分对应的衬底；以及在经部分移除的衬底中填充透明材料。[0004]如上所述的方法，进一步包括在移除部分空穴传输层和辐射层之后，移除部分电子传输层。[0005]如上所述的方法，其中填充透明材料中包括光转换材料。