一种闪存器件及其制造方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN110047943A(43)申请公布日2019.07.23(21)申请号201910394766.5(22)申请日2019.05.13(71)申请人武汉新芯集成电路制造有限公司地址430205湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号(72)发明人罗清威李赟周俊(74)专利代理机构北京集佳知识产权代理有限公司11227代理人党丽王宝筠(51)Int.Cl.H01L29/788(2006.01)H01L21/336(2006.01)H01L27/11521(2017.01)权利要求书2页说明书7页附图5页(54)发明名称一种闪存器件及其制造方法(57)摘要本发明提供了一种闪存器件的制造方法，衬底上形成有浮栅层以及浮栅层上的图案化的栅堆叠层，栅堆叠层包括依次层叠的隔离层和控制栅，栅堆叠层一侧为擦除栅区，另一侧为字线区，在栅堆叠层的侧壁上可以形成侧墙，沿横向去除字线区的部分厚度的侧墙，使字线区的侧墙和擦除栅区的侧墙厚度不一致，以侧墙及栅堆叠层为掩蔽，进行浮栅层的刻蚀，以形成浮栅，沿横向去除擦除栅区部分厚度的侧墙，这样，得到的浮栅层在擦除栅区保留较多且伸出侧墙一部分，从而得到非对称结构的浮栅层，简化形成浮栅的工艺流程，降低器件的制造成本。CN110047943ACN110047943A权利要求书1/2页1.一种闪存器件的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上形成有浮栅层，所述浮栅层上形成有图案化的栅堆叠层，所述栅堆叠层包括依次层叠的隔离层和控制栅，所述栅堆叠层一侧为擦除栅区、另一侧为字线区；在所述栅堆叠层的侧壁上形成侧墙；沿横向去除所述字线区部分厚度的侧墙；以侧墙及所述栅堆叠层为掩蔽，进行所述浮栅层的刻蚀，以形成浮栅；沿横向去除所述擦除栅区部分厚度的侧墙。2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述栅堆叠层还包括：所述控制栅上的第一保护层。3.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，在形成侧墙之前，还包括：沉积第二保护层，所述第二保护层在去除所述字线区部分厚度的侧墙的工艺中具有刻蚀选择性；则，所述以侧墙及所述栅堆叠层为掩蔽，进行所述浮栅层的刻蚀，包括：以侧墙及所述栅堆叠层为掩蔽，进行所述浮栅层以及所述第二保护层的刻蚀；在沿横向去除所述擦除栅区部分厚度的侧墙之后，还包括：去除所述擦除栅区一侧未被侧墙覆盖的第二保护层。4.根据权利要求3所述的制造方法，其特征在于，所述第一保护层包括氮化硅层，所述第二保护层的材料包括氧化硅，所述侧墙的材料包括氮化硅。5.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述沿横向去除所述字线区部分厚度的侧墙，包括：在所述擦除栅区以及所述擦除栅区侧的侧墙及部分栅堆叠层上形成第一掩膜层；采用干法刻蚀，沿横向去除所述字线区部分厚度的侧墙；去除所述第一掩膜层。6.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述沿横向去除所述擦除栅区部分厚度的侧墙，包括：在所述字线区以及所述字线区侧的侧墙及部分栅堆叠层上形成第二掩膜层；采用干法刻蚀，沿横向去除所述擦除栅区部分厚度的侧墙；去除所述第二掩膜层。7.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述浮栅层与衬底之间还形成有栅介质层。8.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述浮栅层和所述控制栅的材料为多晶硅，所述隔离层为依次层叠的氧化硅、氮化硅和氧化硅的叠层。9.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，还包括：形成隧穿氧化物层，所述隧穿氧化物层覆盖所述擦除栅区一侧浮栅暴露的表面；在所述擦除栅区上、所述隧穿氧化物层上形成擦除栅，以及在所述字线区形成字线。10.一种闪存器件，其特征在于，包括：衬底；所述衬底上的浮栅，所述浮栅一侧为擦除栅区、另一侧为字线区；所述浮栅上的栅堆叠层以及所述栅堆叠层侧壁上的侧墙，所述栅堆叠层包括依次层叠2CN110047943A权利要求书2/2页的隔离层和控制栅，其中，所述字线区一侧的浮栅由所述栅堆叠层以及所述侧墙覆盖且所述擦除栅区一侧的浮栅延伸至所述栅堆叠层以及所述侧墙之外。11.根据权利要求10所述的闪存器件，其特征在于，还包括：第二保护层，所述第二保护层覆盖所述栅堆叠层的侧壁以及上表面、并延伸至所述侧墙下且被所述侧墙覆盖。3CN110047943A说明书1/7页一种闪存器件及其制造方法技术领域[0001]本发明涉及半导体器件及其制造领域，特别涉及一种闪存器件及其制造方法。背景技术[0002]随着半导体技术的不断发展，存储器得到了广泛的应用。浮栅型闪存是一种非易失性存储器，具有集成度高、存储速度快、易于擦除和重写等优点。分立栅的闪存器件是浮栅型闪存中的一种，具有编程电压低、编程效率高的优点，在分立栅的闪存器件中，浮栅为非对称结构，一侧的浮栅伸出侧墙一部分，该侧浮栅