柔性声电基板及其制备方法、柔性声电装置.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN110112284A(43)申请公布日2019.08.09(21)申请号201910447022.5(22)申请日2019.05.27(71)申请人京东方科技集团股份有限公司地址100015北京市朝阳区酒仙桥路10号(72)发明人韩艳玲董学王海生刘英明赵利军郭玉珍李佩笑姬雅倩张晨阳李秀锋(74)专利代理机构北京安信方达知识产权代理有限公司11262代理人曲鹏解婷婷(51)Int.Cl.H01L41/22(2013.01)H01L41/09(2006.01)权利要求书2页说明书11页附图10页(54)发明名称柔性声电基板及其制备方法、柔性声电装置(57)摘要本发明实施例提供一种柔性声电基板及其制备方法、柔性声电装置。柔性声电基板的制备方法包括：形成柔性基底；在所述柔性基底上形成规则排布的多个压电组件；采用感应耦合等离子体刻蚀所述柔性基底，形成与所述多个压电组件一一对应的腔室。本发明通过感应耦合等离子体刻蚀方式在柔性基底内形成腔室，腔室的刻蚀均匀性好，无刻蚀残留，易于工艺实现，有效解决了现有方法存在良品率低、工艺实现复杂等缺陷。CN110112284ACN110112284A权利要求书1/2页1.一种柔性声电基板的制备方法，其特征在于，包括：形成柔性基底；在所述柔性基底上形成规则排布的多个压电组件；采用感应耦合等离子体刻蚀所述柔性基底，形成与所述多个压电组件一一对应的腔室。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，形成柔性基底，包括：在玻璃载板上形成第一柔性层；在所述第一柔性层上形成掩膜层，所述掩膜层用于在采用感应耦合等离子体刻蚀时作为形成腔室的硬掩膜；依次形成第二柔性层、阻挡层和第三柔性层，形成所述柔性基底。3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，采用感应耦合等离子体刻蚀所述柔性基底，形成与所述多个压电组件一一对应的腔室，包括：剥离玻璃载板；采用感应耦合等离子体刻蚀掉所述第一柔性层，以所述掩膜层作为硬掩膜蚀继续刻蚀未被所述掩膜层遮挡的第二柔性层，直到刻蚀到所述阻挡层，形成与所述多个压电组件一一对应的腔室。4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，形成柔性基底，包括：提供第一柔性薄膜、阻挡层和第二柔性薄膜；将第一柔性薄膜和第二柔性薄膜通过所述阻挡层相贴合，所述阻挡层设置在所述第一柔性薄膜与第二柔性薄膜之间，形成所述柔性基底。5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，采用感应耦合等离子体刻蚀所述柔性基底，形成与所述多个压电组件一一对应的腔室，包括：在所述第一柔性薄膜一侧设置掩膜板；采用感应耦合等离子体刻蚀未被所述掩膜板遮挡的第一柔性薄膜，直到刻蚀到所述阻挡层，形成与所述多个压电组件一一对应的腔室。6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，形成柔性基底，包括：在玻璃载板上通过涂覆固化成膜方式形成第一柔性薄膜；在所述第一柔性薄膜通过沉积方式形成阻挡层；在所述阻挡层上通过涂覆固化成膜方式形成第二柔性薄膜。7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，采用感应耦合等离子体刻蚀所述柔性基底，形成与所述多个压电组件一一对应的腔室，包括：剥离玻璃载板；在所述第一柔性薄膜一侧设置掩膜板；采用感应耦合等离子体刻蚀未被所述掩膜板遮挡的第一柔性薄膜，直到刻蚀到所述阻挡层，形成与所述多个压电组件一一对应的腔室。8.根据权利要求2～7任一所述的制备方法，其特征在于，所述阻挡层的材料包括氧化硅SiOx或单晶硅a-Si，所述压电层的材料包括锆钛酸铅压电陶瓷复合晶体PZT、氧化锌ZnO或聚偏氟乙烯PVDF，所述第一柔性层、第二柔性层、第三柔性层、第一柔性薄膜和第二柔性薄膜的材料包括聚酰亚胺PI。2CN110112284A权利要求书2/2页9.根据权利要求1～7任一所述的制备方法，其特征在于，在所述柔性基底上形成规则排布的多个压电组件，包括：在所述柔性基底上形成多个包括下电极、压电层和上电极的压电组件；或者，在所述柔性基底上形成多个包括下电极、绝缘层、压电层和上电极的压电组件。10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，在所述柔性基底上形成下电极时，同时在绑定区域形成一个或多个上电极焊盘和下电极焊盘，所述下电极焊盘与下电极连接；在所述下电极上形成压电层时，在所述压电层上形成暴露出所述一个或多个上电极焊盘的过孔；在所述压电层上形成规则排布的多个块状上电极时，多个上电极按列或按行通过电极线依次连接，且所述电极线通过所述过孔与上电极焊盘连接。11.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，在所述柔性基底上形成规则排布的多个块状下电极时，同时形成电极线，且在绑定区域形成一个或多个上电极焊盘和下电极焊盘；其中，多个下电极按列或按行通过电极线依次连接，且所述电极线与下电极焊盘