使用热转印膜制备有机发光二极管的方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN110289359A(43)申请公布日2019.09.27(21)申请号201810284121.1(22)申请日2018.04.02(30)优先权数据1071093252018.03.19TW(71)申请人谦华科技股份有限公司地址中国台湾新竹市工业东四路10号1、2楼(72)发明人施宏欣(74)专利代理机构北京中原华和知识产权代理有限责任公司11019代理人寿宁张华辉(51)Int.Cl.H01L51/50(2006.01)H01L51/52(2006.01)H01L51/00(2006.01)权利要求书2页说明书7页附图3页(54)发明名称使用热转印膜制备有机发光二极管的方法(57)摘要本发明是有关一种使用热转印膜制备有机发光二极管的方法，藉由热转印的技术，加热转印热转印膜上的第一转印层至基板上。以改善传统制备有机发光二极管的真空蒸镀制程中的复杂制程，以及真空蒸镀过后，基板上只能保留不到50％材料，因而材料的使用效率不高的问题。CN110289359ACN110289359A权利要求书1/2页1.一种使用热转印膜制备有机发光二极管的方法，其特征在于，其步骤包含：取一热转印膜，该热转印膜的结构由上往下依序为一耐热层、一基底层、一功能层及一第一转印层；取一基板，该基板放置于该热转印膜的下方；以及加热该热转印膜并转印该第一转印层于该基板，同时移除该耐热层、该基底层及该功能层。2.如权利要求1所述的使用热转印膜制备有机发光二极管的方法，其特征在于，其中该耐热层的组成包含一硬脂酸镁、一酸式磷酸硬脂基酯锌盐及一醋酸丙酸纤维素。3.如权利要求1所述的使用热转印膜制备有机发光二极管的方法，其特征在于，其中该耐热层的厚度范围为0.1~3um。4.如权利要求1所述的使用热转印膜制备有机发光二极管的方法，其特征在于，其中该基底层选自于一聚对苯二甲酸乙二醇酯、一聚酰亚胺及一聚萘二甲酸乙二醇酯所组成的群组的其中之一或其组合。5.如权利要求1所述的使用热转印膜制备有机发光二极管的方法，其特征在于，其中该基底层的厚度范围为2~100um。6.如权利要求1所述的使用热转印膜制备有机发光二极管的方法，其特征在于，其中该功能层选自于一银金属、一铝金属及一镁金属所组成的群组的其中之一或其组合。7.如权利要求1所述的使用热转印膜制备有机发光二极管的方法，其特征在于，其中该功能层选自于一三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、一聚乙烯醇缩丁醛、一季戊四醇四硝酸酯、一2,4,6-三硝基甲苯、一压克力树酯、一环氧树酯、一纤维素树酯、一聚乙烯醇缩丁醛树酯及一聚氯乙烯树酯所组成的群组的其中之一或其组合。8.如权利要求1所述的使用热转印膜制备有机发光二极管的方法，其特征在于，其中该功能层的厚度范围为0.3~10um。9.如权利要求1所述的使用热转印膜制备有机发光二极管的方法，其特征在于，其中该第一转印层进一步包含一第二转印层，该第二转印层位于该第一转印层的上。10.如权利要求9所述的使用热转印膜制备有机发光二极管的方法，其特征在于，其中该第一转印层与该第二转印层选自于一电洞注入材料、一电洞传输材料、一红蓝绿发光材料、一电子传输材料、一电子注入材料、一金属奈米材料、一奈米碳管导电材料所组成的群组的其中之一或其组合。11.如权利要求9所述的使用热转印膜制备有机发光二极管的方法，其特征在于，其中该第一转印层与该第二转印层选自于一芳香胺(arylamines)有机材料、一离聚物的聚合物、一P-dopant材料、一苯基芳基胺(Phenylarylamines)有机材料、一荧光有机材料、一磷光有机材料、一含热活化型延迟荧光(TADF)的有机材料、一重金属错合物有机材料、一有机多苯环材料、一多环芳香族碳氢化合物材料(polycyclicaromatichydrocarbon)、一蓝色发光材料、一绿色发光材料、一红色发光材料、一有机杂环材料、一恶二唑(oxadiazole)衍生物材料、一金属螯合物材料、一唑基(azole-based)衍生物材料、一喹啉(quinolone)衍生物材料、一喹喔啉(quinoxaline)衍生物材料、一二氮葱(Anthrazoline)衍生物材料、一邻二氮菲(Phenanthrolines)衍生物材料、一噻咯(Siloles)衍生物材料、一氟化苯衍生物材料、一N-dopant材料、一金属、一合金、一金属错合物、一金属化合物、一金属氧化物、一电2CN110289359A权利要求书2/2页致发光材料及一电活性材料所组成的群组的其中之一或其组合。12.如权利要求9所述的使用热转印膜制备有机发光二极管的方法，其特征在于，其中该第一转印层与该第二转印层的厚度范围为20~200nm。13.如权利要求9所述的使用