使用热转印膜连续制备有机发光二极管的方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN110323361A(43)申请公布日2019.10.11(21)申请号201810411566.1(22)申请日2018.05.02(30)优先权数据1071115282018.03.31TW(71)申请人谦华科技股份有限公司地址中国台湾新竹市工业东四路10号1、2楼(72)发明人施宏欣(74)专利代理机构北京中原华和知识产权代理有限责任公司11019代理人寿宁张华辉(51)Int.Cl.H01L51/56(2006.01)H01L51/50(2006.01)权利要求书3页说明书9页附图7页(54)发明名称使用热转印膜连续制备有机发光二极管的方法(57)摘要本发明是有关一种使用热转印膜连续制备有机发光二极管的方法，藉由热转印的技术，将依序设置于热转印膜上的转印层(单层、两层或多层)加热，并转印至基板上。以改善传统制备有机发光二极管的真空蒸镀制程中的复杂制程，以及真空蒸镀过后，基板上只能保留不到50％材料，因而材料的使用效率不高的问题。CN110323361ACN110323361A权利要求书1/3页1.一种使用热转印膜连续制备有机发光二极管的方法，其特征在于，其步骤包含：取一第一热转印膜及一第二热转印膜，该第一热转印膜的结构由上往下依序为一第一耐热层、一第一基底层、一第一功能层及一第一转印层，该第二热转印膜的结构由上往下依序为一第二耐热层、一第二基底层、一第二功能层及一第二转印层；取一基板，该基板放置于该第一热转印膜的下方；加热该第一热转印膜并转印该第一转印层于该基板之上；移动该基板，该基板移动至于该第二热转印膜的下方；以及加热该第二热转印膜并转印该第二转印层于该基板的该第一转印层之上。2.如权利要求1所述的使用热转印膜连续制备有机发光二极管的方法，其特征在于，其中于取一第一热转印膜及一第二热转印膜的步骤中，进一步包含步骤：涂布一耐热层溶液于该第一基底层的一第一表面形成该第一耐热层；涂布一功能层溶液于该第一基底层的一第二表面形成该第一功能层，该第一功能层的一第三表面位于该第二表面之上；进行一设置制程，该第一转印层设置于该第一功能层的一第四表面；以及形成该第一热转印膜。3.如权利要求1所述的使用热转印膜连续制备有机发光二极管的方法，其特征在于，其中于取一第一热转印膜及一第二热转印膜的步骤中，进一步包含步骤：涂布一耐热层溶液于该第二基底层的一第一表面形成该第二耐热层；涂布一功能层溶液于该第二基底层的一第二表面形成该第二功能层，该第二功能层的一第三表面位于该第二表面之上；进行一设置制程，该第二转印层设置于该第二功能层的一第四表面；以及形成该第二热转印膜。4.如权利要求1所述的使用热转印膜连续制备有机发光二极管的方法，其特征在于，其中该第一热转印膜与该第二热转印膜相连接。5.如权利要求1所述的使用热转印膜连续制备有机发光二极管的方法，其特征在于，其中该第一耐热层与该第二耐热层的组成包含一硬脂酸镁、一酸式磷酸硬脂基酯锌盐及一醋酸丙酸纤维素。6.如权利要求1所述的使用热转印膜连续制备有机发光二极管的方法，其特征在于，其中该第一耐热层与该第二耐热层的厚度范围为0.1~3um。7.如权利要求1所述的使用热转印膜连续制备有机发光二极管的方法，其特征在于，其中该第一基底层与该第二基底层选自于一聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、一聚酰亚胺(PI)及一聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)所组成的群组的其中之一或其组合。8.如权利要求1所述的使用热转印膜连续制备有机发光二极管的方法，其特征在于，其中该第一基底层与该第二基底层的厚度范围为2~100um。9.如权利要求1所述的使用热转印膜连续制备有机发光二极管的方法，其特征在于，其中该第一功能层与该第二功能层选自于一银金属、一铝金属及一镁金属所组成的群组的其中之一或其组合。10.如权利要求1所述的使用热转印膜连续制备有机发光二极管的方法，其特征在于，其中该第一功能层与该第二功能层选自于一三羟甲基丙烷三丙烯酸酯(TMPTA)、一聚乙烯2CN110323361A权利要求书2/3页醇缩丁醛(Polyvinylbutyral)、一季戊四醇四硝酸酯(pentaerythritoltetranitrate)、一2,4,6-三硝基甲苯(trinitiotoluene)、一压克力树酯、一环氧树酯、一纤维素树酯、一聚乙烯醇缩丁醛(PVB)树酯及一聚氯乙烯(PVC)树酯所组成的群组的其中之一或其组合。11.如权利要求1所述的使用热转印膜连续制备有机发光二极管的方法，其特征在于，其中该第一功能层与该第二功能层的厚度范围为0.3~10um。12.如权利要求1所述的使用热转印膜连续制备有机发光二极管的方法，其特征在于，其中该第一转印层与该第二转印层选自于一电洞注