一种有机膜基板制备方法、有机膜基板以及显示面板.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN107093562A(43)申请公布日2017.08.25(21)申请号201710352591.2(22)申请日2017.05.18(71)申请人京东方科技集团股份有限公司地址100015北京市朝阳区酒仙桥路10号申请人重庆京东方光电科技有限公司(72)发明人李云泽杨妮齐智坚李少茹(74)专利代理机构北京同达信恒知识产权代理有限公司11291代理人郭润湘(51)Int.Cl.H01L21/56(2006.01)H01L27/12(2006.01)H01L21/027(2006.01)H01L21/77(2017.01)权利要求书2页说明书5页附图3页(54)发明名称一种有机膜基板制备方法、有机膜基板以及显示面板(57)摘要本发明涉及显示装置制备技术领域，公开了一种有机膜基板制备方法、有机膜基板以及显示面板，该有机膜基板制备方法，包括：在衬底基板上形成结构器件层，在结构器件层上形成钝化层；在钝化层上形成有机膜层、并通过构图工艺形成有机膜层图案；在有机膜层上涂覆光刻胶涂层，并采用半曝光工艺对光刻胶涂层进行曝光显影处理。采用上述有机膜基板制备方法制备有机膜产品，既可以节省一道构图工序，降低成本，又可以避免有机膜层受损，保持有机膜层原位膜面，以及使焊接电极处留有钝化层得到保护，有利于改善焊接电极腐蚀，提升产品的良率及信赖性。CN107093562ACN107093562A权利要求书1/2页1.一种有机膜基板制备方法，其特征在于，所述方法包括：在衬底基板上形成结构器件层，所述结构器件层包括有效显示区域和周边焊接区域；在所述结构器件层上形成钝化层；在所述钝化层上形成有机膜层、并通过构图工艺形成有机膜层图案；在所述有机膜层上涂覆光刻胶涂层，并采用半曝光工艺对所述光刻胶涂层进行曝光显影处理，其中，对所述光刻胶涂层进行曝光显影处理时，对所述光刻胶涂层中在所述有效显示区域以及所述周边焊接区域内需要对所述钝化层进行刻蚀的部位全部去除，并且对所述光刻胶涂层与所述有机膜层上需要形成电极的部位进行部分去除；对所述钝化层进行刻蚀、且在对所述钝化层进行刻蚀过程中利用刻蚀余量将光刻胶涂层中的部分去除部位剩余的光刻胶损伤去除。2.根据权利要求1所述的有机膜基板制备方法，其特征在于，所述光刻胶涂层包括正性光刻胶涂层，在所述有机膜层上涂覆所述正性光刻胶涂层，对所述正性光刻胶涂层进行曝光显影时，对所述正性光刻胶涂层中在所述有效显示区域以及周边焊接区域内需要对所述钝化层进行刻蚀的部位进行全曝光，并且对所述正性光刻胶涂层与所述有机膜层上需要形成电极的部位进行半曝光。3.根据权利要求1所述的有机膜基板制备方法，其特征在于，所述光刻胶涂层包括负性光刻胶涂层，在所述有机膜层上涂覆所述负性光刻胶涂层，对所述负性光刻胶进行曝光显影处理时，对所述负性光刻胶涂层中在所述有效显示区域以及所述周边焊接区域内需要对所述钝化层进行刻蚀的部分全部遮挡，并且对所述负性光刻胶涂层与所述有机膜层上需要形成电极的部位进行半遮挡，以及对所述负性光刻胶涂层的其余部位进行全曝光。4.根据权利要求1所述的有机膜基板制备方法，其特征在于，所述结构器件层包括依次形成于衬底基板上的栅极、栅绝缘层、有源层、源漏电极。5.根据权利要求4所述的有机膜基板制备方法，其特征在于，所述在衬底基板上形成结构器件层，包括：在衬底基板上形成栅极金属层，并通过一次构图工艺形成栅极图案；在所述栅极图案上形成栅绝缘层；在所述栅绝缘层上形成半导体层及源漏电极金属层，并且通过构图工艺形成有源层图案及源漏电极图形。6.根据权利要求1所述的有机膜基板制备方法，其特征在于，在所述结构器件层上形成钝化层之后、且在所述钝化层上形成有机膜层之前，还包括：在所述钝化层上形成彩色滤光层图层，并通过一次构图工艺形成彩色滤光层图案。7.根据权利要求1所述的有机膜基板制备方法，其特征在于，在所述对钝化层进行刻蚀之后，还包括：在所述光刻胶涂层上形成电极层，并通过一次构图工艺形成电极图形；剥离剩余的光刻胶。8.根据权利要求7所述的有机膜基板制备方法，其特征在于，所述电极图形包括像素电极。9.一种有机膜基板，其特征在于，所述有机膜基板采用如权利要求1-8任一项所述的有机膜基板制备方法制备而成。2CN107093562A权利要求书2/2页10.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求9所述的有机膜基板。3CN107093562A说明书1/5页一种有机膜基板制备方法、有机膜基板以及显示面板技术领域[0001]本发明涉及显示装置制备技术领域，特别涉及一种有机膜基板制备方法、有机膜基板以及显示面板。背景技术[0002]在TFT-LCD(ThinFilmTransistor-LiquidCrystalD