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(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN110544693A(43)申请公布日2019.12.06(21)申请号201810531485.5(22)申请日2018.05.29(71)申请人长鑫存储技术有限公司地址230000安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室(72)发明人周步康(74)专利代理机构北京市铸成律师事务所11313代理人宋珊珊陈建焕(51)Int.Cl.H01L27/108(2006.01)H01L21/8242(2006.01)权利要求书2页说明书8页附图6页(54)发明名称半导体存储单元的制造方法及半导体存储单元(57)摘要本发明实施例公开了一种半导体存储单元的制造方法及半导体存储单元。制造方法包括:提供基板,基板包括位线和位线隔离结构,位线隔离结构之间形成电容接触槽,电容接触槽下方的基板中包括浅沟道隔离结构和分别设置在其两侧的漏极,漏极的上表面形成漏极的第一基准面;在基板一侧表面上形成第一隔离牺牲层,第一隔离牺牲层在位线隔离结构的侧面处的厚度小于漏极的第一基准面的宽度;自第一隔离牺牲层的上表面向下刻蚀,以去除在位线隔离结构的上表面、浅沟道隔离结构的上表面和在部分第一基准面上的第一隔离牺牲层,藉以保留在位线隔离结构的侧面处的第一隔离牺牲层,去除部分浅沟道隔离结构和部分漏极,以在漏极处形成第一台阶。CN110544693ACN110544693A权利要求书1/2页1.一种半导体存储单元的制造方法,其特征在于,包括:提供基板,所述基板包括多条位线和覆盖在所述位线表面的位线隔离结构,所述位线隔离结构之间形成电容接触槽,所述电容接触槽下方的所述基板中包括浅沟道隔离结构和分别设置在所述浅沟道隔离结构两侧的漏极,所述漏极的上表面形成漏极的第一基准面;在所述基板具有所述位线的一侧表面上形成第一隔离牺牲层,以覆盖所述漏极的第一基准面、所述位线隔离结构的侧面和上表面以及所述浅沟道隔离结构的上表面,其中,所述第一隔离牺牲层在所述位线隔离结构的侧面处的厚度小于所述漏极的第一基准面的宽度;自所述第一隔离牺牲层的上表面向下刻蚀,以去除在所述位线隔离结构的上表面、在所述浅沟道隔离结构的上表面和在部分所述漏极的第一基准面上的所述第一隔离牺牲层,藉以保留在所述位线隔离结构的侧面处的所述第一隔离牺牲层,以及进一步刻蚀以去除部分所述浅沟道隔离结构和部分所述漏极,以在保留的第一隔离牺牲层下方的所述漏极处形成第一台阶,其中,所述第一台阶的底缘具有低于所述漏极的第一基准面的第二基准面。2.根据权利要求1所述的制造方法,其特征在于,还包括:在所述基板具有所述位线的一侧表面上形成第二隔离牺牲层,以覆盖所述保留的第一隔离牺牲层的侧面和上表面、所述位线隔离结构的上表面、所述漏极的第二基准面、所述第一台阶的侧壁以及所述浅沟道隔离结构的上表面,其中,所述第二隔离牺牲层在所述保留的第一隔离牺牲层的侧面处的厚度小于所述漏极的第二基准面的宽度;自所述第二隔离牺牲层的上表面向下刻蚀,以去除在所述位线隔离结构的上表面、在所述保留的第一隔离牺牲层的上表面、在所述浅沟道隔离结构的上表面和部分在所述漏极的第二基准面上的所述第一隔离牺牲层,藉以保留在所述保留的第一隔离牺牲层的侧面处的所述第二隔离牺牲层,以及进一步刻蚀以去除部分所述浅沟道隔离结构和部分所述漏极,以在保留的第二隔离牺牲层下方的所述漏极处形成第二台阶,其中,所述第二台阶的底缘具有低于所述漏极的第二基准面的第三基准面。3.根据权利要求2所述的制造方法,其特征在于,所述第一隔离牺牲层,和所述第二隔离牺牲层包括相同的材料。4.根据权利要求1所述的制造方法,其特征在于,还包括:去除所述保留的第一隔离牺牲层;在具有所述第一台阶的所述漏极上形成第一多晶硅层和第一导电层,所述第一多晶硅层和所述漏极的接触面积大于所述漏极的第一基准面面积。5.根据权利要求2所述的制造方法,其特征在于,还包括以下步骤:去除所述保留的第一隔离牺牲层和所述保留的第二隔离牺牲层;在具有所述第一台阶和所述第二台阶的所述漏极上形成第一多晶硅层和第一导电层,所述第一多晶硅层和所述漏极的接触面积大于所述漏极的第一基准面面积。6.根据权利要求1所述的制造方法,其特征在于,所述位线自下而上包括:第二多晶硅层;第二导电层,位于所述第二多晶硅层之上;所述位线隔离结构包括:隔离层,覆盖所述第二多晶硅层侧面以及所述第二导电层的上表面和侧面;介质层,覆盖所述隔离层的上表面和侧面;2CN110544693A权利要求书2/2页所述制造方法还包括如下步骤:刻蚀所述介质层以露出所述隔离层的上表面。7.一种半导体存储单元,其特征在于,包括:衬底;多个有源区,间隔地设置在所述衬底中;浅沟道隔离结构,设置在相邻的所述有源区之间,以隔离所述有源