SRAM存储单元版图及设计方法、电路、半导体结构、存储器.pdf
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相关资料
SRAM存储单元版图及设计方法、电路、半导体结构、存储器.pdf
本申请提供了一种SRAM存储单元版图及设计方法、电路、半导体结构、存储器,所述版图包括:衬底;沿第一方向延伸的至少一个有源区;沿第二方向延伸的至少一个栅极结构;第二方向垂直于第一方向;至少一个接触结构;其中,至少一个接触结构连接至少一个有源区中的两个相邻有源区,以及目标栅极结构;目标栅极结构属于至少一个栅极结构;目标栅极结构在衬底中的投影相交于至少一个有源区中除两个相邻有源区外的其他有源区在衬底中的投影。本申请能够减少连接线的使用,节约加工面积,提高集成电路的集成度;同时,简化加工工艺,减少低良率风险。
版图结构以及半导体集成电路器件的形成方法.pdf
本发明提供了一种版图结构以及半导体集成电路器件的形成方法。由于掩膜图案具有多个截断图形区,多个截断图形区靠近设置在遮盖图形区的边界上,从而在利用掩膜图案将第一特征图案界定为第二特征图案时,即可使所界定出的第二特征图案具有邻近截断图形区的边缘部分,并且该边缘部分在面对截断图形区的一侧与邻近的第二特征图案中的其他部分之间存在较大的空白区域。如此一来,在第二特征图案的边缘部分上定义出节点区时,即相应地为节点区预留出更大的空间区域,有效降低了后续在该节点区上所执行的相应工艺的制备难度并可增加相关工艺的制程窗口。
半导体结构的制备方法、半导体结构和半导体存储器.pdf
本公开实施例提供了一种半导体结构的制备方法、半导体结构和半导体存储器,该制备方法包括:提供衬底;对衬底进行图案化处理,形成衬底层和多个硅柱;于多个硅柱之间的衬底层表面形成氧化层;于氧化层的上方形成隔离结构,隔离结构的上部与硅柱之间形成有间隙;于间隙中形成第一导电层;去除部分隔离结构,保留第一导电层下方的隔离结构,形成隔离层;于隔离层、氧化层、第一导电层以及硅柱的表面形成介质层和第二导电层。
半导体结构的制备方法、半导体结构和半导体存储器.pdf
本公开实施例提供了一种半导体结构的制备方法、半导体结构和半导体存储器,该方法包括:提供衬底,衬底中形成有至少一个电容柱,且至少一个电容柱贯穿至少一个电容支撑结构;于电容柱和电容支撑结构的表面形成导电层;对电容支撑结构和导电层进行热处理,在电容支撑结构的表面形成电容隔离结构,电容隔离结构用于绝缘隔离至少一个电容柱。这样,通过热处理在电容支撑结构的表面形成电容隔离结构,阻断导电层对电容柱的连接,实现对电容柱的绝缘隔离,本方案不仅工艺过程简单,而且成本较低。
半导体结构的制备方法、半导体结构和半导体存储器.pdf
本申请实施例公开了一种半导体结构的制备方法、半导体结构和半导体存储器,该制备方法包括:提供衬底;于衬底上依次形成MTJ结构和第一掩膜结构;对第一掩膜结构进行图案化处理形成沿第一方向延伸的第一图案;于第一图案上方形成第二掩膜结构;对第二掩膜结构进行图案化处理形成沿第二方向延伸的第二图案;其中,第一方向与所述第二方向相交,且第一方向与所述第二方向不垂直;利用第二图案对第一图案进行图案化处理,形成蜂窝状图案;将蜂窝状图案转移至MTJ结构,形成蜂窝状MTJ阵列。这样,由于蜂窝状MTJ阵列具有高密度,从而能够在形成