一种具有消影功能的纳米银线透明导电膜蚀刻方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN110629222A(43)申请公布日2019.12.31(21)申请号201911045622.5(22)申请日2019.10.30(71)申请人合肥微晶材料科技有限公司地址230088安徽省合肥市高新区黄山路602号A105(72)发明人吕鹏张梓晗杨锦姚成鹏张运奇聂彪(74)专利代理机构安徽省合肥新安专利代理有限责任公司34101代理人卢敏(51)Int.Cl.C23F1/02(2006.01)C23F1/12(2006.01)权利要求书1页说明书5页附图2页(54)发明名称一种具有消影功能的纳米银线透明导电膜蚀刻方法(57)摘要本发明公开了一种具有消影功能的纳米银线透明导电膜蚀刻方法，是首先在纳米银线透明导电膜表面设置图案化感光胶层，然后放入等离子体蚀刻仓内进行等离子体蚀刻，再去除蚀刻后导电膜表面的图案化感光胶层并水洗、烘干即可。本发明通过控制蚀刻工艺，使蚀刻区不导电的同时大部分保留下来，从而降低蚀刻区和非蚀刻区的雾度差，达到消影目的，并且本发明的方法操作简单、效率高，易于实现工业化生产。CN110629222ACN110629222A权利要求书1/1页1.一种具有消影功能的纳米银线透明导电膜蚀刻方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)在纳米银线透明导电膜表面设置感光胶层并进行图案化，所形成的图案化感光胶层包括完全透过区和完全遮挡区；所述完全透过区对应导电膜的蚀刻区、完全遮挡区对应导电膜的非蚀刻区；(2)将带有图案化感光胶层的导电膜传送到等离子体蚀刻腔内，并抽真空；然后向蚀刻腔内通入蚀刻介质，对导电膜进行蚀刻；(3)将蚀刻后的导电膜输送出等离子体蚀刻腔，碱洗去掉表面的图案化感光胶层，然后水洗、烘干，即制得具有消影功能的图案化纳米银线透明导电膜。2.根据权利要求1所述的一种具有消影功能的纳米银线透明导电膜蚀刻方法，其特征在于：步骤(1)中，在纳米银线透明导电膜表面设置感光胶层并进行图案化的方法为：在导电膜表面涂布感光胶水并烘干，或在导电膜表面直接贴上膜状感光胶，然后将设置有所需图案的掩膜版覆盖在感光胶表面，曝光、显影，即形成图案化感光胶层；或直接通过凹版印刷在导电膜表面印刷感光胶水并烘干，即形成图案化感光胶层。3.根据权利要求2所述的一种具有消影功能的纳米银线透明导电膜蚀刻方法，其特征在于：所述显影所用显影液为质量浓度0.1-1wt％的NaOH水溶液或KOH水溶液。4.根据权利要求1所述的一种具有消影功能的纳米银线透明导电膜蚀刻方法，其特征在于：步骤(2)中，所述蚀刻介质为物理性蚀刻介质或反应型蚀刻介质。5.根据权利要求4所述的一种具有消影功能的纳米银线透明导电膜蚀刻方法，其特征在于；所述物理性蚀刻介质为氧气、氦气、氮气、氩气或氢气；所述反应型蚀刻介质为HCl、HBr、HI、H2S、BCl3、SF6、CF4、Cl2、Br2或I2。6.根据权利要求1所述的一种具有消影功能的纳米银线透明导电膜蚀刻方法，其特征在于：步骤(2)中，所述蚀刻的条件为：蚀刻腔温度40-90℃，蚀刻腔压力10-100Mpa，交变电压频率不低于10KHz，蚀刻时间1s-10s。7.根据权利要求1所述的一种具有消影功能的纳米银线透明导电膜蚀刻方法，其特征在于：步骤(3)中，所述碱洗所用碱液为质量浓度3-10wt％的NaOH水溶液或KOH水溶液。8.根据权利要求1所述的一种具有消影功能的纳米银线透明导电膜蚀刻方法，其特征在于：步骤(3)中，所述烘干的温度为80-120℃、烘干时间20-60s。2CN110629222A说明书1/5页一种具有消影功能的纳米银线透明导电膜蚀刻方法技术领域[0001]本发明涉及一种新的具有消影功能的纳米银线透明导电膜蚀刻方法。背景技术[0002]透明导电膜是显示领域的重要光学器件，目前ITO透明导电膜应用最广泛。但ITO透明导电膜具有弯曲性能差、方阻高、薄膜制备真空溅射工艺复杂等缺点，所以近年来相关科研工作人员相继开发了纳米金属导电膜、碳纳米管导电膜、石墨烯薄膜等替代ITO透明导电膜的新型透明导电膜，其中纳米银线透明导电膜由于性能优异、成本低廉、制备工艺简单成为ITO导电膜最有效的替代材料。[0003]纳米银线透明导电膜作为应用在显示器、触摸屏等领域的重要光学器件，通常需要进行蚀刻处理，蚀刻后的透明导电膜分为电极区(非蚀刻区)和非电极区(蚀刻区)两个部分。目前纳米银线透明导电膜的蚀刻工艺主要有激光刻蚀和曝光显影，其中：激光刻蚀效率低、设备成本高，制得导电膜蚀刻痕严重；曝光显影效率高，但与激光蚀刻一样存在蚀刻痕严重的问题。若蚀刻痕严重会使蚀刻后的透明导电膜电极区和非电极区这两个部分之间存在较大雾度差，导致肉眼可观察到电极区边界。如果将此透明导电膜直接应用在显