一种低阻值、高透光率的纳米银线透明导电膜及其制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN108766666A(43)申请公布日2018.11.06(21)申请号201810580832.3(22)申请日2018.06.07(71)申请人乐凯华光印刷科技有限公司地址473003河南省南阳市卧龙区车站南路718号申请人城步新鼎盛电子科技有限公司(72)发明人邹翠黄浩王云周剑飞李宏建王乐跃郭佳亮吴敏(74)专利代理机构郑州中原专利事务所有限公司41109代理人霍彦伟(51)Int.Cl.H01B13/00(2006.01)H01B5/14(2006.01)权利要求书1页说明书8页附图1页(54)发明名称一种低阻值、高透光率的纳米银线透明导电膜及其制备方法(57)摘要本发明公开了一种低阻值高透光率的纳米银线透明导电膜及其制备方法，包括以下步骤：（1）将纳米银线分散液加入到强还原性溶液中浸泡，去除上层清液，用水清洗离心分离后的纳米银线分散液，最后加入溶剂和添加剂，制得重新分散的纳米银线分散液；（2）将透明基材放到UV灯下，使其表面活化后备用；（3）将纳米银线分散液涂布到备用的透明基材上，干燥形成纳米银线导电层；（4）将无机相和有机相结合的保护材料涂布到纳米银线导电层上，烘烤即得到纳米银线导电膜。有机和无机相结合的保护材料的设计，一方面大部分的无机成分能保证保护层对纳米银线的表面电阻不影响，另一方面有机成分的引入可以提高纳米银线导电膜的耐酸耐碱性。CN108766666ACN108766666A权利要求书1/1页1.一种低阻值高透光率的纳米银线透明导电膜的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：（1）将乙醇分散的纳米银线分散液加入到强还原性溶液中浸泡，而后采用离心分离的方法将上层清液去除，再用水清洗离心分离后的纳米银线分散液，最后加入溶剂和添加剂，制得重新分散的纳米银线分散液；（2）将透明基材放到UV灯下，30-50℃下照射30-60min，使其表面活化后备用；（3）将步骤（1）得到的纳米银线分散液涂布到步骤（2）中备用的透明基材上，80-100℃下干燥3-5min形成厚度为50-200nm的纳米银线导电层；（4）将无机相和有机相结合的保护材料涂布到纳米银线导电层上，100-140℃下烘烤30-60min即得到纳米银线导电膜。2.根据权利要求1所述的低阻值高透光率的纳米银线透明导电膜的制备方法，其特征在于：所述强还原性溶液的浓度为1%-10%，纳米银线分散液与强还原性溶液的体积比为1:1-10:1。3.根据权利要求1所述的低阻值高透光率的纳米银线透明导电膜的制备方法，其特征在于：所述强还原性溶液中的强还原性物质为抗坏血酸、水合肼中的一种或两种。4.根据权利要求1所述的低阻值高透光率的纳米银线透明导电膜的制备方法，其特征在于：步骤（1）中所得的重新分散的纳米银线分散液中纳米银线的固含量为0.5%-5%，纳米银线的直径为15-25nm，长度为10-20μm。5.根据权利要求1所述的低阻值高透光率的纳米银线透明导电膜的制备方法，其特征在于：步骤（1）中的溶剂为乙醇、去离子水、丙醇、丙酮、异丙醇中的一种或多种，步骤（1）中的添加剂为二甲基亚砜、DMF、戊二酸、氯铂酸中的至少一种。6.根据权利要求1所述的低阻值高透光率的纳米银线透明导电膜的制备方法，其特征在于：步骤（1）中的添加剂与溶剂的质量比为（0.01-0.1）:100。7.根据权利要求1所述的低阻值高透光率的纳米银线透明导电膜的制备方法，其特征在于：步骤（2）中的透明基材为PET、PI、PVA、PMMA、PEN、PC、PU或玻璃。8.根据权利要求1所述的低阻值高透光率的纳米银线透明导电膜的制备方法，其特征在于：步骤（4）中保护材料的无机相为氧化锌溶胶、二氧化硅溶胶、二氧化钛溶胶中的至少一种，有机相为水性聚氨酯树脂、水性聚丙烯酸树脂中的至少一种，保护材料固化后的厚度为50-250nm。9.根据权利要求1所述的低阻值高透光率的纳米银线透明导电膜的制备方法，其特征在于：步骤（4）中保护材料的无机相和有机相的质量比为5:1-1:2，有机相的固含量为10%-30%。10.一种根据权利要求1-9任一项所述的纳米银线透明导电膜的制备方法制备的纳米银线透明导电膜。2CN108766666A说明书1/8页一种低阻值、高透光率的纳米银线透明导电膜及其制备方法技术领域[0001]本发明属于导电膜技术领域，具体涉及一种低阻值、高透光率的纳米银线透明导电膜及其制备方法。背景技术[0002]透明导电膜的良导电性、高透光率的特性使其在触摸屏、液晶显示、有机发光二极管、太阳能电池等领域扮演着不可或缺的角色。目前应用最广泛的透明导电材料是一种N型氧化物半导体---氧化铟锡（ITO），但是由于ITO性质较脆，金属铟材料价格昂贵、工艺复杂等缺