存储器结构及其制造方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN108735750A(43)申请公布日2018.11.02(21)申请号201710256627.7(22)申请日2017.04.19(71)申请人华邦电子股份有限公司地址中国台湾台中市大雅区科雅一路8号(72)发明人刘重显陈俊旭蒋汝平(74)专利代理机构北京同立钧成知识产权代理有限公司11205代理人马雯雯臧建明(51)Int.Cl.H01L27/11521(2017.01)H01L27/11517(2017.01)权利要求书2页说明书5页附图9页(54)发明名称存储器结构及其制造方法(57)摘要本发明提供一种存储器结构及其制造方法，该存储器结构包括基底、多个堆叠结构、至少一个隔离结构、第二导体层与第二介电层。堆叠结构设置于基底上。各个堆叠结构包括依序设置在基底上的第一介电层与第一导体层。在相邻两个堆叠结构之间具有第一开口，且第一开口延伸至基底中。隔离结构设置于第一开口中，且覆盖第一介电层的侧壁。在隔离结构中具有凹陷，而使得隔离结构的顶部轮廓为漏斗状。第二导体层设置于堆叠结构上，且填入第一开口中。第二介电层设置于第二导体层与第一导体层之间。上述存储器结构与其制造方法可有效地提高存储器元件的效能与可靠度。CN108735750ACN108735750A权利要求书1/2页1.一种存储器结构，其特征在于，包括：基底；多个堆叠结构，设置于所述基底上，其中各所述堆叠结构包括依序设置在所述基底上的第一介电层与第一导体层，在相邻两个堆叠结构之间具有第一开口，且所述第一开口延伸至所述基底中；至少一隔离结构，设置于所述第一开口中，且覆盖所述第一介电层的侧壁，其中在所述至少一隔离结构中具有凹陷，而使得所述至少一隔离结构的顶部轮廓为漏斗状；第二导体层，设置于所述多个堆叠结构上，且填入所述第一开口中；以及第二介电层，设置于所述第二导体层与所述第一导体层之间。2.根据权利要求1所述的存储器结构，其特征在于，所述至少一隔离结构的顶部低于所述多个堆叠结构的顶部。3.根据权利要求1所述的存储器结构，其特征在于，所述凹陷的形状包括弧形。4.根据权利要求1所述的存储器结构，其特征在于，所述凹陷的宽度为相邻两个堆叠结构的间距的25％至50％。5.根据权利要求1所述的存储器结构，其特征在于，所述至少一隔离结构包括：第一隔离层，设置于所述第一开口中，且在所述第一隔离层中具有第二开口，其中位于所述第一开口的侧壁上的所述第一隔离层的顶部高于所述第一介电层的顶部；以及第二隔离层，设置于所述第二开口中，其中所述第二隔离层的顶部低于所述第一隔离层的顶部。6.根据权利要求5所述的存储器结构，其特征在于，所述凹陷位于所述第二隔离层。7.根据权利要求5所述的存储器结构，其特征在于，所述至少一隔离结构还包括：衬层，位于所述第一隔离层与所述基底之间以及所述第一隔离层与所述多个堆叠结构之间。8.根据权利要求7所述的存储器结构，其特征在于，所述衬层的材料包括临场蒸气产生氧化物，所述第一隔离层的材料包括增强高深宽比沟填制程氧化物，所述第二隔离层的材料包括旋涂式玻璃。9.一种存储器结构的制造方法，其特征在于，包括：在基底上形成多个堆叠结构，其中各所述堆叠结构包括依序设置在所述基底上的第一介电层与第一导体层，在相邻两个堆叠结构之间具有第一开口，且所述第一开口延伸至所述基底中；在所述第一开口中形成至少一隔离结构，其中所述至少一隔离结构覆盖所述第一介电层的侧壁，且在所述至少一隔离结构中具有凹陷，而使得所述至少一隔离结构的顶部轮廓为漏斗状；在所述多个堆叠结构上形成第二介电层；以及在所述第二介电层上形成第二导体层，其中所述第二导体层填入所述第一开口中。10.根据权利要求9所述的存储器结构的制造方法，其特征在于，所述多个堆叠结构与所述第一开口的形成方法包括：在所述基底上依序形成第一介电材料层、第一导体材料层、缓冲材料层与罩幕材料层；在所述罩幕材料层上形成图案化光致抗蚀剂层；2CN108735750A权利要求书2/2页以所述图案化光致抗蚀剂层为罩幕，移除部分所述罩幕材料层、部分所述缓冲材料层、部分所述第一导体材料层、部分所述第一介电材料层与部分所述基底，而形成所述第一开口，且依序在所述基底上形成所述第一介电层、所述第一导体层、所述缓冲层与所述罩幕层；以及移除所述图案化光致抗蚀剂层。11.根据权利要求9所述的存储器结构的制造方法，其特征在于，所述至少一隔离结构的形成方法包括：形成填入所述第一开口中的第一隔离材料层，其中在所述第一隔离材料层中具有第二开口；在所述第一隔离材料层上形成填满所述第二开口的第二隔离材料层；移除位于所述第一开口以外的所述第二隔离材料层与所述第一隔离材料层；进行第一干蚀刻制程，以移除位于所述第一开口中的部分所述第