存储器结构及其制造方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115884598A(43)申请公布日2023.03.31(21)申请号202111167712.9(22)申请日2021.09.30(30)优先权数据17/485,6362021.09.27US(71)申请人旺宏电子股份有限公司地址中国台湾新竹科学工业园区力行路16号(72)发明人张亘亘卢棨彬(74)专利代理机构中科专利商标代理有限责任公司11021专利代理师王文思(51)Int.Cl.H10B43/30(2023.01)H01L29/423(2006.01)H01L21/28(2006.01)权利要求书1页说明书3页附图1页(54)发明名称存储器结构及其制造方法(57)摘要本公开提供一种存储器结构及其制造方法。存储器结构包括电荷捕捉层、第一氮氧化硅隧穿膜以及第二氮氧化硅隧穿膜。第一氮氧化硅隧穿膜在电荷捕捉层与第二氮氧化硅隧穿膜之间。第一氮氧化硅隧穿膜的氮原子的浓度对于氧原子与氮原子的总浓度的第一原子浓度比率为10％至50％。第二氮氧化硅隧穿膜的氮原子的浓度对于氧原子与氮原子的总浓度的第二原子浓度比率为1％至15％。第二氮氧化硅隧穿膜的氮原子的浓度小于第一氮氧化硅隧穿膜的氮原子的浓度。CN115884598ACN115884598A权利要求书1/1页1.一种存储器结构，包括：一电荷捕捉层；一第一氮氧化硅隧穿膜；以及一第二氮氧化硅隧穿膜，其中该第一氮氧化硅隧穿膜在该电荷捕捉层与该第二氮氧化硅隧穿膜之间，该第一氮氧化硅隧穿膜的氮原子的浓度对于氧原子与氮原子的总浓度的第一原子浓度比率为10％至50％，该第二氮氧化硅隧穿膜的氮原子的浓度对于氧原子与氮原子的总浓度的第二原子浓度比率为1％至15％，该第二氮氧化硅隧穿膜的该氮原子的浓度小于该第一氮氧化硅隧穿膜的该氮原子的浓度。2.根据权利要求1所述的存储器结构，其中该第二氮氧化硅隧穿膜的该氮原子的浓度沿远离该电荷捕捉层的方向逐渐变小。3.根据权利要求1所述的存储器结构，还包括一通道层，其中该第二氮氧化硅隧穿膜在该第一氮氧化硅隧穿膜与该通道层之间。4.根据权利要求1所述的存储器结构，其中该第一氮氧化硅隧穿膜对于该第二氮氧化硅隧穿膜的一厚度比值为大于1。5.根据权利要求4所述的存储器结构，其中该厚度比值为大于1.5。6.一种存储器结构的制造方法，包括：形成一电荷捕捉层；形成一第一氮氧化硅隧穿膜在该电荷捕捉层上；以及对该第一氮氧化硅隧穿膜进行一氧化工艺以形成一第二氮氧化硅隧穿膜。7.根据权利要求6所述的存储器结构的制造方法，其中该氧化工艺包括自由基氧化工艺、干法氧化工艺、或湿法氧化工艺。8.根据权利要求7所述的存储器结构的制造方法，其中该氧化工艺为该自由基氧化工艺，该自由基氧化工艺使用的自由基包括氢氧自由基。9.根据权利要求6所述的存储器结构的制造方法，其中该氧化工艺包括将氢气与氧气导入一反应腔室中，该反应腔室的温度为400℃至800℃。10.根据权利要求6所述的存储器结构的制造方法，还包括形成一通道层在该第二氮氧化硅隧穿膜上。2CN115884598A说明书1/3页存储器结构及其制造方法技术领域[0001]本发明是有关于一种存储器结构及其制造方法。背景技术[0002]非易失性存储器装置在设计上有一个很大的特性是，当存储器装置失去或移除电源后仍能保存数据状态的完整性。目前业界已经提出许多不同型态的非易失性存储器装置。其中一个技术发展议题是使存储器装置具有更佳的存储单元数据保存性(dataretention)。[0003]公开内容[0004]本公开有关于一种存储器结构及其制造方法。[0005]根据本公开的一方面，提出一种存储器结构，其包括电荷捕捉层、第一氮氧化硅隧穿膜以及第二氮氧化硅隧穿膜。第一氮氧化硅隧穿膜在电荷捕捉层与第二氮氧化硅隧穿膜之间。第一氮氧化硅隧穿膜的氮原子的浓度对于氧原子与氮原子的总浓度的第一原子浓度比率为10％至50％。第二氮氧化硅隧穿膜的氮原子的浓度对于氧原子与氮原子的总浓度的第二原子浓度比率为1％至15％。第二氮氧化硅隧穿膜的氮原子的浓度小于第一氮氧化硅隧穿膜的氮原子的浓度。[0006]根据本公开的另一方面，提出一种存储器结构的制造方法，其包括以下步骤。形成电荷捕捉层。形成第一氮氧化硅隧穿膜在电荷捕捉层上。使用自由基对第一氮氧化硅隧穿膜进行氧化工艺以形成第二氮氧化硅隧穿膜。[0007]为了对本公开的上述及其他方面有更佳的了解，下文特举实施例，并配合附图详细说明如下：附图说明[0008]图1为一实施例中的存储器结构及其制造方法。[0009]图2为示另一实施例中的存储器结构及其制造方法。[0010]附图标记说明[0011]102，302：存储器结构[0012]104：电荷捕捉层[0013]106：通道层[0014]