半导体模块及其制造方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN110678958A(43)申请公布日2020.01.10(21)申请号201880034475.9(74)专利代理机构深圳市赛恩倍吉知识产权代(22)申请日2018.03.13理有限公司44334代理人王娟(30)优先权数据2017-1047632017.05.26JP(51)Int.Cl.H01L21/02(2006.01)(85)PCT国际申请进入国家阶段日H01L25/065(2006.01)2019.11.25H01L25/07(2006.01)(86)PCT国际申请的申请数据H01L25/18(2006.01)PCT/JP2018/0096462018.03.13H01L33/48(2006.01)(87)PCT国际申请的公布数据WO2018/216318JA2018.11.29(71)申请人夏普株式会社地址日本国大阪府堺市堺区匠町1番地(72)发明人东坂浩由权利要求书1页说明书7页附图7页(54)发明名称半导体模块及其制造方法(57)摘要半导体模块具备：基材(10)；对准标记(M)，其设置于基材(10)的表面；以及多个半导体元件(21a、21b)，其与对准标记(M)并列设置且分别设置在基材(10)的表面，并且相互分离。由此，提供一种能够防止对准标记被剥离而作为异物残留，能够提高可靠性的半导体模块及半导体模块的制造方法。CN110678958ACN110678958A权利要求书1/1页1.一种半导体模块，其特征在于，具备：基材；对准标记，其设置在所述基材的表面；以及多个半导体元件，其与所述对准标记并列设置，且分别设置在所述基材的表面，并且相互分离。2.根据权利要求1所述的半导体模块，其特征在于，所述对准标记由第一对准标记片和第二对准标记片构成。3.根据权利要求1所述的半导体模块，其特征在于，所述对准标记的表面和所述多个半导体元件的表面大致位于同一平面上。4.一种半导体模块的制造方法，其使用第一基材和第二基材，所述第一基材在表面上设有第一对准标记片，所述第二基材在表面设置有第二对准标记片以及与该第二对准标记片并列设置并且相互分离的多个半导体元件，所述制造方法的特征在于，具有下述工序:对位工序，在该工序中，使用所述第一对准标记片和所述第二对准标记片的重合，进行所述第一基材和所述多个半导体元件的对位；以及接合工序，其在所述对位工序之后，将所述第二基材的所述多个半导体元件和所述第一基材接合，并且将所述第一基材和所述第二对准标记片接合。5.根据权利要求4所述的半导体模块的制造方法，其特征在于，在后续工序中使用将所述第一对准标记片和所述第二对准标记片组合后的图案。6.根据权利要求5所述的半导体模块的制造方法，其特征在于，所述后续工序具有检查工序，所述检查工序使用将所述第一对准标记片和所述第二对准标记片组合后的图案作为检查用图案。7.一种半导体模块，其由基材、配置在所述基材的表面的多个半导体元件以及对准标记构成，所述半导体模块的特征在于，在所述基材的表面设置有第一连接图案，在所述多个半导体元件的所述基材侧设置有第二连接图案，所述基材和所述多个半导体元件通过所述第一连接图案和所述第二连接图案连接，在所述基材的表面，设置有由与所述第一连接图案相同的材料形成的第一对准标记片，在所述第一对准标记片上，形成有由与所述第二连接图案以及所述半导体元件相同的材料构成的第二对准标记片，所述对准标记由所述第一对准标记片和所述第二对准标记片构成。8.根据权利要求7的半导体模块，其特征在于，所述基材和所述多个半导体元件通过所述第一连接图形和所述第二连接图形连接而形成电流路径，所述第一对准标记片和所述第二对准标记片之间是非电流路径。9.根据权利要求1至3、7、8中的任一项所述的半导体模块，其特征在于，所述对准标记在所述多个半导体元件的外周部配置有多个。2CN110678958A说明书1/7页半导体模块及其制造方法援引记载[0001]本申请对已在2017年5月26日申请的日本申请特愿2017-104763主张优先权的利益，并援引该日本申请所记载的全部记载内容。技术领域[0002]本发明涉及一种具有对准标记的半导体模块及其制造方法。背景技术[0003]作为现有的半导体模块，存在在LSI芯片上搭载多个LED芯片的结构(芯片内建芯片，chiponchip)。例如，是在对LED芯片进行驱动控制的LSI芯片上搭载了RGB的各LED芯片的半导体模块。[0004]作为这样的半导体模块的制造方法，在LSI芯片上分别或者每次多个地拾取LED芯片，在LSI芯片上搭载例如100个LED芯片。现有技术文献专利文献[0005]专利文献1：日本特开2009-164521号公报发明内容本发明所要解决的技术问题