一种有机异质结纳米线的制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN110818711A(43)申请公布日2020.02.21(21)申请号201911059781.0(22)申请日2019.11.01(71)申请人河北科技大学地址050000河北省石家庄市裕翔街26号(72)发明人李青白若男路崇乔山林陈立芳王文搏陈欢苏玉金杨静董旭莎(74)专利代理机构石家庄科诚专利事务所(普通合伙)13113代理人贺寿元刘丽丽(51)Int.Cl.C07D471/06(2006.01)C07D215/30(2006.01)B82Y30/00(2011.01)B82Y40/00(2011.01)权利要求书1页说明书3页附图2页(54)发明名称一种有机异质结纳米线的制备方法(57)摘要本发明公开了一种有机异质结纳米线的制备方法，按照以下步骤顺序进行：S1、将PDI、Alq3溶解于良溶剂中，得到溶液A，将溶液A超声处理，得到有机分子的良溶液；S2、将所述的有机分子的良溶液滴入到不良溶剂中，震动，然后静置，得溶液B；S3、将所述溶液B置于洁净空间中，直至溶液B完全挥发，得到的残留物即为所述有机异质结纳米线。本发明通过选择合适的不良溶剂，利用再沉淀的方法，合成了一种结构紧凑并且具有非常广泛的应用的有机异质结，提供的制备方法，操作简单，价格低廉；采用本发明制备的有机异质结纳米线能够避免光在传播过程中的损失。本发明适用于有机异质结纳米线的制备技术领域。CN110818711ACN110818711A权利要求书1/1页1.一种有机异质结纳米线的制备方法，其特征在于，按照以下步骤顺序进行：S1、将PDI、Alq3溶解于良溶剂中，得到溶液A，将溶液A超声处理，得到有机分子的良溶液；S2、将所述有机分子的良溶液滴入到不良溶剂中，震动，然后静置，得溶液B；S3、将所述溶液B置于洁净空间中，直至溶液B完全挥发，得到的残留物即为所述有机异质结纳米线。2.根据权利要求1所述的一种有机异质结纳米线的制备方法，其特征在于，所述步骤S2中的震动时间是1～3h，静置时间是1～3h。3.根据权利要求1或2所述的一种有机异质结纳米线的制备方法，其特征在于：所述PDI的分子式为；所述Alq3的分子式为。4.根据权利要求1或2所述的一种有机异质结纳米线的制备方法，其特征在于：所述良溶剂是丙酮、四氢呋喃、乙腈、二氯甲烷、三氯甲烷或氯仿；所述不良溶剂是丙酮、正丁醇、异丙醇三者任意两种混合而成。5.根据权利要求1或2所述的一种有机异质结纳米线的制备方法，其特征在于：所述PDI与Alq3的摩尔比为0.7～1.2:3.6～4.2，溶液A中PDI的摩尔浓度为0.1～10mM；所述良溶剂和不良溶剂的体积比是0.8～1.2:8～12。6.根据权利要求1或2所述的一种有机异质结纳米线的制备方法，其特征在于：所述步骤S1中超声处理的时间小于1h。2CN110818711A说明书1/3页一种有机异质结纳米线的制备方法技术领域[0001]本发明属于有机异质结技术领域，涉及一种有机异质结的制备方法，具体地说是一种有机异质结纳米线的制备方法。背景技术[0002]异质结是指不同半导体材料间两种不同层次或区域之间形成的二维界面，由有机半导体材料形成的异质结即为有机异质结。[0003]由多种有机物质组成的异质结结构，对于光波导工程的发展具有非常重要的意义。然而现在很多异质结结构的制备非常繁琐，例如平板印刷技术和微探针操作。另外一个问题就是由两种物质形成的异质结在接口处大部分都是简单的点操作。这严重的限制了有机异质结纳米线的应用。发明内容[0004]本发明的目的是提供一种有机异质结纳米线的制备方法，该方法通过选择合适的不良溶剂，利用再沉淀的方法，合成了一种结构紧凑并且具有非常广泛的应用的有机异质结。[0005]本发明为实现上述目的，所采用的的技术方案如下：一种有机异质结纳米线的制备方法，按照以下步骤顺序进行：S1、将PDI、Alq3溶解于良溶剂中，得到溶液A，将溶液A超声处理，得到有机分子的良溶液；S2、将所述有机分子的良溶液滴入到不良溶剂中，震动，然后静置，得溶液B；S3、将所述溶液B置于洁净空间中，直至溶液B完全挥发，得到的残留物即为所述有机异质结纳米线。[0006]作为限定，所述步骤S2中的震动时间是1～3h，静置时间是1～3h。[0007]作为第二种限定：所述PDI的分子式为；所述Alq3的分子式为。[0008]作为第三种限定：所述良溶剂是丙酮、四氢呋喃、乙腈、二氯甲烷、三氯甲烷或氯仿；所述不良溶剂是丙酮、正丁醇、异丙醇三者任意两种混合而成。3CN110818711A说明书2/3页[0009]作为第四种限定：所述PDI与Alq3的摩尔比为0.7～1.2:3.6～4.2，溶液A中PDI的摩尔浓度为0.1～