一种制备Ge包覆GeTe纳米线同轴异质结的方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局*CN102260906A*(12)发明专利申请(10)申请公布号CN102260906A(43)申请公布日2011.11.30(21)申请号201110202610.6(22)申请日2011.07.19(71)申请人同济大学地址200092上海市杨浦区四平路1239号(72)发明人翟继卫尚飞沈波(74)专利代理机构上海光华专利事务所31219代理人许亦琳余明伟(51)Int.Cl.C30B23/00(2006.01)C30B29/46(2006.01)C30B29/62(2006.01)权利要求书1页说明书5页附图4页(54)发明名称一种制备Ge包覆GeTe纳米线同轴异质结的方法(57)摘要本发明涉及一种制备Ge包覆GeTe纳米线同轴异质结的方法，包括如下步骤：(1)在Si基片上溅射一层Au薄膜；(2)在水平管式炉中部放置蒸发源，将水平管式炉抽至一定真空度后，充入载气使炉管内维持一定的内压；(3)将步骤(1)中制备的溅射有Au薄膜的Si基片放置在水平管式炉下风向处，并对水平管式炉中部进行加热至预定温度；(4)在步骤(3)中，当炉中部管温升至预定温度后，进行一定时间的保温；(5)保温时间结束后，停载气，利用机械泵维持一定的真空度，进行自然降温。本发明利用气相沉积的方法在特定的工艺下，可稳定的获得Ge包覆GeTe纳米线同轴异质结结构。CN10269ACCNN110226090602260910A权利要求书1/1页1.一种制备Ge包覆GeTe纳米线同轴异质结的方法，包括如下步骤：1)在Si基片上溅射一层Au薄膜；2)在水平管式炉的炉管中部放置蒸发源GeTe合金粉，将水平管式炉抽真空后，充入载气使炉管内维持内压为650～1100Pa；3)将步骤1)中制备的溅射有Au薄膜的Si基片放置在水平管式炉的炉管中蒸发源的下风向处，并对水平管式炉中部的蒸发源进行加热至495-505℃，保温；4)保温结束后，停载气并维持炉管内压为110～130Pa，进行自然降温。2.如权利要求1所述的制备Ge包覆GeTe纳米线同轴异质结的方法，其特征在于，步骤1)中，所述Au薄膜的厚度为1.5～15nm。3.如权利要求1所述的制备Ge包覆GeTe纳米线同轴异质结的方法，其特征在于，步骤1)中，所述水平管式炉抽真空至120～150Pa。4.如权利要求1所述的制备Ge包覆GeTe纳米线同轴异质结的方法，其特征在于，步骤2)中，所述载气为氩气和氢气的混合气体，其中所述氢气占所述载气体积总量的4.9-5.1％。5.如权利要求1所述的制备Ge包覆GeTe纳米线同轴异质结的方法，其特征在于，步骤3)中，所述溅有Au薄膜的Si基片放置在水平管式炉的炉管中蒸发源的下风向且距炉体边缘为3.5～4cm处。6.如权利要求1所述的制备Ge包覆GeTe纳米线同轴异质结的方法，其特征在于，步骤3)中，当炉中部管温升至495-505℃后，控制所述溅射有Au薄膜的Si基片的温度为353～390℃。7.如权利要求1所述的制备Ge包覆GeTe纳米线同轴异质结的方法，其特征在于，步骤3)中，所述保温过程为：先保温3.5-4.5min，然后将炉管整体向下风向拖动2.9-3.1cm，再保温25.5-26.5min。2CCNN110226090602260910A说明书1/5页一种制备Ge包覆GeTe纳米线同轴异质结的方法技术领域[0001]本发明属于电子功能材料与器件领域，具体涉及一种采用气相沉积制备Ge包覆GeTe纳米线同轴异质结的方法。背景技术[0002]相变存储器(PCM)主要是利用某些材料在特定的电流脉冲之下会具有快速且可逆的相变化效应，进而导致材料在某些特性上的稳定改变來达到存储效果，此外其最终的状态并不会随着外加能量的消失而改变，因此具有非挥发性的特点。PCM技术凭借其在读取速度、可靠度、非破坏性读取、非挥发性、尺寸微小化以及成本方面的优势，已被公认为最有潜力取代传统的DRAM技术及Flash闪存技术成为主流的存储器技术之一。此外，随着信息技术产业对相变存储器产品需求的日益增加，实现PCMcell与现有CMOS工艺集成是非常关键的，因此，也就急需进一步降低PCMcell的操作功耗。由于具有一维纳米结构的材料的熔点与其块体材料相比一般会降低20～40％，如果将相变存储材料制备成一维纳米线结构，这就有利于大大降低其读，写及擦除时的操作功耗。同时，可以极大的提高单元密度，满足大密度集成化的要求。因此，制备相变存储材料的一维纳米线就成为目前相变存储器研究的一个重要方面。[0003]目前已有大量关于一维相变存储材料纳米线制备的研究报道。如文献JinSeokLeeet.al.，Vapor-Liquid-SolidandVapor-SolidGrowthofPhase-