半导体结构和形成半导体结构的方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN110838465A(43)申请公布日2020.02.25(21)申请号201910608479.X(22)申请日2019.07.08(30)优先权数据62/764,7402018.08.15US16/239,7512019.01.04US(71)申请人台湾积体电路制造股份有限公司地址中国台湾新竹(72)发明人王郁雯曾国权(74)专利代理机构北京德恒律治知识产权代理有限公司11409代理人章社杲李伟(51)Int.Cl.H01L21/768(2006.01)H01L21/027(2006.01)权利要求书2页说明书16页附图28页(54)发明名称半导体结构和形成半导体结构的方法(57)摘要方法包括以下步骤。第一心轴形成在衬底上方的目标层上，其中第一心轴包括心轴岛和第一心轴条，心轴岛包括第一侧壁和垂直于第一侧壁的第二侧壁，并且第一心轴条从心轴岛的第一侧壁延伸。沿着心轴岛的第一和第二侧壁以及第一心轴条的侧壁形成第一间隔件。从目标层去除第一心轴。当第一间隔件保留在目标层上时，图案化目标层。本发明的实施例还涉及半导体结构和形成半导体结构的方法以及自对准双重图案化工艺及使用其形成的半导体结构。CN110838465ACN110838465A权利要求书1/2页1.一种形成半导体结构的方法，包括：在衬底上的目标层上形成第一心轴，其中，所述第一心轴包括心轴岛和第一心轴条，所述心轴岛包括第一侧壁和垂直于所述第一侧壁的第二侧壁，并且所述第一心轴条从所述心轴岛的所述第一侧壁延伸；沿着所述心轴岛的所述第一侧壁和所述第二侧壁以及所述第一心轴条的侧壁形成第一间隔件；从所述目标层去除所述第一心轴；以及当所述第一间隔件保留在所述目标层上时，图案化所述目标层。2.根据权利要求1所述的方法，其中，执行形成所述第一心轴，使得邻近所述第一心轴形成第二心轴，所述第一心轴还包括从面向远离所述第一侧壁的所述心轴岛的第三侧壁延伸的第二心轴条，并且所述第一心轴条与所述第二心轴之间的距离不同于所述第二心轴条与所述第二心轴之间的距离。3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一心轴还包括从面向远离所述第一侧壁的所述心轴岛的第三侧壁延伸的第二心轴条，并且执行形成所述第一间隔件，使得所述第一间隔件的第一间隔条和第二间隔条分别沿着所述第一心轴条与所述第二心轴条形成并且彼此未对准。4.根据权利要求3所述的方法，其中，执行形成所述第一间隔件，使得沿着所述心轴岛的所述第一侧壁形成所述第一间隔件的第三间隔条，并且所述方法还包括：形成掩模以覆盖所述第一间隔件的所述第三间隔条，其中，在形成所述掩模之后执行图案化所述目标层。5.根据权利要求4所述的方法，其中，在图案化所述目标层之后，位于所述掩模下面的图案化的目标层的部分保持在所述衬底上，并且所述方法还包括：在所述图案化的目标层的所述部分上形成导电通孔。6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述心轴岛还包括面向远离所述第一侧壁的第三侧壁，执行形成所述第一间隔件，使得沿着所述心轴岛的所述第三侧壁形成第二间隔件，并且当所述第二间隔件保留在所述目标层上时执行图案化所述目标层。7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述第一心轴还包括从所述心轴岛的所述第三侧壁延伸的第二心轴条，并且执行形成所述第二间隔件，使得所述第二间隔件的第一间隔条和第二间隔条分别沿着所述第一心轴条与所述第二心轴条形成并且未对准。8.根据权利要求7所述的方法，其中，执行形成所述第二间隔件，使得沿着所述心轴岛的所述第三侧壁形成所述第二间隔件的第三间隔条，并且所述方法还包括：形成掩模以覆盖所述第二间隔件的所述第三间隔条，其中，在形成所述掩模之后执行图案化所述目标层。9.一种形成半导体结构的方法，包括：在衬底上的目标层上形成第一心轴，其中，所述第一心轴包括第一心轴岛、第一心轴条和第二心轴条，其中，所述第一心轴岛包括第一侧壁和与所述第一侧壁相对的第二侧壁，所述第一心轴条和所述第二心轴条分别从所述第一心轴岛的所述第一侧壁和所述第二侧壁延伸并且未对准；形成第一间隔件，所述第一间隔件沿着所述第一心轴条、所述第一心轴岛和所述第二2CN110838465A权利要求书2/2页心轴条的侧壁延伸；从所述目标层去除所述第一心轴；以及使用至少所述第一间隔件作为蚀刻掩模来蚀刻所述目标层。10.一种半导体结构，包括：半导体衬底；金属间介电(IMD)层，位于所述半导体衬底上；第一导电通孔，位于所述金属间介电层中；导线，位于所述第一导电通孔上，其中，所述导线包括第一条部分、通孔着陆部分和连接所述第一条部分和所述通孔着陆部分的第一圆形拐角，其中，当从所述导线上方观察时，所述第一圆形拐角具有钝角拐角；以及第二导电通孔，位于所述通孔着陆部分上。3CN11083