清洁方法、半导体装置的制造方法、基板处理装置和记录介质.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN110942977A(43)申请公布日2020.03.31(21)申请号201910860140.9(22)申请日2019.09.11(30)优先权数据2018-1789422018.09.25JP(71)申请人株式会社国际电气地址日本东京都(72)发明人原田和宏野原慎吾浦野裕司越保信南政克(74)专利代理机构北京银龙知识产权代理有限公司11243代理人陈彦李宏轩(51)Int.Cl.H01L21/02(2006.01)H01L21/67(2006.01)权利要求书2页说明书16页附图6页(54)发明名称清洁方法、半导体装置的制造方法、基板处理装置和记录介质(57)摘要本发明是清洁方法、半导体装置的制造方法、基板处理装置和记录介质。本发明的处理容器内的清洁方法具有以下工序：(a)向对基板进行处理后的处于第一温度的处理容器内以第一流量供给含有氟系气体的第一气体并排气，将附着在处理容器内的物质除去的工序；(b)向进行了(a)后的处于比第一温度高的第二温度的处理容器内，以比第一流量和第三流量都高的第二流量供给在第二温度下不与氟发生化学反应的第二气体并排气，将处理容器内的残留氟物理脱离并除去的工序；和(c)向进行了(a)后的处于比第一温度高的第三温度的处理容器内，以第三流量供给在第三温度下会与氟发生化学反应的第三气体并排气，将处理容器内的残留氟化学脱离并除去的工序。CN110942977ACN110942977A权利要求书1/2页1.一种清洁方法，是处理容器内的清洁方法，具有以下工序：(a)向对基板进行处理后的处于第一温度的所述处理容器内，以第一流量供给含有氟系气体的第一气体并排气，将附着在所述处理容器内的物质除去的工序，(b)向进行了(a)之后的处于比所述第一温度高的第二温度的所述处理容器内，以比所述第一流量和第三流量都高的第二流量供给在所述第二温度下不与氟发生化学反应的第二气体并排气，将所述处理容器内的残留氟物理地脱离并除去的工序，以及(c)向进行了(a)之后的处于比所述第一温度高的第三温度的所述处理容器内，以所述第三流量供给在所述第三温度下会与氟发生化学反应的第三气体并排气，将所述处理容器内的残留氟化学地脱离并除去的工序。2.如权利要求1所述的清洁方法，其中，使(c)中的所述处理容器内的压力比(b)中的所述处理容器内的压力大。3.如权利要求1所述的清洁方法，其中，在进行(b)之后进行(c)。4.如权利要求3所述的清洁方法，其中，在所述处理容器内的温度稳定于所述第三温度后进行(c)。5.如权利要求1所述的清洁方法，其中，在(c)中，将(b)中未除尽的残留氟脱离并除去。6.如权利要求1所述的清洁方法，其中，使所述第二温度与所述第三温度为相同温度。7.如权利要求1所述的清洁方法，其中，进一步具有(d)对于进行了(c)后的处于第四温度的所述处理容器内，进行与对所述基板的处理相同的处理的工序，使所述第二温度、所述第三温度和所述第四温度为相同温度。8.如权利要求1所述的清洁方法，其中，在(b)中，多次交替重复向所述处理容器内供给所述第二气体的工序和从所述处理容器内排气的工序。9.如权利要求1所述的清洁方法，其中，所述第二气体含有非活性气体，所述第三气体含有氧化氮系气体。10.如权利要求9所述的清洁方法，其中，所述第一气体进一步含有氧化氮系气体。11.如权利要求9所述的清洁方法，其中，所述氧化氮系气体含有一氧化氮气体。12.如权利要求10所述的清洁方法，其中，所述氧化氮系气体含有一氧化氮气体。13.如权利要求1所述的清洁方法，其中，多次交替重复(b)和(c)。14.如权利要求13所述的清洁方法，其中，在多次交替重复(b)和(c)时，改变(c)的实施时间相对于(b)的实施时间的比例。15.如权利要求13所述的清洁方法，其中，在多次交替重复(b)和(c)时，渐渐地增加(c)的实施时间相对于(b)的实施时间的比例。16.如权利要求1所述的清洁方法，其中，在非等离子体的气氛下进行(a)、(b)和(c)。17.如权利要求1所述的清洁方法，其中，通过对所述处理容器内的气氛不施加等离子体能量而施加热能，来进行(a)、(b)和(c)。18.一种半导体装置的制造方法，具有在处理容器内对基板进行处理的工序和对所述处理容器内进行清洁的工序，对所述处理容器内进行清洁的工序具有：(a)向对所述基板进行处理后的处于第一温度的处理容器内以第一流量供给含有氟系气体的第一气体并排气，将附着在所述处理容器内的物质除去的工序，2CN110942977A权利要求书2/2页(b)向进行了(a)之后的处于比所述第一温度高的第二温度的所述处理容器内，以比所述第一流量以及第三流量都高的第二流量供给在所述第二温度下