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本发明涉及半导体装置的制造方法、基板处理方法、记录介质和基板处理装置。本发明能提高在基板上形成的膜的特性。本发明的半导体装置的制造方法包括(a)和(b),(a):通过将依次进行如下的(a?1)、(a?2)和(a?3)的循环进行预定次数,在基板上形成含有预定元素的氮化膜的工序,(a?1)对基板供给含有预定元素的第一原料气体的工序,(a?2)对基板供给含有预定元素且热分解温度比第一原料气体低的第二原料气体的工序,(a?3)对基板供给氮化气体的工序,(b):对基板供给氧化气体,将(a)中形成的氮化膜氧化,改性为含有预定元素的氧化膜的工序。