半导体装置的制造方法、基板处理方法、记录介质和基板处理装置.pdf
一条****丹淑
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半导体装置的制造方法、基板处理方法、记录介质和基板处理装置.pdf
本发明涉及半导体装置的制造方法、基板处理方法、记录介质和基板处理装置。本发明能提高在基板上形成的膜的特性。本发明的半导体装置的制造方法包括(a)和(b),(a):通过将依次进行如下的(a?1)、(a?2)和(a?3)的循环进行预定次数,在基板上形成含有预定元素的氮化膜的工序,(a?1)对基板供给含有预定元素的第一原料气体的工序,(a?2)对基板供给含有预定元素且热分解温度比第一原料气体低的第二原料气体的工序,(a?3)对基板供给氮化气体的工序,(b):对基板供给氧化气体,将(a)中形成的氮化膜氧化,改性为
基板处理方法、半导体装置的制造方法、基板处理装置以及记录介质.pdf
本发明是基板处理方法、半导体装置的制造方法、基板处理装置和记录介质,以提高在基板上形成的膜的特性。基板处理方法具有通过将循环进行预定次数而在基板上形成含硅、预定元素及氮的膜的工序,循环包括(a)向基板供给含硅的第一气体而形成第一层的工序、(b)向基板供给含硅且分子结构与第一气体不同的第二气体而形成第二层的工序、(c)向基板供给含预定元素的第三气体的工序和(d)向基板供给含氮的第四气体而对第一层及第二层进行改性的工序;预定元素是能够在膜中形成缺陷的元素,在循环中,按照(a)(c)(b)(d)、(c)(a)(
基板处理装置、炉口组件、基板处理方法、半导体装置的制造方法和记录介质.pdf
本发明涉及基板处理装置、炉口组件、基板处理方法、半导体装置的制造方法和记录介质,能降低炉口挡板的腐蚀。本发明提供一种基板处理装置,具有处理容器和炉口挡板,所述处理容器具备能够使保持有基板的基板保持件出入的开口和在开口的周围形成的第一密封面,所述炉口挡板具备与第一密封面相面对的第二密封面且在处理容器内未容纳基板保持件的状态下能够将开口闭塞;炉口挡板具有:配置在面向处理容器内的内表面侧且比开口大的保护板和配置在外表面侧且保持保护板的盖体,由保护板的外周部和盖体形成第二密封面,从与保护板相比的更外周侧向第一密封
喷嘴的清洁方法、基板处理方法、半导体装置的制造方法、基板处理装置和记录介质.pdf
本申请涉及喷嘴的清洁方法、基板处理方法、半导体装置的制造方法、基板处理装置和记录介质。本申请通过将清洁后的残留元素有效地除去,从而减少成膜处理中的膜厚变动。本申请提供一种喷嘴的清洁方法,在具有多个喷嘴的反应管内处理基板并搬出后,具有:(a)向多个喷嘴中的至少一个喷嘴供给清洁气体的工序和(b)向进行了所述(a)工序后的至少一个喷嘴向供给含有氢和氧的气体的工序。
基板处理方法、基板处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质.pdf
本发明提供一种获得以进行搬送基板的搬送装置的异常和故障检测为目的的基板处理方法、基板处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质。基板处理装置具有:搬送基板的搬送机器人;具有搬送机器人的搬送室;处理基板的处理室;接收搬送机器人的振动信息的振动信息接收部;接收搬送机器人的声音信息的声音信息接收部;以及构成为能够控制各结构的控制部。