一种MOCVD反应腔用加热板.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN110983299A(43)申请公布日2020.04.10(21)申请号201911226491.0(22)申请日2019.12.04(71)申请人江苏实为半导体科技有限公司地址221000江苏省徐州市邳州经济开发区辽河西路北侧、华山北路西侧(72)发明人田青林黎静(74)专利代理机构南京经纬专利商标代理有限公司32200代理人陆志斌(51)Int.Cl.C23C16/46(2006.01)H05B3/20(2006.01)权利要求书1页说明书3页附图4页(54)发明名称一种MOCVD反应腔用加热板(57)摘要本发明公开了一种MOCVD反应腔用加热板，包括，数量为偶数的若干组加热片；所有加热片均为中心对称布置；每组加热片的形状均是弧形迂回着由中心点O向外拓展；相邻两组加热片迂回的拐点彼此错开，每组加热片的自由端分别连接电源的两极。有益效果：通过将轴对称改成中心对称、将Ω形状的加热板中心改成单独分体或封闭环形的结构，以及合理布置留置区和电压位置的安装，解决了传统加热板的结构的缺陷，提高了使用的稳定性，增加了加热板的寿命。CN110983299ACN110983299A权利要求书1/1页1.一种MOCVD反应腔用加热板，其特征在于：包括，数量为偶数的若干组加热片；所有加热片均为中心对称布置；每组加热片的形状均是弧形迂回着由中心点（O）向外拓展；相邻两组加热片迂回的拐点彼此错开，每组加热片的自由端分别连接电源的两极。2.根据权利要求1所述的MOCVD反应腔用加热板，其特征在于：所有加热片中心的自由端与封闭的热环（5）固定连接。3.根据权利要求2所述的MOCVD反应腔用加热板，其特征在于：所述热环（5）的形状是圆形。4.根据权利要求1所述的MOCVD反应腔用加热板，其特征在于：所述每组加热片为单独设置彼此分开，位于中心点（O）附近的加热片的自由端连接着相同电极。5.根据权利要求1或2所述的MOCVD反应腔用加热板，其特征在于：所述加热片的数量是两组，包括：第一加热片（6）和第二加热片（7）；所述第一加热片（6）的第一迂回端（61）和第二加热片（7）的第二迂回端（71）彼此交错构成曲折的留置区（8）。6.根据权利要求5所述的MOCVD反应腔用加热板，其特征在于：所述中心点（O）设有热环（5）且热环（5）与两组加热片连接的自由端分别通过第一电极（91）和第二电极（92）的与电源连接。2CN110983299A说明书1/3页一种MOCVD反应腔用加热板技术领域[0001]本发明涉及MOCVD设备，具体涉及一种MOCVD反应腔用加热板。背景技术[0002]半导体芯片在生长时，对温场的均匀性要求较高，因此一种加热均匀且使用寿命较久的加热板对半导体芯片的制作有着至关重要的作用。[0003]通过检索，在专利名称：一种用于MOCVD设备的钨涂层加热片及其制备方法（CN106756891B）中公开了一种加热片，但是这种加热片由于中心为镂空结构并不适合半导体领域的芯片生长使用。[0004]在目前，芯片生长中使用到的加热板的结构如附图1所示，中间是形状为Ω的热弧板1，在热弧板1的两侧分别连接两组弧形热片2，两组弧形热片2是直线对称的，在弧形热片2的自由端是分别接着电源的左电极和右电极。将这种传统的加热片放在陶瓷上通电后给上方的芯片提供稳定的热源。[0005]这种平板型加热板是一种电阻式加热方式，通过热辐射的方式，给上方的生长芯片的载体（石墨盘）加热，提供芯片生长所需的热量和温场。由于加热板的间隙22部分对应上方的载盘位置的是没有直接热辐射加热的，石墨盘此部分的受热能量是靠其他部分的热传导。另外，石墨盘是通过高速旋转的（1000rpm）实现载体（石墨盘）的表面温场的均匀性（±1.0℃）。传统的对称式结构加热片中，加热板的间隙22部分是分布在同一个同心圆圆弧上，使得同心圆圆弧上的位置温场分布较差。[0006]但是传统结构的加热片在使用时候会存在很多问题：1．中间Ω形状的热弧板1在持续加热工作后会有变形，这种变形又会进一步导致加热片的整体变形，这种整体变形又会让两组加热片之间彼此接近（容易放电打火甚至短路）或上翘，这种远离或接近也会导致左电极3和右电极4，如附图2中照片的黑色箭头指示位置处。[0007]2．为了保证加热稳定，其加热片的结构相同，这使得直线对称结构的加热片，其左电极3和右电极4在同一侧，会存在短路隐患，尤其是整体变形后还会存在挤碎底部陶瓷的风险。[0008]3．为了防止每组加热片之间短路，在每个迂回的加热片之间都会留有间隙22，而传统两组加热片之间存在的间隙22（主要在直线对称轴附近）空间分布不合理，迂回拐点相对处较近，其他地方较宽，会导致提供给芯片生长的热源不稳定；同时