一种MOCVD反应系统.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN104561929A(43)申请公布日2015.04.29(21)申请号201510007486.6(22)申请日2015.01.08(71)申请人厦门市三安光电科技有限公司地址361009福建省厦门市思明区吕岭路1721-1725号(72)发明人郑锦坚李志明伍明跃郑建森寻飞林杜伟华邓和清周启伦李水清康俊勇(51)Int.Cl.C23C16/44(2006.01)权利要求书1页说明书3页附图3页(54)发明名称一种MOCVD反应系统(57)摘要本发明公开了一种MOCVD反应系统，其包括：反应腔体、设于反应腔体轴心上的载片盘和加热组件、设于反应腔体顶部的顶盖、设于顶盖下方的隔离挡板、设于反应腔体底部的尾气出气孔以及设于反应腔体侧壁的观察窗，其特征在于：在所述尾气出气孔的位置增设吹扫装置，所述吹扫装置包括吹气管和清理挡板，所述吹气管的管口与所述尾气出气孔的孔口一一对应。通过吹气管与清理挡板的搭配使用，从而有效地对每个RUN生长完的废料、粉尘等进行清理，将拆炉维护周期从常规的50~100个RUN提升至500个RUN以上，有效降低波长异常、表面异常、波长均匀性差的发生频率，同时，提升机台稼动率。CN104561929ACN104561929A权利要求书1/1页1.一种MOCVD反应系统，其包括：反应腔体、设于反应腔体轴心上的载片盘和加热组件、设于反应腔体顶部的顶盖、设于顶盖下方的隔离挡板、设于反应腔体底部的尾气出气孔以及设于反应腔体侧壁的观察窗，其特征在于：在所述隔离挡板的下方增设吹扫装置，所述吹扫装置包括吹气管和清理挡板，所述吹气管的管口与所述尾气出气孔的孔口一一对应。2.根据权利要求1所述的一种MOCVD反应系统，其特征在于：所述清理挡板连接于所述吹气管的管壁上。3.根据权利要求1所述的一种MOCVD反应系统，其特征在于：所述吹气管为空心圆柱状。4.根据权利要求1所述的一种MOCVD反应系统，其特征在于：所述清理挡板为四方柱状。5.根据权利要求1所述的一种MOCVD反应系统，其特征在于：所述吹气管用于通入高压气体。6.根据权利要求1所述的一种MOCVD反应系统，其特征在于：所述吹扫装置均匀设置于所述载片盘和加热组件的周边。7.根据权利要求1所述的一种MOCVD反应系统，其特征在于：所述吹扫装置位于所述隔离挡板的下方，其随着隔离挡板的升降而升降，随着隔离挡板的旋转而旋转。8.根据权利要求1所述的一种MOCVD反应系统，其特征在于：所述吹扫装置至少设置4组。9.根据权利要求1所述的一种MOCVD反应系统，其特征在于：所述隔离挡板还包括用于控制隔离挡板升降的升降杆以及用于控制隔离挡板旋转的旋转轴。10.根据权利要求9所述的一种MOCVD反应系统，其特征在于：所述旋转轴具有支点，并位于所述反应腔体的轴心线上。2CN104561929A说明书1/3页一种MOCVD反应系统技术领域[0001]本发明涉及一种气相沉积技术，更具体地，本发明涉及一种金属有机化学气相沉积(MOCVD)反应系统。背景技术[0002]金属有机物化学气相沉积（MOCVD）是在气相外延生长（VPE）的基础上发展起来的一种化学气相沉积工艺。它是以III族、II族元素的有机化合物和V、Ⅵ族元素的氢化物等作为晶体生长的反应气体，以热分解反应方式在蓝宝石衬底或其他衬底上进行外延沉积工艺，生长各种III-V族、II-Ⅵ族化合物半导体以及它们的多元固溶体的外延材料层。[0003]通常MOCVD系统中的晶体生长通常是在常压或低压（10~100Torr）下通H2或N2冷壁石英（不锈钢）反应腔中进行，衬底温度为500~1200℃，用射频感应或热辐射加热载片盘（衬底基片在载盘上方），H2或N2通过温度可控的液体源鼓泡携带金属有机物到生长区。不同的MOCVD设备的生产厂家对反应腔的设计也有所不同，以VEECO公司生产的MOCVD为例，如图1~3所示，现有的MOCVD系统包括反应腔体103、设于反应腔体轴心上的载片盘（图中未示出）和加热组件101、设于反应腔体顶部的顶盖（图中未示出）、设于顶盖下方的隔离挡板（shutter）105、设于反应腔体底部的尾气出气孔104以及设于反应腔体侧壁的观察窗（viewport）102。MOCVD系统外延生长前，shutter通过隔离挡板的升降杆105a降下来，位于加热组件101上的载片盘可从反应腔传进或传出；外延生长时，shutter再通过控制隔离挡板的升降杆105a升上去，保护观察窗；外延生长完后，shutter又降下来。[0004]作为MOCVD生长系统核心组成部分的反应腔，经过一段时间的外延生长，反应颗粒状废料、衬底飞片的残余物等残留在底板周围，并附着在尾气的出气孔上，进而堵塞出