半导体装置及其抽气方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN111029274A(43)申请公布日2020.04.17(21)申请号201811178403.X(22)申请日2018.10.10(71)申请人长鑫存储技术有限公司地址230601安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室(72)发明人潘磊(74)专利代理机构上海光华专利事务所(普通合伙)31219代理人余明伟(51)Int.Cl.H01L21/67(2006.01)权利要求书1页说明书5页附图2页(54)发明名称半导体装置及其抽气方法(57)摘要本发明提供一种半导体装置及其抽气方法，该装置包括：工艺腔室，工艺腔室包括上腔室、下腔室，打开所述工艺腔室后，所述上腔室与所述下腔室沿竖直方向分离；与下腔室相通连接的真空管；与真空管连接的排气管；与排气管连接的抽气泵。本方案利用同等抽力，抽气横截面越小，空气流速越大的原理，实现废弃物的快速有效去除，提高抽气效果；另外，抽气时，上腔室以及下腔室的残留废弃物均会排出，增大了抽气范围；再者，抽气装置直接连接在真空管上，操作简单便捷，且残留废弃物可直接通过排气管排出，不需要占用很多工作区域空间；最后，可减少厂务端真空建设，有效节约工厂运行成本。CN111029274ACN111029274A权利要求书1/1页1.一种半导体装置，其特征在于，所述半导体装置包括：工艺腔室，所述工艺腔室包括上腔室、下腔室，打开所述工艺腔室后，所述上腔室与所述下腔室沿竖直方向分离；与所述下腔室相通连接的真空管；与所述真空管连接的排气管；与所述排气管连接的抽气泵。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述抽气装置还包括设置在所述排气管上用于控制所述排气管通断的控制阀。3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于：所述控制阀包括手阀和气动阀，其中，所述气动阀的状态通过控制器控制。4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于：所述手阀包括球形阀。5.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于：所述抽气装置还包括设置在所述排气管上且与所述控制器连接的压力感应器，所述控制器监测所述压力感应器的压力值，并根据监测的所述压力值控制所述气动阀的状态。6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于：所述控制器包括控制面板、电源开关、气体管道分配器以及压力感应切换模块。7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述排气管通过转换阀与所述真空管连接。8.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于：所述转换阀包括三通转换阀，所述三通转换阀具有第一开口、第二开口及第三开口，所述工艺腔室还包括腔室压力计，其中，所述第一开口与所述真空管密封连接，所述第二开口与所述腔室压力计密封连接，所述第三开口与所述排气管密封连接。9.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述上腔室与所述下腔室沿竖直方向分离的距离介于1cm～2cm。10.一种半导体装置的抽气方法，其特征在于，所述抽气方法包括：沿竖直方向打开工艺腔室，使所述工艺腔室成为具有间隔的上腔室和下腔室，其中，所述下腔室相通连接真空管；接通与所述真空管连接的排气管；打开与所述排气管连接的抽气泵，并通过所述真空管及所述排气管对所述上腔室及所述下腔室进行抽气。2CN111029274A说明书1/5页半导体装置及其抽气方法技术领域[0001]本发明涉及半导体集成电路制造技术领域，特别是涉及一种用于半导体集成电路制作过程中工艺腔体打开后的半导体装置及其抽气方法。背景技术[0002]半导体集成电路的制造工艺多且复杂，通常，在半导体制造工艺中，将反应气体导入工艺腔室且在真空状态下进行预定的处理，工艺腔室例如是用于CVD(化学气相沉积)的膜形成系统、用于处理半导体晶片表面的氧化/扩散系统、或者用于薄膜的干蚀刻系统，等等，这些工艺腔室中进行的处理所用到的化学物质种类繁多，且多数具有毒性、腐蚀性、易燃性或易爆性等特质，且在处理中所用到的部分化学物质具有较低的利用效率，所以在工艺腔室中一般会设置排气系统，排气系统与工艺腔室内部保持真空状态。[0003]由于排气系统是在工艺腔室密闭的情况下进行废气排放，所以即使排气系统对工艺腔室进行了排气，在工艺腔室的内壁还是会残留废弃物(气体或悬浮颗粒)，当打开工艺腔室后残留的废弃物弥漫整个工作区域，会导致机台故障报警以及威胁工作人员的健康。[0004]为了消除工艺腔室中的残留废弃物，一般在工艺腔室打开后，会在下腔室的上部设置局部抽气管路道，对下腔室进行抽气，如图1及图2所示，当工艺腔室1ˋ打开后，上腔室11ˋ会旋转至下腔室12ˋ的上部外侧，然后在下腔室12ˋ的上部设置抽气装置，如图1所示的抽气装置为从天花板排气通道3ˋ连接排气管2ˋ至下腔室12ˋ的上部进行抽气，然后废弃物沿