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(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115939097A(43)申请公布日2023.04.07(21)申请号202210171777.9(22)申请日2022.02.24(30)优先权数据2021-1373642021.08.25JP(71)申请人铠侠股份有限公司地址日本东京(72)发明人中岛章(74)专利代理机构永新专利商标代理有限公司72002专利代理师白丽(51)Int.Cl.H01L23/538(2006.01)H01L21/768(2006.01)权利要求书2页说明书7页附图6页(54)发明名称半导体装置及其制造方法(57)摘要本发明实施方式提供能够降低布线电阻或接触电阻、并且降低制造成本的半导体装置及其制造方法。本实施方式的半导体装置具备第一导电层。布线被设置于第一导电层的上方。接触件被设置于第一导电层与布线之间。布线具备:第一金属层,其设置于第一导电层的上方,包含六方晶系晶体的钛(Ti);第二金属层,其设置于第一金属层上,包含体心立方晶格结构的钽(Ta);和设置于第二金属层上的第一布线材料。CN115939097ACN115939097A权利要求书1/2页1.一种半导体装置,其具备:第一导电层;设置于所述第一导电层的上方的布线;和设置于所述第一导电层与所述布线之间的接触件,所述布线具备:第一金属层,其设置于所述第一导电层的上方,包含六方晶系晶体的钛(Ti);第二金属层,其设置于所述第一金属层上,包含体心立方晶格结构的钽(Ta);和设置于所述第二金属层上的第一布线材料。2.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,所述第一金属层包含具有面取向(002)的晶面的钛,所述第二金属层包含具有面取向(110)的晶面的钽。3.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,所述第一金属层的晶面间距与所述第二金属层的晶面间距大致相等。4.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,所述第一金属层的晶面间距与具有面取向(002)的晶面的钽的晶面间距相比,接近具有面取向(110)的晶面的钽的晶面间距。5.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,所述第一布线材料为包含钨(W)、铝(Al)、铜(Cu)中的任一者的导电性材料。6.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,所述接触件具备:第三金属层,其设置于所述第一导电层上,包含六方晶系晶体的钛(Ti);第四金属层,其设置于所述第三金属层上,包含体心立方晶格结构的钽(Ta);和设置于所述第四金属层上的第二布线材料。7.根据权利要求6所述的半导体装置,其中,所述第一金属层与所述第三金属层为连续的单一层,所述第二金属层与所述第四金属层为连续的单一层,所述第一布线材料与所述第二布线材料为连续的单一材料。8.根据权利要求6所述的半导体装置,其中,所述第一及第二金属层被设置于所述第一布线材料与所述第二布线材料之间,所述第三及第四金属层被设置于所述第一导电层与所述第二布线材料之间。9.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,所述第一及第二金属层被设置于所述第一布线材料与所述接触件之间,所述接触件具备设置于所述第一导电层上的第五金属层、和设置于所述第五金属层上的第二布线材料。10.根据权利要求1所述的半导体装置,其进一步具备将所述接触件埋入的绝缘膜,所述布线从所述绝缘膜露出。11.一种半导体装置的制造方法,其包括:在第一导电层的上方形成绝缘膜;在所述绝缘膜中形成第一槽;在所述第一槽的内壁上形成包含六方晶系晶体的钛(Ti)的第一金属层;在所述第一金属层上形成包含体心立方晶格结构的钽(Ta)的第二金属层;以及在所述第二金属层上形成将所述第一槽埋入的第一布线材料。12.根据权利要求11所述的制造方法,其进一步包括在所述绝缘膜中形成接触孔,在所述第一槽的形成时,在所述绝缘膜中形成所述第一槽,并且使所述接触孔到达至所述第一导电层,2CN115939097A权利要求书2/2页所述第一及第二金属层形成于所述第一槽及所述接触孔的内壁上,所述第一布线材料将所述第一槽及所述接触孔埋入。13.根据权利要求11所述的制造方法,其中,在所述第一槽的形成前,进一步具备:在所述绝缘膜中形成接触孔,在所述接触孔的内壁上形成包含六方晶系晶体的钛(Ti)的第三金属层,在所述第三金属层上形成包含体心立方晶格结构的钽(Ta)的第四金属层,在所述第四金属层上形成将所述接触孔埋入的第二布线材料。14.根据权利要求11所述的制造方法,其中,在所述第一槽的形成前,进一步包括:在所述绝缘膜中形成接触孔,在所述接触孔的内壁上形成第五金属层,在所述第五金属层上形成将所述接触孔埋入的第二布线材料。15.一种半导体装置的制造方法,其包括:在第一导电层上形成绝缘膜,在所述绝缘膜中形成接触孔,在所述绝缘膜上及所述接触孔的内壁上形成包含六方晶系晶体的钛(Ti)的第