一种应用于接触钝化电池的钝化结构及其制备方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN112670352A(43)申请公布日2021.04.16(21)申请号202011490646.4(22)申请日2020.12.16(71)申请人浙江正泰太阳能科技有限公司地址310051浙江省杭州市滨江区滨安路1335号申请人海宁正泰新能源科技有限公司(72)发明人赵迎财马玉超廖晖何胜徐伟智(74)专利代理机构杭州杭诚专利事务所有限公司33109代理人尉伟敏(51)Int.Cl.H01L31/0216(2014.01)H01L31/068(2012.01)H01L31/18(2006.01)权利要求书1页说明书9页附图1页(54)发明名称一种应用于接触钝化电池的钝化结构及其制备方法(57)摘要本发明涉及太阳能电池技术领域，针对现有技术的TOPCon电池中接触钝化层光吸收率高的问题，公开了提供一种应用于接触钝化电池的钝化结构及其制备方法，包括N型衬底、设于所述N型衬底正面的两个正电极和设于所述N型衬底背面的两个负电极，所述N型衬底的背面设有SiO2层，所述SiO2层上设有掺杂多晶SiOxNy层。本发明通过用掺杂多晶氮氧化硅层替代多晶硅层，在保证接触电阻变化不大的基础上，通过适当条件的掺杂和退火，以降低接触钝化层的光吸收，提高接触钝化类型电池的效率。CN112670352ACN112670352A权利要求书1/1页1.一种应用于接触钝化电池的钝化结构，其特征是，包括N型衬底（1）、设于所述N型衬底（1）正面的两个正电极（2）和设于所述N型衬底（1）背面的两个负电极（3），所述N型衬底（1）的背面设有SiO2层（4），所述SiO2层（4）上设有掺杂多晶SiOxNy层（5）。2.根据权利要求1所述的一种应用于接触钝化电池的钝化结构，其特征是，所述N型衬底（1）的正面由内向外依次设有P+层（7）、AlOx层（8）及SiNx层（6）。3.根据权利要求2所述的一种应用于接触钝化电池的钝化结构，其特征是，所述正电极（2）依次穿过SiNx层（6）、AlOx层（8），与P+层（7）接触。4.根据权利要求1或2所述的一种应用于接触钝化电池的钝化结构，其特征是，所述N型衬底（1）的背面由内向外依次设有SiO2层（4）、掺杂多晶SiOxNy层（5）及SiNx层（6）。5.根据权利要求1或2所述的一种应用于接触钝化电池的钝化结构，其特征是，所述负电极（3）依次穿过所述SiNx层（6）与部分厚度的掺杂多晶SiOxNy层（5），与掺杂多晶SiOxNy层（5）相接触。6.一种如权利要求1‑5任一所述的应用于接触钝化电池的钝化结构的制备方法，其特征是，包括如下制备步骤：A、采用N型单晶硅片，采用槽式双面制绒；B、对正面进行硼扩，控制表面浓度为1E+19‑2E+19/cm3；C、采用酸去除背面BSG及进行背面刻蚀，然后清洗并保留正面BSG层，背面刻蚀后反射率＞32%；D、采用管式氧化，在硅片背面沉积一层1.4‑1.6nm厚的SiO2层，然后在气流下沉积SiON层，同时进行原位掺杂，掺杂后方阻约2040Ω/sq；xy~E、然后将掺杂后的硅片进行正面去绕镀并在900‑920℃环境中退火；F、在硅片正面沉积薄层AlOx，并进行双面SiNx层镀膜；G、进行丝网印刷，然后进行光退火，烧结测试，即完成电池片制备。7.根据权利要求6所述的一种应用于接触钝化电池的钝化结构，其特征是，步骤A中槽式双面制绒的减重重量为0.3‑0.35g。8.根据权利要求6所述的一种应用于接触钝化电池的钝化结构，其特征是，步骤C中的酸为HF或HNO3；背面刻蚀减重为0.2‑0.5g。9.根据权利要求6所述的一种应用于接触钝化电池的钝化结构的制备方法，其特征是，步骤D所述气流流量为NH3与SiH4的流量比或N2O与SiH4的流量比值为0.2‑5。10.根据权利要求6所述的一种应用于接触钝化电池的钝化结构的制备方法，其特征是，步骤D中SiOxNy层的厚度为120‑140nm。2CN112670352A说明书1/9页一种应用于接触钝化电池的钝化结构及其制备方法技术领域[0001]本发明涉及太阳能电池技术领域，尤其是涉及一种应用于接触钝化电池的钝化结构及其制备方法。背景技术[0002]TOPCon太阳能电池(隧穿氧化层钝化接触，TunnelOxidePassivatedContact)是一种使用超薄氧化层作为钝化层结构的太阳电池。在电池背面制备一层超薄的隧穿氧化层和一层高掺杂的多晶硅薄层，二者共同形成了钝化接触结构，该结构为硅片的背面提供了良好的表面钝化，超薄氧化层可以使多子电子隧穿进入多晶硅层同时阻挡少子空穴复合，进而电子在多晶硅层横向传输被金属收集，从而极大地降低了金属接触复合电流，提升了电池的开路电压和短路电流。[0003