一种PECVD薄膜沉积腔室及PECVD工艺.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN110527986A(43)申请公布日2019.12.03(21)申请号201910992547.7(22)申请日2019.10.18(71)申请人南京华伯新材料有限公司地址210061江苏省南京市高新技术开发区星火北路11号(72)发明人李伯平李渊(74)专利代理机构北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙)11413代理人张函王春伟(51)Int.Cl.C23C16/513(2006.01)C23C16/458(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图3页(54)发明名称一种PECVD薄膜沉积腔室及PECVD工艺(57)摘要本发明涉及一种PECVD薄膜沉积腔室及PECVD工艺。PECVD薄膜沉积腔室包括：沉积腔室本体，上电极和下电极，均设置在沉积腔室本体内部，上电极和下电极用于施加电源，并在上电极和下电极之间形成等离子体；真空腔室阀门，设置在沉积腔室本体内部，用于在开启状态下联通沉积腔室本体与大气压，并且在关闭状态下密封沉积腔室本体；固定载具，固定载具与下电极固连，位于上电极和下电极之间，用于承载待加工工件。本发明通过固定载具设置在PECVD薄膜沉积腔室中，在该腔室完成薄膜沉积工艺这一过程中不采用载具，从根本上杜绝了污染源，从而避免沉积不同掺杂层之间的掺杂原子交叉污染，适合大规模生产PECVD薄膜沉积。CN110527986ACN110527986A权利要求书1/1页1.一种PECVD薄膜沉积腔室，其特征在于，包括：沉积腔室本体，上电极和下电极，均设置在所述沉积腔室本体内部，所述上电极和下电极用于施加电源，并在所述上电极和下电极之间形成等离子体；真空腔室阀门，设置在所述沉积腔室本体内部，用于在开启状态下联通所述沉积腔室本体与大气压，并且在关闭状态下密封所述沉积腔室本体；固定载具，所述固定载具与所述下电极固连，位于所述上电极和下电极之间，用于承载待加工工件。2.根据权利要求1所述的PECVD薄膜沉积腔室，其特征在于，所述固定载具为导电材料的固定载具。3.根据权利要求2所述的PECVD薄膜沉积腔室，其特征在于，所述固定载具为石墨固定载具、碳纤维固定载具、铝制固定载具中的一种。4.根据权利要求1所述的PECVD薄膜沉积腔室，其特征在于，所述上电极和下电极用于施加RF射频电源或VHF甚高频电源。5.根据权利要求1-3任一项所述的PECVD薄膜沉积腔室，其特征在于，还包括磁场装置和气源入口；所述气源入口，用于在所述真空腔室阀门关闭状态下向所述沉积腔室本体内输送工艺气源。6.根据权利要求1-3任一项所述的PECVD薄膜沉积腔室，其特征在于，所述固定载具是单层固定载具、两层固定载具或多层固定载具中的一种。7.一种PECVD工艺，其特征在于，使用权利要求1-6任一项所述的PECVD薄膜沉积腔室。8.根据权利要求7所述的工艺，其特征在于，包括如下步骤：1)将所述待加工工件通过自动化设备放置在所述固定载具上；2)进行薄膜沉积；3)将加工后的工件通过自动化设备移出所述PECVD薄膜沉积腔室。9.根据权利要求8所述的工艺，其特征在于，步骤2)包括：关闭所述真空腔室阀门，待所述沉积腔室本体内部真空后，通过所述气源入口向所述沉积腔室本体内部输送工艺气源，所述工艺气源在所述上电极和下电极之间形成等离子体，在此条件下所述待加工工件完成薄膜沉积。10.根据权利要求9所述的工艺，其特征在于，所述工艺气源包括含有硅和/或氢的气体。2CN110527986A说明书1/4页一种PECVD薄膜沉积腔室及PECVD工艺技术领域[0001]本发明涉及微电子技术领域，特别是涉及一种PECVD薄膜沉积腔室及PECVD工艺。背景技术[0002]PECVD(PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition)是指等离子体增强化学的气相沉积法。这种方法有很多优点，比如成膜质量好等。PECVD是借助微波或射频等使含有薄膜成分原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。为了使化学反应能在较低的温度下进行，利用了等离子体的活性来促进反应，因而这种CVD称为等离子体增强化学气相沉积(PECVD)。[0003]为避免沉积不同掺杂层之间的掺杂原子交叉污染，适合大规模生产的PECVD设备必须具备多个独立封闭的腔室，产品通过载具在各个腔室中移动，这些对制备条件的特殊要求势必增加产品的成本，不利于提高产品的竞争力，而且载具在各个腔室中移动时载具上的上一次沉积的薄膜掺杂原子也会对本次掺杂薄膜形成污染。为了避免或减少污染的产生，传统技术采用了以下的各种方法：每一种薄膜采用一个PECVD腔室沉积，各种薄膜沉积用到的载板单独使用，不与其他种薄膜