一种NOR Flash栅极多晶硅工艺方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN111129021A(43)申请公布日2020.05.08(21)申请号201911373896.7(22)申请日2019.12.27(71)申请人华虹半导体（无锡）有限公司地址214028江苏省无锡市新吴区新洲路30号(72)发明人熊伟陈华伦(74)专利代理机构上海浦一知识产权代理有限公司31211代理人戴广志(51)Int.Cl.H01L27/11517(2017.01)H01L29/423(2006.01)权利要求书2页说明书5页附图7页(54)发明名称一种NORFlash栅极多晶硅工艺方法(57)摘要本发明提供一种NORFlash栅极多晶硅工艺方法，提供同一工艺中的Flash存储区及外围逻辑区；在flash存储区中的栅极多晶硅以及外围逻辑区的逻辑区多晶硅上形成多晶硅硬掩膜；刻蚀去除flash存储区中栅极多晶硅上的多晶硅硬掩膜，保留外围逻辑区中逻辑区多晶硅上的多晶硅硬掩膜；刻蚀去除flash存储区中的栅极多晶硅；刻蚀去除flash存储区中的栅极氧化层和氮化硅层；刻蚀去除flash存储区中的字线端头处多晶硅,以及定义外围逻辑区中的逻辑区多晶硅。本发明不增加光罩，使用已有的存储单元光罩对flash区预先处理后，使逻辑区域与flash区域氧化层厚度接近，在进行多晶硅刻蚀时可兼顾逻辑区及Flash存储区一并刻蚀，避免因不同工艺逻辑栅极多晶硅厚度差别需要增加光罩对Flash存储区特殊处理。CN111129021ACN111129021A权利要求书1/2页1.一种NORFlash栅极多晶硅工艺方法，其特征在于，该方法至少包括以下步骤：步骤一、提供同一工艺中的flash存储区以及外围逻辑区；其中所述flash存储区中至少包括：字线多晶硅、位于所述字线多晶硅上的多晶硅氧化层；位于所述多晶硅氧化层上的氮化硅层；位于所述氮化硅层上的栅极氧化层；位于所述栅极氧化层上的栅极多晶硅；所述外围逻辑区至少包括：逻辑区多晶硅；步骤二、在所述flash存储区中的所述栅极多晶硅以及所述外围逻辑区的逻辑区多晶硅上形成多晶硅硬掩膜；步骤三、刻蚀去除所述flash存储区中所述栅极多晶硅上的多晶硅硬掩膜，保留所述外围逻辑区中所述逻辑区多晶硅上的所述多晶硅硬掩膜；步骤四、刻蚀去除所述flash存储区中的所述栅极多晶硅；步骤五、刻蚀去除所述flash存储区中的所述栅极氧化层和氮化硅层；步骤六、刻蚀去除所述flash存储区中的所述字线多晶硅以及所述外围逻辑区中的所述逻辑区多晶硅。2.根据权利要求1所述的NORFlash栅极多晶硅工艺方法，其特征在于：步骤一中与所述flash存储区以及外围逻辑区处于同一工艺中的还包括flash单元，所述flash单元至少包括：字线多晶硅、位于所述字线多晶硅上的多晶硅氧化层；位于所述多晶硅氧化层上的氮化硅层；位于所述氮化硅层上的栅极氧化层；位于所述栅极氧化层上的栅极多晶硅。3.根据权利要求2所述的NORFlash栅极多晶硅工艺方法，其特征在于：步骤二中在所述flash存储区中的所述栅极多晶硅以及所述外围逻辑区的逻辑区多晶硅上形成多晶硅硬掩膜的同时在所述flash单元中的所述栅极多晶硅上形成所述多晶硅硬掩膜。4.根据权利要求3所述的NORFlash栅极多晶硅工艺方法，其特征在于：步骤三在去除所述flash存储区中所述栅极多晶硅上的所述多晶硅硬掩膜的同时，去除所述flash单元中所述栅极多晶硅上的所述多晶硅硬掩膜。5.根据权利要求4所述的NORFlash栅极多晶硅工艺方法，其特征在于：步骤四中刻蚀去除所述flash存储区中的所述栅极多晶硅的同时并刻蚀去除所述flash单元中的所述栅极多晶硅。6.根据权利要求5所述的NORFlash栅极多晶硅工艺方法，其特征在于：步骤五中刻蚀去除所述flash存储区中的所述栅极氧化层和氮化硅层的同时并刻蚀去除所述flash单元中的所述栅极氧化层和氮化硅层。7.根据权利要求6所述的NORFlash栅极多晶硅工艺方法，其特征在于：所述flash存储区还包括位于所述字线多晶硅侧壁和底部的氧化层、位于该氧化层外侧壁的侧墙、位于该侧墙外侧的浮栅，位于该浮栅外侧的浮栅氮化硅。8.根据权利要求7所述的NORFlash栅极多晶硅工艺方法，其特征在于：所述flash单元还包括位于所述字线多晶硅侧壁和底部的氧化层、位于该氧化层外侧壁的侧墙、位于该侧墙外侧的浮栅，位于该浮栅外侧的浮栅氮化硅。9.根据权利要求8所述的NORFlash栅极多晶硅工艺方法，其特征在于：步骤五中刻蚀去除所述flash存储区中的所述氮化硅层的同时，所述flash存储区中的浮栅氮化硅以及所述flash单元中的所述浮栅氮化硅被刻蚀去除。10.根据权利要求9所述的NORFlash栅极多晶硅工