一种激光蚀刻装置.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN111283331A(43)申请公布日2020.06.16(21)申请号202010130905.6(22)申请日2020.02.28(71)申请人深圳市华星光电半导体显示技术有限公司地址518132广东省深圳市光明新区公明街道塘明大道9-2号(72)发明人胡平均(74)专利代理机构深圳紫藤知识产权代理有限公司44570代理人张晓薇(51)Int.Cl.B23K26/362(2014.01)B23K26/142(2014.01)权利要求书1页说明书5页附图3页(54)发明名称一种激光蚀刻装置(57)摘要本申请公开了一种激光蚀刻装置，其包括安装台、激光蚀刻头、防护件以及吸气件；所述激光蚀刻头和所述防护件设置于所述安装台的底侧上，所述防护件围绕所述激光蚀刻头设置以形成吸尘腔；所述吸气件配设有吸气管，所述吸气管的进气端与所述吸尘腔连通。使用激光蚀刻装置对共通电极膜层进行激光蚀刻的过程中，吸气件处于工作状态，吸气管的吸气端产生的吸力将蚀刻过程中产生的颗粒以及气化态的离子粉末吸入到吸尘腔后抽离至吸气管内，防止蚀刻过程中产生的颗粒遗留并污染彩膜基板的表面，提升产品的外观及电性良率，同时可以大大提高激光蚀刻装置内部的洁净度。CN111283331ACN111283331A权利要求书1/1页1.一种激光蚀刻装置，其特征在于，所述激光蚀刻装置包括：安装台；激光蚀刻头，所述激光蚀刻头设置于所述安装台的底侧上；防护件，所述防护件设置于所述安装台的底侧上，所述防护件围绕所述激光蚀刻头设置以形成吸尘腔；吸气件，所述吸气件配设有吸气管，所述吸气管的进气端与所述吸尘腔连通。2.根据权利要求1所述的激光蚀刻装置，其特征在于，所述吸气件位于所述防护件的外侧，所述吸气管贯穿所述吸气件侧壁与所述吸尘腔连通。3.根据权利要求2所述的激光蚀刻装置，其特征在于，所述吸气管的进气端朝远离所述安装台的方向倾斜设置。4.根据权利要求1所述的激光蚀刻装置，其特征在于，所述防护件包括至少两个沿远离所述激光蚀刻头方向依次排布的防护板，所述防护板围绕所述激光蚀刻头设置。5.根据权利要求4所述的激光蚀刻装置，其特征在于，相邻两所述防护板之间形成防尘扩散腔，所述激光蚀刻装置还包括鼓气件，所述鼓气件配设有出气管，所述出气管的出气端与所述防尘扩散腔连通。6.根据权利要求5所述的激光蚀刻装置，其特征在于，所述鼓气件设置于所述防护件的外侧，所述出气管贯穿所述防护板与所述防尘扩散腔连通。7.根据权利要求5所述的激光蚀刻装置，其特征在于，所述出气管的出气端朝远离所述安装台的方向倾斜设置。8.根据权利要求5所述的激光蚀刻装置，其特征在于，所述鼓气件配设有至少两根出气管，且所有所述出气管的出气端绕所述防护板的周侧分布。9.根据权利要求4所述的激光蚀刻装置，其特征在于，所述防护板靠近所述安装台的一端的开口宽度大于所述防护板远离所述安装台的一端的开口宽度。10.根据权利要求9所述的激光蚀刻装置，其特征在于，所述防护板包括设置于所述安装台上的本体以及安装于所述本体远离所述安装台的一端上的导气件，所述导气件的纵截面呈圆台状，所述导气件靠近所述安装台的一端的开口宽度大于所述导气件远离所述安装台的一端的开口宽度。2CN111283331A说明书1/5页一种激光蚀刻装置技术领域[0001]本申请涉及显示面板制造技术领域，尤其涉及显示面板制造设备技术领域，具体涉及一种激光蚀刻装置。背景技术[0002]HVA型液晶面板制程中，采用阵列基板作为接触进电基板时，由于阵列基板中排线密集以及跨线较多，存在短路等缺点。因此，新工艺采用LOC(LaserpatterningOnCF)技术，即将彩膜(CF)基板作为接触进电基板，彩膜基板上只有2种电信号，即高电平信号及低电平信号，LOC技术可以将阵列基板上的集线区变得简单，并减少阵列基板的排版面。[0003]LOC技术即利用镭射激光对彩膜基板上的整面共通电极膜层进行蚀刻，将共通电极分区划线。镭射激光蚀刻共通电极的原理为：当共通电极吸收镭射激光的能量后产生热变化，使得共通电极气化，达到刻蚀的目的；主要分为两步：一是镭射激光的高能量使得共通电极表面离子化；二是产生大量的热使得共通电极气化。[0004]然而，在对共通电极膜层进行激光蚀刻的过程中，共通电极会出现表面离子化和气化，产生的颗粒会遗留并污染彩膜基板的表面，影响产品的外观及电性良率。发明内容[0005]本申请实施例提供一种激光蚀刻装置，以解决对共通电极膜层进行激光蚀刻的过程中，产生的颗粒会遗留并污染彩膜基板的表面，影响产品的外观及电性良率的技术问题。[0006]为解决上述问题，本发明提供的技术方案如下：[0007]一种激光蚀刻装置，其包括：[0008]安装台