一种新型环保硅晶片清洗试剂及其制备方法及其应用.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN111440675A(43)申请公布日2020.07.24(21)申请号202010169150.0C11D3/33(2006.01)(22)申请日2020.03.12C11D3/60(2006.01)B08B3/08(2006.01)(71)申请人济南德锡科技有限公司B08B3/10(2006.01)地址250100山东省济南市高新区新泺大街2008号银荷大厦D座7层(72)发明人骆祖文王鲁艳朱艳丽(74)专利代理机构济南尚本知识产权代理事务所(普通合伙)37307代理人杨宝根(51)Int.Cl.C11D1/831(2006.01)C11D3/04(2006.01)C11D3/075(2006.01)C11D3/08(2006.01)C11D3/20(2006.01)权利要求书2页说明书5页附图1页(54)发明名称一种新型环保硅晶片清洗试剂及其制备方法及其应用(57)摘要一种新型环保硅晶片清洗试剂及其制备方法及其应用，包括如下质量浓度的物质：氢氧化钾0.2-1.0g/L；硅酸钠0.1-0.8g/L；焦磷酸钾0.1-1.0g/L；络合剂0.01-0.1g/L；渗透剂0.05-0.5g/L；乳化剂0.05-0.5g/L；余量为蒸馏水。本发明的配方中不含有任何有机溶剂和氟离子表面活性剂，本发明所制备的清洗试剂特别适用于单晶硅、多晶硅等硅晶片的清洗，清洗表面均匀光洁，无任何花斑、砂粒、研磨料、金属离子及指纹等残留，通过滤纸擦拭，无任何硅粉等物质残留，能极好的满足客户生产需求，且该工艺环保，生产过程无任何有机溶剂添加，产品环保无污染。CN111440675ACN111440675A权利要求书1/2页1.一种新型环保硅晶片清洗试剂，其特征在于：包括如下质量浓度的物质：氢氧化钾0.2-1.0g/L；硅酸钠0.1-0.8g/L；焦磷酸钾0.1-1.0g/L；络合剂0.01-0.1g/L；渗透剂0.05-0.5g/L；乳化剂0.05-0.5g/L；余量为蒸馏水。2.根据权利要求1所述的一种新型环保硅晶片清洗试剂，其特征在于：包括如下质量浓度的物质：氢氧化钾0.4-0.6g/L；硅酸钠0.2-0.5g/L；焦磷酸钾0.2-0.5g/L；络合剂0.03-0.06g/L；渗透剂0.1-0.3g/L；乳化剂0.1-0.3g/L；余量为蒸馏水。3.根据权利要求1所述的一种新型环保硅晶片清洗试剂，其特征在于：所述的络合剂为乙二胺四乙酸二钠、氨三乙酸三钠、氨基三亚甲基磷酸钠、羟基乙叉二膦酸钠、酒石酸钾钠的其中任意一种或任意两种以上以任意比例的混合物。4.根据权利要求1所述的一种新型环保硅晶片清洗试剂，其特征在于：所述的渗透剂为直链辛基聚氧乙烯醚、直链壬基聚氧乙烯醚、直链癸基聚氧乙烯醚、直链辛基聚氧乙烯聚氧丙烯醚、直链壬基聚氧乙烯聚氧丙烯醚、直链癸基聚氧乙烯聚氧丙烯醚、支链二乙基己基聚氧乙烯醚、二乙基己基聚氧乙烯聚氧丙烯醚、二乙基己基硫酸酯钠、二乙基己基磷酸酯钠的其中任意一种或任意两种以上以任意比例的混合物。5.根据权利要求1所述的一种新型环保硅晶片清洗试剂，其特征在于：所述的乳化剂为十二烷基苯磺酸钠、癸基苯磺酸钠、十二烷基硫酸钠、十二烷基磺酸钠、油酸钠、亚油酸钠、月桂醇聚氧乙烯醚、月桂醇聚氧乙烯醚磷酸钠、壬基酚聚氧乙烯醚、辛基酚聚氧乙烯醚、辛烯基琥珀酸的其中任意一种或任意两种以上以任意比例的混合物。6.根据权利要求1所述的一种新型环保硅晶片清洗试剂，其特征在于：所述的pH为10-13。7.根据权利要求6所述的一种新型环保硅晶片清洗试剂，其特征在于：所述的pH为11-13。8.一种新型环保硅晶片清洗试剂的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：步骤一：计算并称量取氢氧化钾、硅酸钠、焦磷酸钾、络合剂、渗透剂、乳化剂；步骤二：向反应釜中加入三分之二理论体积的蒸馏水，开启搅拌，加入所需氢氧化钾，搅拌至完全溶解；步骤三：向反应釜中加入硅酸钠，焦磷酸钾，搅拌至完全溶解；步骤四：加入络合剂、渗透剂、乳化剂，搅拌3-4h，至溶液澄清透明；2CN111440675A权利要求书2/2页步骤五：按所需生产体积定容，再搅拌0.5h至充分混合均匀，过滤包装即产品。9.一种新型环保硅晶片清洗试剂的应用，其特征在于：所述的清洗试剂在对硅晶片清洗时的温度为30-70℃；所述的清洗试剂的清洗时间为20-30min。10.根据权利要求9所述的一种新型环保硅晶片清洗试剂的制备方法，其特征在于：所述的清洗试剂在对硅晶片清洗时采用清洗试剂浸泡超声波振荡或清洗试剂喷淋的方式进行清洗。3CN111440675A说明书1/5页一种新型环保硅晶片清洗试剂及其制备方法及其应用技术领域[0001]本发明属于硅晶片清洗领域领域，具体地说