残留气体去除设备和方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN111524832A(43)申请公布日2020.08.11(21)申请号202010342136.6(22)申请日2020.04.27(71)申请人华虹半导体（无锡）有限公司地址214028江苏省无锡市新吴区新洲路30号(72)发明人阚保国阚杰曹春生冯大贵吴长明(74)专利代理机构上海浦一知识产权代理有限公司31211代理人黎伟(51)Int.Cl.H01L21/67(2006.01)H01L21/02(2006.01)权利要求书1页说明书4页附图1页(54)发明名称残留气体去除设备和方法(57)摘要本申请公开了一种残留气体去除设备和方法，包括：壳体，为立方体，六个面中具有开口面；至少两个腔室，设置于壳体中，用于放置晶圆，至少两个腔室中设置有进气口和排气口，当设备工作时，从进气口通入气体，气体从出气口排出以去除放置于腔室中的晶圆上的残留气体；门板，设置于开口面。本申请通过在残留气体去除设备的腔室中设置进气口和排气口，当设备工作时，从进气口通入气体，气体从出气口排出以去除放置于腔室中的晶圆上的残留气体，由于通过气体去除残留气体的效率高于静置去除，因此能够降低去除残留气体的时间，提高了器件的制造效率，同时也提高了对晶圆的残留气体的去除效果，在一定程度上降低了晶圆的颗粒缺陷。CN111524832ACN111524832A权利要求书1/1页1.一种残留气体去除设备，其特征在于，所述设备应用于半导体制造工艺的金属互连工艺中，所述设备包括：壳体，所述壳体为立方体，所述壳体的六个面中具有开口面；至少两个腔室，所述至少两个腔室设置于所述壳体中，用于放置晶圆，所述至少两个腔室中设置有进气口和排气口，当所述设备工作时，从所述进气口通入气体，所述气体从所述出气口排出以去除放置于所述腔室中的晶圆上的残留气体；门板，所述门板设置于所述开口面。2.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，对于所述至少两个腔室中的任一腔室，其包括至少一个进气口和至少一个排气口。3.根据权利要求2所述的设备，其特征在于，对于所述至少两个腔室中的任一腔室，其包括多个进气口。4.根据权利要求3所述的设备，其特征在于，所述至少两个腔室中每个腔室之间相互隔离。5.根据权利要求1至4任一所述的设备，其特征在于，当所述设备工作时，从所述进气口通入所述腔室的气体包括氮气。6.根据权利要求5所述的设备，其特征在于，当所述设备工作时，从所述进气口通入所述腔室的气体的温度为25摄氏度至80摄氏度。7.一种残留气体去除方法，其特征在于，所述方法应用于半导体制造工艺的金属互连工艺中，所述方法包括：打开残留气体去除设备的门板；将晶圆放置于所述设备的腔室中；关闭所述门板，从所述腔室中的进气口通入气体，所述气体从所述腔室的排气口排出以去除所述晶圆上的残留气体；打开所述门板，取出所述晶圆。8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述设备包括至少两个腔室；所述将晶圆放置于所述设备的腔室中，包括：将至少两个晶圆中的每个晶圆放置在所述至少两个腔室的每个腔室中。9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，从所述进气口通入所述腔室的气体包括氮气。10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，从所述进气口通入所述腔室的气体的温度为25摄氏度至80摄氏度。11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，从所述腔室中的进气口通入气体的时间小于20分钟。12.根据权利要求7至11任一所述的方法，其特征在于，对于所述至少两个腔室中的任一腔室，其包括至少一个进气口和至少一个排气口。13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，对于所述至少两个腔室中的任一腔室，其包括多个进气口。14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，所述至少两个腔室中每个腔室之间相互隔离。2CN111524832A说明书1/4页残留气体去除设备和方法技术领域[0001]本申请涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种半导体制造工艺中的残留气体去除设备和残留气体去除方法。背景技术[0002]在半导体制造工艺，尤其是FAB7(fabrication7，制程通常为90纳米至65纳米的半导体制造工艺)的金属互连工艺中，通常采用ALO(all-in-one)工艺，在该工艺过程中，集成有半导体器件的晶圆通常由于残留反应气体的原因从而导致化学污染，造成晶圆的颗粒缺陷(condense)。[0003]鉴于此，相关技术中，在对晶圆进行金属互连工艺中的相应的工序后，通常会将晶圆放置预定时间(通常是20分钟)以去除晶圆上的残留气体(该方法又被称为“清除放置(purgestorage)”)，再进行下一道工序。[0004]然而，放置晶圆的时间较长会降低半导体器件产品的制造效率；同时，通过放置以去除残留气体的方法去除