去除氮化镓残留的方法和巨量转移方法.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115588685A(43)申请公布日2023.01.10(21)申请号202110768218.1(22)申请日2021.07.05(71)申请人重庆康佳光电技术研究院有限公司地址402760重庆市璧山区璧泉街道钨山路69号（1号厂房）(72)发明人范春林萧俊龙蔡明达汪楷伦王斌(74)专利代理机构广州三环专利商标代理有限公司44202专利代理师熊永强(51)Int.Cl.H01L27/15(2006.01)H01L33/00(2010.01)权利要求书1页说明书6页附图5页(54)发明名称去除氮化镓残留的方法和巨量转移方法(57)摘要本申请涉及一种去除氮化镓残留的方法和巨量转移方法，去除氮化镓残留的方法包括：提供一电路背板；电路背板上键合有若干发光芯片；在电路背板上形成一保护层；保护层相对电路背板的高度低于发光芯片远离电路背板的表面的高度；透过一酸性溶液对各发光芯片进行清洗，以去除各发光芯片表面的氮化镓残留。通过形成保护层，能够暴露发光芯片上的氮化镓残留，使得氮化镓残留能够与酸性溶液接触并发生腐蚀反应而被去除，提升发光芯片发光效果，优化视校，同时保护层能阻挡酸性溶液与电路背板接触，使得电路背板被保护层保护，避免电路背板被腐蚀而损伤，能提升良率和产品可靠性。CN115588685ACN115588685A权利要求书1/1页1.一种去除氮化镓残留的方法，其特征在于，包括：提供一电路背板；其中，所述电路背板上键合有若干发光芯片；在电路背板上形成一保护层；其中，所述保护层相对所述电路背板的高度低于所述发光芯片远离所述电路背板的表面的高度；以及透过一酸性溶液对各所述发光芯片进行清洗，以去除各所述发光芯片表面的氮化镓残留。2.如权利要求1所述的去除氮化镓残留的方法，其特征在于，所述发光芯片的电极与所述电路背板的焊盘键合；所述保护层相对所述电路背板的高度不低于所述焊盘和所述电极的总高度。3.如权利要求1所述的去除氮化镓残留的方法，其特征在于，所述发光芯片的电极与所述电路背板的焊盘键合；所述保护层相对所述电路背板的高度介于所述焊盘高度与所述电极高度加所述焊盘高度的总高度之间。4.如权利要求1所述的去除氮化镓残留的方法，其特征在于，采用喷墨打印工艺形成所述保护层。5.如权利要求4所述的去除氮化镓残留的方法，其特征在于，所述形成所述保护层的步骤包括：提供一喷墨打印装置，所述喷墨打印装置包括多个喷头；将各所述喷头插入各相邻的两个所述发光芯片之间，并透过各所述喷头向所述电路背板喷涂预定厚度的所述保护层；对所述保护层进行烘烤固化。6.如权利要求5所述的去除氮化镓残留的方法，其特征在于，喷涂的所述保护层的预定厚度介于4μm‑6μm之间。7.如权利要求1所述的去除氮化镓残留的方法，其特征在于，所述酸性溶液为浓度介于20％‑30％的盐酸。8.如权利要求1所述的去除氮化镓残留的方法，其特征在于，还包括：待所述发光芯片清洗完毕，去除所述保护层。9.一种巨量转移方法，其特征在于，包括：提供一基板，所述基板上形成有若干发光芯片；将所述基板具有所述发光芯片的一面与电路背板键合；透过一激光剥离所述基板，并透过如权利要求1至6任一项所述的去除氮化镓残留的方法对所述发光芯片进行处理。10.如权利要求9所述的巨量转移方法，其特征在于，所述基板包括生长基板、暂态基板或临时基板中的任意一种。2CN115588685A说明书1/6页去除氮化镓残留的方法和巨量转移方法技术领域[0001]本申请涉及半导体制程技术领域，尤其涉及一种去除氮化镓残留的方法和巨量转移方法。背景技术[0002]蓝宝石基板上通过沉积氮化镓(GaN)、砷化镓(GaAs)外延结构来生长微发光二极管(MicroLED)芯片，由于蓝宝石本身偏厚且材质导热慢，后续需要用激光剥离GaN层，然后通过巨量转移工艺与电路背板进行键合(Bonding，也可称绑定)才能实现MicroLED的产品端应用。[0003]激光可以使表层的GaN进行分解，但是芯片表面仍有残留的GaN，目前MicroLED产品普遍使用底发光结构，残留的GaN会严重的影响MicroLED发光效果，导致视校降低。[0004]但是现有的酸洗方法有损伤电路背板上的焊盘(UBM)及驱动电路的风险，导致良率降低、产品可靠性下降。[0005]因此，如何能去除氮化镓残留，且不损伤电路背板上的焊盘和驱动电路是亟需解决的问题。发明内容[0006]鉴于上述现有技术的不足，本申请的目的在于提供一种去除氮化镓残留的方法和巨量转移方法，旨在解决能去除氮化镓残留，且不损伤电路背板上的焊盘和驱动电路的问题。[0007]一种去除氮化镓残留的方法，包括：[0008]提供一电路背板；其中，所述电路背板上键合有若干发光芯片；在电路背板上