使用正胶做掩膜进行金属薄膜剥离的方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN111522208A(43)申请公布日2020.08.11(21)申请号202010372353.X(22)申请日2020.05.06(71)申请人南京南大光电工程研究院有限公司地址210046江苏省南京市经济技术开发区恒发路28号04幢(72)发明人王勇谢自力潘巍巍黄愉彭伟(74)专利代理机构江苏斐多律师事务所32332代理人张佳妮(51)Int.Cl.G03F7/42(2006.01)H01L21/02(2006.01)权利要求书1页说明书3页附图3页(54)发明名称使用正胶做掩膜进行金属薄膜剥离的方法(57)摘要本发明公开了一种使用正胶做掩膜进行的金属薄膜剥离的方法。在基片上涂胶、前烘、曝光、显影、清洗、泛曝光、镀金属、剥离，剥离是：在基片表面贴蓝膜，再将蓝膜撕掉，利用蓝膜的粘性将底部有胶的金属去除。最后将基片置于有机溶剂中，去除基片表面残余的光刻胶及其上残留的金属。本发明采用传统正胶，在光刻机中使用正胶正常曝光的能量和曝光时间进行整面泛曝光，再进行镀膜。正胶经过泛曝光之后，光刻胶交联被改变，粘附性降低，分子间发生断链反应，使胶的表面出现针孔，从而使得金属薄膜与正胶的表面黏附性变差，用蓝膜可以直接撕掉底部有胶的金属层，克服了正胶显影后角度为直角或者接近直角金属不易抬离的缺点。CN111522208ACN111522208A权利要求书1/1页1.一种使用正胶做掩膜进行金属薄膜剥离的方法，其特征在于：在基片上涂上一层正胶，经前烘、曝光、显影、清洗、泛曝光处理后，在正胶表面镀金属，然后剥离剥离，剥离时在整面已镀金属的基片表面贴蓝膜，再将蓝膜撕掉，利用蓝膜的粘性将底部有胶的金属去除，最后将基片置于有机溶液中浸泡，去除基片表面残余的光刻胶及其上残留的金属。2.根据权利要求1所述的使用正胶做掩膜进行金属薄膜剥离的方法，其特征在于：所述有机溶剂为常温丙酮溶液，或90℃的N甲基吡咯烷酮，浸泡时间为15min。3.根据权利要求1或2所述的使用正胶做掩膜进行金属薄膜剥离的方法，其特征在于：曝光和泛曝光采用的能量均为20毫瓦/平方厘米、3.5秒。2CN111522208A说明书1/3页使用正胶做掩膜进行金属薄膜剥离的方法技术领域[0001]本发明涉及一种使用正胶做掩膜剥离金属薄膜的方法，属于半导体芯片加工领域。背景技术[0002]利用剥离技术制作微细金属的图形，在微米、亚微米范围内是一种非常有价值的技术。剥离技术的基本顺序是首先在洁净的基片表面涂上一层或多层负光刻胶，进行前烘、曝光、后烘、显影等不同工艺处理后，在基片表面得到倒梯形光刻胶侧剖面几何图形，然后通过蒸发或者溅射的方法，在基片表面沉积金属层，最后剥离掉光刻胶及其上的金属，而与基片紧密接触的金属层保留下来。[0003]剥离技术一般分为负胶剥离、图形反转剥离。金属图形线条的粗细受到光刻分辨率的限制，为了充分发挥剥离工艺的能力，必须精确的控制掩膜图形的尺寸。通常正胶具有灵敏度高，膨胀变形小，形成图形稳定性好的优点。但是由于正胶曝光显影后形成类似直角形状，不易被抬离。[0004]负胶剥离由于其所实现的图形一般为倒梯形，金属薄膜与光刻胶容易形成剥离所需的断面，所以比较容易实现剥离。但负胶本身也存在着明显的缺点，即膨胀率高，稳定性差，分辨率低，且成本极高，而且在显影前多一次曝光后烘烤工序。[0005]CN108398860A-一种半导体激光器芯片金属的剥离方法公开了一种剥离方法，即为图形反转剥离法，采用反转胶，经过两次曝光，其中第二次曝光为泛曝光，光刻胶由正胶变为负胶，使形成的图形为倒梯形，金属薄膜与光刻胶形成断面，从而达到易剥离的目的。这种图形反转胶价更加昂贵，且工序增加。并不适用于芯片的批量生产。发明内容[0006]本发明的目的在于提供一种正胶做掩膜层剥离金属薄膜的方法。[0007]本发明采用的技术方案为：[0008]一种使用正胶做掩膜进行金属薄膜剥离的方法，其特征在于：在基片上涂上一层正胶，经前烘、曝光、显影、清洗、泛曝光处理后，在正胶表面镀金属，然后剥离剥离，剥离时在整面已镀金属的基片表面贴蓝膜，再将蓝膜撕掉，利用蓝膜的粘性将底部有胶的金属去除，最后将基片置于有机溶液中浸泡，去除基片表面残余的光刻胶及其上残留的金属。[0009]优选的，所述有机溶剂为常温丙酮溶液，或90℃的N甲基吡咯烷酮，浸泡时间为15min。[0010]优选的，曝光和泛曝光采用的能量均为20毫瓦/平方厘米、3.5秒。[0011]本发明通过采用传统正胶，单层胶工艺，实现对图形的转移，主要增加泛曝光过程。再经过蒸发或者溅射沉积金属薄膜，使用蓝膜可以直接去掉底部有正胶的金属薄膜，再用丙酮或者N-甲基吡咯烷酮去除残余光刻胶，有效地提高了剥离的效率。本