晶圆级封装方法、半导体封装结构及芯片.pdf

(19)国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN115841957A(43)申请公布日2023.03.24(21)申请号202211327907.X(22)申请日2022.10.27(71)申请人武汉新芯集成电路制造有限公司地址430205湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号(72)发明人潘志刚吴之焱石天福(74)专利代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237专利代理师张亚静(51)Int.Cl.H01L21/50(2006.01)H01L21/56(2006.01)H01L23/31(2006.01)权利要求书1页说明书6页附图2页(54)发明名称晶圆级封装方法、半导体封装结构及芯片(57)摘要本发明涉及一种晶圆级封装方法、一种半导体封装结构及一种芯片。所述晶圆级封装方法中，先对应于晶圆结构第一表面的部分区域在所述晶圆结构中形成沟槽，再形成塑封层，所述塑封层从第一表面一侧覆盖所述晶圆结构并填充所述沟槽，所述塑封层的一部分填充在沟槽内，一部分位于沟槽外，当所述塑封层产生收缩时，沟槽内的塑封层部分和沟槽外的塑封层部分都会收缩，使得晶圆结构的受力趋于平衡，可降低晶圆结构翘曲的风险。所述半导体封装结构和所述芯片的制作可采用上述晶圆级封装方法。CN115841957ACN115841957A权利要求书1/1页1.一种晶圆级封装方法，其特征在于，包括：提供一待塑封的晶圆结构，所述晶圆结构具有相背的第一表面和第二表面；对应于所述第一表面的部分区域在所述晶圆结构中形成沟槽；以及形成塑封层，所述塑封层覆盖所述晶圆结构并填充所述沟槽。2.如权利要求1所述的晶圆级封装方法，其特征在于，形成所述沟槽包括：利用片锯切割相应区域的所述晶圆结构，以形成所述沟槽。3.如权利要求1所述的晶圆级封装方法，其特征在于，所述晶圆结构包括晶圆和堆叠在所述晶圆表面的至少一个晶粒，所述沟槽形成于所述晶粒周围的所述晶圆中。4.如权利要求1所述的晶圆级封装方法，其特征在于，所述第一表面的部分区域设置有划片道，至少部分所述沟槽对应于所述划片道的位置形成；在形成所述塑封层后，所述晶圆级封装方法还包括：对应于所述划片道的位置，从所述第二表面切割所述晶圆结构和所述塑封层，得到芯片。5.一种芯片，其特征在于，包括芯片主体和塑封层，所述芯片主体具有相背的第一表面和第二表面，所述芯片主体中形成有开口朝向所述第一表面一侧的沟槽，所述塑封层覆盖所述芯片主体并填充所述沟槽。6.如权利要求5所述的芯片，其特征在于，所述芯片主体包括底部芯片层和堆叠在所述底部芯片层表面的至少一个晶粒，所述沟槽位于所述底部芯片未被所述晶粒覆盖的区域。7.如权利要求6所述的半导体封装结构，其特征在于，所述沟槽穿过1/3厚度的所述底部芯片层。8.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：晶圆结构，具有相背的第一表面和第二表面，所述晶圆结构中形成有开口朝向所述第一表面一侧的沟槽；以及塑封层，所述塑封层覆盖所述晶圆结构并填充所述沟槽。9.如权利要求8所述的半导体封装结构，其特征在于，所述晶圆结构包括晶圆和堆叠在所述晶圆表面的至少一个晶粒，所述沟槽形成于所述晶粒周围的所述晶圆中。10.如权利要求9所述的半导体封装结构，其特征在于，所述第一表面的部分区域设置有划片道，至少部分所述沟槽对应于所述划片道的位置形成。2CN115841957A说明书1/6页晶圆级封装方法、半导体封装结构及芯片技术领域[0001]本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种晶圆级封装方法、一种半导体封装结构及一种芯片。背景技术[0002]在半导体工艺中，常采用塑封工艺对芯片进行封装，目的是使芯片不受外部环境影响，避免由于空气或者外部环境的腐蚀等多种原因引起的电气恶化(electricaldeterioration)问题，并在操作芯片的时候提供机械稳定性、电绝缘以及有效散热。[0003]但是，常规塑封工艺形成的塑封材料与半导体晶圆的热性能存在较大差异，在晶圆上进行塑封工艺之后，由于塑封材料的收缩量较晶圆大，会导致晶圆翘曲，不利于后续制程及运输。发明内容[0004]为了减少或避免塑封工艺所引起的晶圆翘曲，本发明提供一种晶圆级封装方法以及一种半导体封装结构。[0005]一方面，本发明提供一种晶圆级封装方法，所述晶圆级封装方法包括：[0006]提供一待塑封的晶圆结构，所述晶圆结构具有相背的第一表面和第二表面；[0007]对应于所述第一表面的部分区域在所述晶圆结构中形成沟槽；以及[0008]形成塑封层，所述塑封层覆盖所述晶圆结构并填充所述沟槽。[0009]可选的，形成所述沟槽的步骤包括：[0010]利用片锯切割相应区域的所述晶圆结构，以形成所述沟槽。[0011]可选的，所述晶圆结构包括晶圆和堆叠在所述晶圆表面的至少一个晶粒，所述沟槽形成于所述晶