一种陶瓷基板新型电镀图形的方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN111800948A(43)申请公布日2020.10.20(21)申请号202010766520.9(22)申请日2020.08.03(71)申请人广东格斯泰气密元件有限公司地址519000广东省珠海市高新区唐家湾镇金洲路10号科研楼2楼(72)发明人刘横望(74)专利代理机构北京华际知识产权代理有限公司11676代理人邓大文(51)Int.Cl.H05K3/00(2006.01)H05K3/06(2006.01)H05K3/02(2006.01)H05K3/24(2006.01)权利要求书1页说明书5页附图2页(54)发明名称一种陶瓷基板新型电镀图形的方法(57)摘要本发明公开了一种陶瓷基板新型电镀图形的方法，属于电子电路技术领域，本发明通过工艺顺序的重新调整以及增加锡镀层工艺,采用陶瓷金属化后直接贴膜，曝光后留出需要电镀加厚的图形部分，并且采用激光打孔技术和真空多弧离子溅镀技术，本发明科学合理，使用安全方便，调整工艺顺序和增加锡镀层工艺，陶瓷金属化后直接贴膜有力的减少了时间成本，提高了产品品质，采用激光打孔技术可降低生产成本，加工的稳定性也更好，孔径的选择性更多，且本专利采用真空多弧离子溅镀技术，安全性好，效率更高，品质更好且稳定。CN111800948ACN111800948A权利要求书1/1页1.一种陶瓷基板新型电镀图形的方法，其特征在于：包括以下步骤：S100：基板打孔：根据电路设计要求对陶瓷基板进行激光打孔；S200：基板金属化：对打孔后的陶瓷基板进行预处理，然后对陶瓷表面金属化处理；S300：贴膜：对金属化后的陶瓷基板依据线路设计进行贴膜处理；S400：基板加厚填孔：对贴膜后的陶瓷基板进行加厚处理及填孔处理；S500：镀锡保护：对基板加厚填孔的陶瓷基板进行镀锡保护处理；S600：退膜：对镀锡保护后的陶瓷基板予以退膜处理；S700：刻蚀：对退膜后的陶瓷基板刻蚀处理；S800：整平：对刻蚀后的陶瓷基板予以整平处理；S900：化镍/化金：对整平后的陶瓷基板依规格要求进行电镀化学镍化学金处理。2.根据权利要求1所述的一种陶瓷基板新型电镀图形的方法，其特征在于：所述陶瓷基板的材质为氮化铝或氧化铝。3.根据权利要求1所述的一种陶瓷基板新型电镀图形的方法，其特征在于：所述陶瓷基板上设有定位孔。4.根据权利要求1所述的一种陶瓷基板新型电镀图形的方法，其特征在于：所述步骤S200中所述基板金属化采用的方法为真空多弧离子溅镀，所述真空多弧离子溅镀到基板上。5.根据权利要求1所述的一种陶瓷基板新型电镀图形的方法，其特征在于：所述步骤S400中加厚处理和填孔处理的方法为电镀。6.根据权利要求1所述的一种陶瓷基板新型电镀图形的方法，其特征在于：所述步骤S500中，镀锡保护处理的参数要求为：硫酸亚锡溶液浓度范围为50-100g/L，硫酸溶液浓度范围为120-200g/L，纯锡开缸剂浓度范围为20-35ml/L，纯锡光泽剂浓度范围为1-6ml/L，电流密度范围为10-35ASD，温度范围为3-20℃。7.根据权利要求1所述的一种陶瓷基板新型电镀图形的方法，其特征在于：所述步骤S700中，刻蚀处理的参数要求为：氯化铵溶液浓度范围为100-180g/L，铜粉浓度范围为180-220g/L，氨水溶液浓度范围为400-600g/L，温度范围为40-60℃。8.根据权利要求1所述的一种陶瓷基板新型电镀图形的方法，其特征在于：所述步骤S800中，整平处理的方法为基板表面机械抛磨后喷砂。2CN111800948A说明书1/5页一种陶瓷基板新型电镀图形的方法技术领域[0001]本发明涉及电子电路技术领域，具体是一种陶瓷基板新型电镀图形的方法。背景技术[0002]随着多芯片高集成器件、大功率半导体器件和激光二极管元器件等新一代大功率电子电力器件的发展，大功率器件所产生的热量也在不断增加，散热问题变得越来越重要，由于陶瓷具有高热导率、高电阻率，线膨胀系数，且耐高压高温，正是解决大功率器件封装的关键基板材料，能很好的符合大功率芯片和高密度集成封装的各项要求，所以陶瓷与常规芯片的组合越来越受欢迎，目前已被广泛应用于汽车、油井、电力变送等高压、高绝缘、高频、高温、高可靠、小体积的电子产品中；[0003]常规陶瓷基板主要有平面板及3D板(带围坝)两种，本发明主要改进是的平面基板，常规基板制作方法主要有：[0004]一、直接丝印金属层：工艺比较成熟，直接将铜浆或者其它金属浆料丝印到陶瓷基板上，再经过高温烧结，从而制备陶瓷线路板，该方法虽然工艺步骤简单，但所需的丝印设备精度要求高，需要的丝印铜浆严重依赖进口，需要上千度的高温真空或者氮气保护下烧结，成本较高，且经过高温后图形一致性及精确度会有所改变