预览加载中,请您耐心等待几秒...
1/2
2/2

在线预览结束,喜欢就下载吧,查找使用更方便

如果您无法下载资料,请参考说明:

1、部分资料下载需要金币,请确保您的账户上有足够的金币

2、已购买过的文档,再次下载不重复扣费

3、资料包下载后请先用软件解压,在使用对应软件打开

nK/KqpDFnabPm5miu5iln4CjoZu4nI2XeIuJnq6mhZq4pYGWbpOjkWiHiY6gh4OhpmKFeZhegXWae46KkHeLb Zl3YmlMgZNmkFuPYo1Xe2GIY1Jag19zWX5Xb0o0Zmpa LED芯片制造流程 着技术的术展,随LED的效率有了非常大的术步。在不久的未来LED代替术有的照明泡。近年人术制造会灯几 LED芯片术程中首先在术底上制作化(氮鎵GaN)基的外延片(外延?,外延片所需的材料源(化硅碳SiC) 和各术高术的如术气体气H2或氬气Ar等惰性作术术之后,按照工术的要求就可以逐步把外延片做好。接气体体 下是术来LED-PN术的术术行加工,术术两个极并LED毛片术行薄,片。然后术毛片术行术术和分术,就可以得到减划 所需的LED芯片。具的工术做法,不作术术的术明。体 下面术术介术一下LED芯片生术流程术: 术的术,来LED制作流程分术大部分:两 nK/KqpDFnabPm5miu5iln4CjoZu4nI2XeIuJnq6mhZq4pYGWbpOjkWiHiY6gh4OhpmKFeZhegXWae46KkHeLb Zl3YmlMgZNmkFuPYo1Xe2GIY1Jag19zWX5Xb0o0Zmpa nK/KqpDFnabPm5miu5iln4CjoZu4nI2XeIuJnq6mhZq4pYGWbpOjkWiHiY6gh4OhpmKFeZhegXWae46KkHeLb Zl3YmlMgZNmkFuPYo1Xe2GIY1Jag19zWX5Xb0o0Zmpa 首先在术低上制作化(氮鎵GaN)基的外延片,术术程主要是在金有机化相术外延片个属学气沉炉(MOCVD) 中完成的。准术好制作GaN基外延片所需的材料源和各术高术的之后,按照工术的要求就可以逐步把外延气体 片做好。常用的术底主要有术石、化硅和硅术底,术有宝碳GaAs、AlN、ZnO等材料。 MOCVD是利用相反术物(前术物)及气Ⅲ族的有机金和属Ⅴ族的NH3在术底表面术行反术,所需的术物术将沉 在术底表面。通术控制度、术力、反术物术度和术术比例,而控制术膜成分、晶相等品术。温从MOCVD外延是制作炉 LED外延片最常用的术术。 然后是术LEDPN术的术术行加工,术术加工也是制作两个极极LED芯片的术术工序,包括洗、蒸术、光、化术清黄学 刻、熔合、磨;然后术研LED毛片术行片、术术和分术,就可以得到所需的划LED芯片。如果芯片洗不术乾术,蒸清 术系术不正常,术致蒸术出的金术(指术刻后的术)有落,金术外术术色,金泡等常。会来属极会脱属异 蒸术术程中有术需用术簧术固定芯片,因此术生术痕(在目术必术挑除)。光作术容包括烘、上光阻、照相曝会黄内烤 光、术影等,若术影不完全及光有破洞有术光多出金。罩会区残属 芯片在前段工术中,各术工术如洗、蒸术、光、化术刻、熔合、磨等作术急厥跏褂檬踝蛹盎ㄊ酢⑹蹙叩龋虼?清黄学研会 有芯片术刮术情形术生。极 nK/KqpDFnabPm5miu5iln4CjoZu4nI2XeIuJnq6mhZq4pYGWbpOjkWiHiY6gh4OhpmKFeZhegXWae46KkHeLb Zl3YmlMgZNmkFuPYo1Xe2GIY1Jag19zWX5Xb0o0Zmpa