半导体复合晶圆及制造方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN111952151A(43)申请公布日2020.11.17(21)申请号202010734727.8(22)申请日2020.07.28(71)申请人苏州赛万玉山智能科技有限公司地址215311江苏省苏州市昆山市巴城镇石牌相石路1599号6号房(72)发明人万明(74)专利代理机构南京艾普利德知识产权代理事务所(特殊普通合伙)32297代理人陆明耀(51)Int.Cl.H01L21/02(2006.01)权利要求书1页说明书3页(54)发明名称半导体复合晶圆及制造方法(57)摘要本发明提供一种半导体复合晶圆，所述半导体复合晶圆包括一单晶晶圆层，所述单晶晶圆层具有第一厚度，背面复合有陶瓷材料层，所述陶瓷材料层具有第二厚度，与所述单晶晶圆层同质。由于所述陶瓷材料层与所述单晶晶圆层同质，所以两者将拥有相同的热膨胀系数，后续在所述半导体复合晶圆上进行外延及芯片制作将无需特别更改工艺，芯片制作完全后背面减薄主要是将所述半导体复合晶圆中的陶瓷材料层减薄去除，保留相应的单晶晶圆层以及可能的外延层材料即可。所述半导体复合晶圆中的单晶晶圆层的厚度远小于一般纯单晶晶圆的厚度，极大地提高单晶材料的利用率，节省了大量昂贵的单晶材料，同时也降低了相应的晶圆以及芯片加工成本。CN111952151ACN111952151A权利要求书1/1页1.一种半导体复合晶圆，其特征在于，所述半导体复合晶圆包括一单晶晶圆层，所述单晶晶圆层具有第一厚度，背面复合有陶瓷材料层，所述陶瓷材料层具有第二厚度，与所述单晶晶圆层同质。2.根据权利要求1所述的半导体复合晶圆，其特征在于，所述单晶晶圆层的材料为硅、碳化硅、氮化铝、氮化镓、砷化镓或蓝宝石。3.根据权利要求1所述的半导体复合晶圆，其特征在于，所述陶瓷材料层的纯度为4N-6N。4.根据权利要求1所述的半导体复合晶圆，其特征在于，所述第一厚度为100-200微米，所述第二厚度为250-350微米。5.根据权利要求1所述的半导体复合晶圆，其特征在于，所述陶瓷材料层通过高温胶粘接、反应烧结、3D打印、化学气相沉积或溅射的方式与所述单晶晶圆层复合。6.一种如权利要求1所述的半导体复合晶圆的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：提供一单晶晶圆层，所述单晶晶圆层具有第三厚度，在所述单晶晶圆的背面复合一陶瓷材料层获得所述半导体复合晶圆，所述陶瓷材料层具有第四厚度，与所述单晶晶圆层同质。7.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述单晶晶圆层通过金刚线多线切割形成，所述单晶晶圆层的材料为硅、碳化硅、氮化铝、氮化镓、砷化镓或蓝宝石。8.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述陶瓷材料层的纯度为4N-6N。9.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述第三厚度为150-200微米，所述第四厚度为300-350微米，所述制造方法还包括对所述半导体复合晶圆的双面或单面进行研磨及抛光达到开盒即用级别，经研磨及抛光后，所述单晶晶圆层具有第五厚度，为100-150微米，所述陶瓷材料层具有第六厚度，为250-300微米。10.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述陶瓷材料层通过高温胶粘接、反应烧结、3D打印、化学气相沉积或溅射的方式与所述单晶晶圆层复合。2CN111952151A说明书1/3页半导体复合晶圆及制造方法技术领域[0001]本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及半导体复合晶圆及制造方法。背景技术[0002]半导体晶圆（衬底）是利用通过高温生长的单晶材料，经过切割、研磨和抛光清洗等一系列工序生产出来的。而后晶圆（衬底）作为基底材料，根据工艺要求在上面生长出一定的外延层（比如说GaN等）。通常晶圆需要一定的片厚以实现后续的外延、芯片的制作。而晶圆在芯片图形制作完成，在芯片切割之前，需要减薄到一定的厚度才进行芯片的切割和分离，比如说6寸碳化硅芯片就必须将晶圆从350微米背面减薄到100微米以下再进行芯片切割。也就是说大量的晶圆单晶材料是被浪费掉的，而生长这样的半导体单晶材料是极其困难和昂贵的。发明内容[0003]鉴于目前现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种减少单晶材料浪费的半导体复合晶圆及制造方法。[0004]为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：一种半导体复合晶圆，所述半导体复合晶圆包括一单晶晶圆层，所述单晶晶圆层具有第一厚度，背面复合有陶瓷材料层，所述陶瓷材料层具有第二厚度，与所述单晶晶圆层同质。[0005]进一步，所述单晶晶圆层的材料为硅、碳化硅、氮化铝、氮化镓、砷化镓或蓝宝石。[0006]进一步，所述陶瓷材料层的纯度为4N-6N。[0007]进一步，所述第一厚度为100-200微米，所述第二厚度为250-350微米。[0008]进一