水平液相外延石墨舟、生长系统、外延方法和生长方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号CN111962146A(43)申请公布日2020.11.20(21)申请号202010967848.7(22)申请日2020.09.15(71)申请人北京智创芯源科技有限公司地址100095北京市北京经济技术开发区经海三路106号1幢一层(72)发明人不公告发明人(74)专利代理机构北京集佳知识产权代理有限公司11227代理人骆英静(51)Int.Cl.C30B19/06(2006.01)C30B29/48(2006.01)权利要求书2页说明书8页附图5页(54)发明名称水平液相外延石墨舟、生长系统、外延方法和生长方法(57)摘要本发明公开了一种水平液相外延石墨舟。该水平液相外延石墨舟包括至少两个具有母液滞留槽的槽体组，相邻的槽体组之间相互连通；具有至少两个衬底槽的滑条；设置于滑条下方的底托；设置于槽体组上方的盖板，滑条能够在底托与母液槽之间滑动，并且滑条拉动至预设位置时，每个衬底槽均能够与一个母液滞留槽对中。由于该水平液相外延石墨舟具有至少两个槽体组，滑条具有至少两个衬底槽，因此每次至少能够生长两片碲镉汞薄膜，并且相邻的槽体组之间连通，相邻的槽体组之间的汞蒸气能够流通，每片碲镉汞薄膜处于相同的工艺条件，实现了碲镉汞薄膜的批量化生产。本发明还公开了一种水平液相外延生长系统、外延方法和生长方法。CN111962146ACN111962146A权利要求书1/2页1.一种水平液相外延石墨舟，用于生长碲镉汞薄膜材料，其特征在于，包括：具有至少两个槽体组(101)的母液槽(100)，所述槽体组(101)包括底部开口的母液滞留槽(1011)，相邻的所述槽体组(101)之间相互连通；设置于所述母液槽(100)的下方的滑条(200)，所述滑条(200)具有至少两个底部封闭的衬底槽(201)；设置于所述母液槽(100)的上方的盖板(300)；设置于所述滑条(200)的下方的底托(400)，所述底托(400)与所述母液槽(100)、所述盖板(300)依次连接，所述滑条(200)能够在所述底托(400)与所述母液槽(100)之间滑动，并且所述滑条(200)拉动至预设位置时，每个所述衬底槽(201)均能够与一个所述母液滞留槽(1011)对中。2.根据权利要求1所述的水平液相外延石墨舟，其特征在于，所述槽体组(101)还包括底部封闭的碲化汞槽(1012)，并且所述碲化汞槽(1012)与所述母液滞留槽(1011)相互连通。3.根据权利要求2所述的水平液相外延石墨舟，其特征在于，所述碲化汞槽(1012)与所述母液滞留槽(1011)之间设有第一引流槽(a)。4.根据权利要求1所述的水平液相外延石墨舟，其特征在于，相邻的所述母液槽(100)之间设有第二引流槽(b)。5.根据权利要求1所述的水平液相外延石墨舟，其特征在于，所述滑条(200)为长条形结构，并且所述滑条(200)的长度方向的一端设有牵引部(202)。6.根据权利要求1所述的水平液相外延石墨舟，其特征在于，所述底托(400)为长条形结构，并且沿所述底托(400)的长度方向设有与所述滑条(200)配合的凹槽(401)。7.根据权利要求6所述的水平液相外延石墨舟，其特征在于，所述母液槽(100)为长条形结构，并且所述母液槽(100)的宽度大于所述凹槽(401)的宽度。8.根据权利要求1所述的水平液相外延石墨舟，其特征在于，所述盖板(300)为长条形结构，并且所述盖板(300)的宽度不小于所述母液槽(100)的宽度。9.根据权利要求1所述的水平液相外延石墨舟，其特征在于，所述盖板(300)、所述母液槽(100)和所述底托(400)通过螺钉(500)连接。10.一种水平液相外延生长系统，用于生长碲镉汞薄膜材料，其特征在于，包括如权利要求1至9任一项所述的水平液相外延石墨舟。11.一种水平液相外延方法，用于生长碲镉汞薄膜材料，其特征在于，应用如权利要求1至9任一项所述的水平液相外延石墨舟，包括步骤：S1：高温熔化碲镉汞原料为液体状的碲镉汞母液；S2：初步降温至所述碲镉汞母液的冷凝点；S3：拉动所述滑条(200)，使得每个所述衬底槽(201)与对应的所述母液滞留槽(1011)对中；S4：二次降温至所述碲镉汞母液的结晶点，所述碲镉汞母液在所述衬底槽(201)的碲锌镉衬底表面生长为碲镉汞薄膜；S5：二次拉动所述滑条(200)，分离所述碲镉汞母液和所述碲镉汞薄膜。12.一种水平液相生长方法，用于生长碲镉汞薄膜材料，其特征在于，包括如权利要求2CN111962146A权利要求书2/2页11所述的水平液相外延方法。3CN111962146A说明书1/8页水平液相外延石墨舟、生长系统、外延方法和生长方法技术领域[0001]本发明涉及半导体单晶薄膜液相